阵列基板及其制备和驱动方法、液晶显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备和驱动方法、液晶显示面板，用以降低液晶显示装置所需的驱动电压，并提高光穿透率。阵列基板包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元包括像素电极和公共电极，其中，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极位于同一层，以及所述第一公共电极和第二公共电极为条状图案，且第一公共电极、所述像素电极和第二公共电极相互间隔排列，其中：第一公共电极通过第一接触孔与第一公共电极导线连接，第二公共电极通过第二接触孔与第二公共电极导线连接，且第一公共电极导线和第二公共电极导线与所述栅线平行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备和驱动方法、液晶显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不装置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)由于其低成本、高良率以及良好的显示效果，使得其占据着绝大部分的显示装置市场份额。扭曲向列(Twisted Nematic, TN)模式液晶显示装置和平面转换(In-PlaneSwitching, IPS)模式液晶显示装置在当前是两种主流的液晶显示装置。其中，TN模式液晶显示装置使用在阵列基板形成的像素电极和彩膜基板上形成的公共电极之间产生的电场驱动液晶材料，其优点是具有较大的孔径比，缺点是视角比较窄。而IPS模式液晶显示装置使用在阵列基板上形成相互平行的像素电极和公共电极，它们之间产生电场驱动液晶材料，虽然其视角较宽，但是IPS模式液晶显示装置需要的驱动电压较高，光穿透率却不如TN模式液晶显示装置。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备和驱动方法、液晶显示面板，用以降低液晶显示装置所需的驱动电压，并提高光穿透率。本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元包括像素电极和公共电极，其中，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极位于同一层，所述第一公共电极和第二公共电极为条状图案，且第一公共电极、所述像素电极和第二公共电极相互间隔排列，其中第一公共电极通过第一接触孔与第一公共电极导线连接，第二公共电极通过第二接触孔与第二公共电极导线连接，且第一公共电极导线和第二公共电极导线与所述栅线平行。本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元包括像素电极和公共电极，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极位于同一层，所述第一公共电极和第二公共电极为条状图案，且第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极相互间隔排列，其中第一公共电极通过第一接触孔与第一公共电极导线连接，第二公共电极通过第二接触孔与第二公共电极导线连接，且第一公共电极导线和第二公共电极导线与所述栅线平行；以及所述方法，包括A、在玻璃基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺刻蚀所述栅金属薄膜形成包括栅线和第一公共电极导线以及第二公共电极导线的图案；B、在经过步骤A处理的玻璃基板上形成栅绝缘层、有源层和掺杂层，通过构图工艺刻蚀形成硅岛图案；C、在经过步骤B处理的玻璃基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺刻蚀所述掺杂层和所述源漏金属层，形成包括源漏金属电极和数据线图案；D、在经过步骤C处理的玻璃基板上沉积钝化层，通过构图工艺刻蚀分别形成第一接触孔图案、第二接触孔图案以及所述像素电极与所述源漏金属层连接的第三接触孔图案；E、在经过步骤D处理的玻璃基板上形成透明金属层，通过构图工艺刻蚀形成包括像素电极、第一公共电极以及第二公共电极的图案。本专利技术实施例提供一种液晶显示面板，包括对盒设置的彩膜基板和上述阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶。本专利技术实施例还提供一种上述提供的阵列基板驱动方法，包括为所述第一公共电极提供第一电压；为所述像素电极提供第二电压，所述第一电压与所述第二电压之间的压差为第一预设值为所述第二公共电极提供第三电压，所述第一电压与所述第三电压之间的压差为第二预设值，且所述第二电压与第三电压之间的压差为第三预设值。本专利技术实施例提供的阵列基板及其制备和驱动方法、液晶显示面板，由于其公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，且第一公共电极通过第一接触孔与第一公共电极导线连接，第二公共电极通过第二接触孔与第二公共电极导线连接，这样，在每个像素的电场中就存在第一公共电极和像素电极，第二公共电极和像素电极以及第一公共电极和第二公共电极三个电场共同叠加，更有利于液晶分子发生旋转，从而能够降低液晶显示装置所需的驱动电压，并提高液晶显示装置的光穿透率。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中图1为本专利技术实施例中，阵列基板的结构示意图；图2为图1中的AA’的横截面结构示意图；图3为本专利技术实施例中，像素电极和公共电极的位置及电压分布示意图；图4为本专利技术实施例中，阵列基板制备方法的实施流程示意图；图5a 图5e为本专利技术实施例中，阵列基板制备方法的工艺流程示意图；图6a为现有技术中液晶显示装置的液晶指向矢和光穿透率模拟示意图；图6b为本专利技术实施例中液晶显示装置的液晶指向矢和光穿透率模拟示意图。具体实施方式为了降低液晶显示装置所需的驱动电压，提高液晶显示装置的光穿透率，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制备和驱动方法、液晶显示面板和液晶显示装置。以下结合说明书附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术，并且在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。如图1所示，为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图，包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线11和栅线12，每个像素单元包括像素(pixel)电极13和公共(com)电极14，其中，公共电极14包括第一公共电极141和第二公共电极142，第一公共电极141、第二公共电极142和像素电极13位于同一层，且第一公共电极141和第二公共电极142为条状图案，第一公共电极141、像素电极13和第二公共电极142相互间隔排列，其中，第一公共电极141通过第一接触孔15与第一公共电极导线16连接，第二公共电极142通过第二接触孔17与第二公共电极导线18连接，且第一公共电极导线16和第二公共电极导线18与栅线12平行，第一公共电极141和第二公共电极与数据线11平行。如图2所示,其为图1所示的阵列基板在AA’处的横截面示意图,包括玻璃基板21、栅绝缘层22 (Gate Insulation，GI)和钝化层23 (PV)，以及设置于栅绝缘层22上的数据线11，和设置于钝化层23上的第一公共电极141、第二公共电极142和像素电极13。具体实施时，第一公共电极141与像素电极13所加电压之间存在一定的压差，像素电极13与第二公共电极142所加电压之间存在一定压差，且第一公共电极141与第二公共电极142所加电压之间也存在一定压差,这样,便能够形成第一公共电极和第二公共电极、第一公共电极和像素电极以及第二公共电极和像素电极之间的三个电场。较佳地，如图3所示，为本专利技术实施例中，一种可能的像素电极和公共电极的位置及电压分布示意图。图3中，第一公共电极141所加电压与传统液晶显示装置中公共电极的电压相同，例如可以为O ;第二公共电极142所加的电压可以但不限于为像素电极13所加电压的2倍，例如，若像素电极13所加的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元包括像素电极和公共电极，其特征在于，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极位于同一层，以及所述第一公共电极和第二公共电极为条状图案，且第一公共电极、所述像素电极和第二公共电极相互间隔排列，其中：第一公共电极通过第一接触孔与第一公共电极导线连接，第二公共电极通过第二接触孔与第二公共电极导线连接，且第一公共电极导线和第二公共电极导线与所述栅线平行。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元包括像素电极和公共电极，其特征在于， 所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极位于同一层，以及所述第一公共电极和第二公共电极为条状图案，且第一公共电极、所述像素电极和第二公共电极相互间隔排列，其中 第一公共电极通过第一接触孔与第一公共电极导线连接，第二公共电极通过第二接触孔与第二公共电极导线连接，且第一公共电极导线和第二公共电极导线与所述栅线平行。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极与所述像素电极所加电压的压差为第一预设值，所述像素电极与所述第二公共电极所加电压的压差为第二预设值，且所述第一公共电极与所述第二公共电极之间所加电压的压差为第三预设值。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极导线和第二公共电极导线的材料为金属或者合金。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述金属包括钥Mo、铝Al、铌Nb及锑Ti ;所述合金包括钥Mo、招Al、银Nb及铺Ti中的由至少两种金属形成的合金。5.如权利要求r4任一权利要求所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极和第二公共电极的材料为透明材料。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述透明材料包括铟锡氧化物ITO或者铟锌氧化物IZ0。7.—种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元包括像素电极和公共电极，其特征在于，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极位于同一层，所述第一公共电极和第二公共电极为条状图案，且第一公...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝光叶，叶腾，赵利军，林允植，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：