横向排列的像素结构制造技术

本发明专利技术提供一种横向排列的像素结构，包括：水平相邻的两个主像素区，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；所述垂直相邻的三个次像素区包括：第一次像素区、第二次像素区和第三次像素区；与两个主像素区一一对应的两条公共电极线；每条公共电极线包括：第一边缘线，覆盖第一次像素区上的像素电极的部分边缘；第二边缘线，覆盖第二次像素区上的像素电极的部分边缘；第三边缘线，覆盖第三次像素区上的像素电极的部分边缘；第一非边缘线，连接第一边缘线和第二边缘线；第二非边缘线，连接第二边缘线和第三边缘线；其中，第一边缘线、第二边缘线和第三边缘线中至少一个是U形。使用该方案，既可以适用于双栅极驱动，又可以起到遮光的作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种横向排列的像素结构。
技术介绍
现有技术中，显示面板的一个主像素区的三个子像素区的排列从左到右分别为 R(红)，G(绿)，B(蓝)，其中，每个主像素区为正方形或者圆形，每个子像素区为长方形，且每个子像素区的短边与栅极线基本并行，每个子像素区的长边与数据线基本平行，通常这种子像素区的排列方式称为纵向排列。通常，在3D显示中，为了让人的左右眼看到不同的图像，置于显示面板前的光栅格子需要纵向排列，其中，一个光栅格子的大小与一个主像素区的大小相近；由于光栅格子所在的玻璃板与显示面板组装时的对位误差，导致光栅格子可能会遮挡住某个颜色，比如遮挡了红色子像素区的部分面积，从而造成严重的颜色偏离和色差。为了解决这个问题，现有技术提供了横向排列的像素结构，即将各颜色子像素区横向排列，这样即使光栅格子所在的玻璃板与显示面板组装时有对位误差，三个颜色的子像素区都会被挡住相同的面积， 虽然每个子像素区的透光量有所下降，但是三个子像素区所形成的颜色不会有偏移。目前的像素横向排列方式包括以下几种单栅极驱动的竖屏横用的像素横向排列方式和三栅极驱动的像素横向排列方式。现有技术中，对于横向排列的像素结构，其公共电极线通常与数据线平行，图1中示出了三栅极驱动的像素横向排列方式，从图1可以看出， 公共电极线C与数据线Dl和数据线D2平行，且覆盖次像素区的像素电极的边缘。
技术实现思路
本专利技术提供一种横向排列的像素结构及显示面板，其可适用于双栅极驱动。有鉴于此，本专利技术实施例提供一种横向排列的像素结构，包括水平相邻的两个主像素区，其中，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；其中，所述垂直相邻的三个次像素区包括第一次像素区、第二次像素区和第三次像素区；与两个主像素区--对应的两条公共电极线；其中，每条公共电极线包括第一边缘线，所述第一边缘线覆盖第一次像素区上的像素电极的部分边缘；第二边缘线，所述第二边缘线覆盖第二次像素区上的像素电极的部分边缘；第三边缘线，所述第三边缘线覆盖第三次像素区上的像素电极的部分边缘；第一非边缘线，所述第一非边缘线连接所述第一边缘线和第二边缘线；第二非边缘线，所述第二非边缘线连接所述第二边缘线和第三边缘线；其中，第一边缘线、第二边缘线和第三边缘线中至少一个是U形。一种横向排列的像素结构，包括水平相邻的两个主像素区，其中，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；三条公共电极线，每条公共电极线横向跨过两个主像素区中水平相邻的次像素区；其中，所述水平相邻的两个主像素区包括第一主像素区和第二主像素区；每条公共电极线包括第一边缘线，所述第一边缘线覆盖第一主像素区内的次像素区上的像素电极的部分边缘；第二边缘线，所述第二边缘线覆盖第二主像素区内的次像素区上的像素电极的部分边缘；所述第一主像素区内的次像素区与所述第二主像素区内的次像素区水平相邻；第一非边缘线，所述第一非边缘线连接第一边缘线和第二边缘线；其中，所述第一边缘线和所述第二边缘线中至少一个为U形。本专利技术实施例中纵向跨过主像素区或者横向跨过两个主像素区中水平相邻的次像素区中的公共电极线中至少一个边缘线是U形的，其既可以适用于双栅极驱动的横向排列的像素结构，而且又可以起到遮光的作用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地 介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。I是现有技术提供的一种三栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；2是本专利技术实施例提供的一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；3是本专利技术实施例提供的基于图2的像素结构具体示意图；4是本专利技术实施例提供的另一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图 5是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图 6是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图 7是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图 8是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图 9是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图 10是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；11是本专利技术实施例提供的一种带有公共电极线的双栅极驱动的横向排列的像12是本专利技术实施例提供的另一种带有公共电极线的双栅极驱动的横向排列13是本专利技术实施例提供的另一种带有公共电极线的双栅极驱动的横向排列的图图图图图图图图图图图素结构I图的像素结构图像素结构。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种双栅极驱动的横向排列的像素结构，其包括多个像素单元，所述像素单元包括两条栅极线和三条数据线；其中，两条栅极线包括第一栅极线和第二栅极线，三条数据线包括顺序排列的第一数据线、第二数据线和第三数据线；其中，两条栅极线设置于基板上并沿着第一方向平行排列；三条数据线设置于基板上并沿着第二方向平行排列； 两条栅极线与三条数据线交叉，在一种具体的实施方式中，第一方向与第二方向垂直；水平相邻的两个主像素区，其中，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；三个次像素区分别为R(红)，G(绿)和B(蓝)；每个次像素的长边与第一方向基本平行，每个次像素的短边与第二方向基本平行。六个薄膜晶体管，分别设置于对应的次像素区内，即每个次像素区内有一个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极；其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，使三条数据线与六个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同，即第一数据线所电连接的薄膜晶体管、与第二数据线所电连接的薄膜晶体管、与第三数据线所电连接的薄膜晶体管完全不同，这样，就可以使三条数据线与六个薄膜晶体管的源极电连接；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。本专利技术实施例提供的双栅极驱动的横向排列的像素结构包括双栅极驱动的横向排列的像素结构，其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。采用这种像素结构，对于分辨率为 mXn的屏，η为水平分辨率，m为垂直分辨率，其需要的栅极线为2m条，其需要的数据线为3n/2条，这样，每条栅极线驱动时间缩短为单栅极驱动的竖屏横用的像素横向排列方式的二分之一，当分辨率比较高时普通的TFT也可以达到驱动要求，适于广泛应用。进一步的，本专利技术实施例提供的像素结构与现有的双栅极驱动的像素纵向排列方式所需要的栅极线和数据线相同，这样，源极驱动芯片、栅极驱动芯片的个数也相同，每条栅极线的驱动时间和驱动方式也可以相同，显示面板尺寸也可以相同，所以利用现有的双栅极驱动的纵向排列的像素结构的生产工艺就可以生产出本专利技术实施例提供的双栅极驱动的横向排列的像素结构。为了使本专利技术实施例提供的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向排列的像素结构，其特征在于，包括：水平相邻的两个主像素区，其中，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；其中，所述垂直相邻的三个次像素区包括：第一次像素区、第二次像素区和第三次像素区；与两个主像素区一一对应的两条公共电极线；其中，每条公共电极线包括：第一边缘线，所述第一边缘线覆盖第一次像素区上的像素电极的部分边缘；第二边缘线，所述第二边缘线覆盖第二次像素区上的像素电极的部分边缘；第三边缘线，所述第三边缘线覆盖第三次像素区上的像素电极的部分边缘；第一非边缘线，所述第一非边缘线连接所述第一边缘线和第二边缘线；第二非边缘线，所述第二非边缘线连接所述第二边缘线和第三边缘线；其中，第一边缘线、第二边缘线和第三边缘线中至少一个是U形。

【技术特征摘要】
1.一种横向排列的像素结构,其特征在于,包括 水平相邻的两个主像素区，其中，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；其中，所述垂直相邻的三个次像素区包括第一次像素区、第二次像素区和第三次像素区； 与两个主像素区一一对应的两条公共电极线； 其中，每条公共电极线包括 第一边缘线，所述第一边缘线覆盖第一次像素区上的像素电极的部分边缘； 第二边缘线，所述第二边缘线覆盖第二次像素区上的像素电极的部分边缘； 第三边缘线，所述第三边缘线覆盖第三次像素区上的像素电极的部分边缘； 第一非边缘线，所述第一非边缘线连接所述第一边缘线和第二边缘线； 第二非边缘线，所述第二非边缘线连接所述第二边缘线和第三边缘线； 其中，第一边缘线、第二边缘线和第三边缘线中至少一个是U形。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于， 每条公共电极线还包括 第三非边缘线，所述第三非边缘线连接第一边缘线和上一个主像素区的公共电极线；所述上一个主像素区为与所述第一次像素区垂直相邻的主像素区； 第四非边缘线，所述第四非边缘线连接第三边缘线和下一个主像素区的公共电极线；所述下一个主像素区为与所述第三次像素区垂直相邻的主像素区。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于， 所述第一边缘线为U形， 所述第一非边缘线连接所述第一边缘线的一个侧壁和第二边缘线； 所述第三非边缘线连接所述第一边缘线的另一个侧壁和上一个主像素区的公共电极线. 或者， 所述第二边缘线为U形； 所述第一非边缘线连接所述第一边缘线和第二边缘线的一个侧壁； 所述第二非边缘线连接所述第二边缘线的另一个侧壁和第三边缘线； 或者， 所述第三边缘线为U形； 所述第二非边缘线连接所述第二边缘线和第三边缘线的一个侧壁； 所述第四非边缘线连接第三边缘线的另一个侧壁和下一个主像素区的公共电极线。4.根据权利要求1至3任一项所述的像素结构，其特征在于， 第一边缘线、第二边缘线和第三边缘线中的U形的边缘线的开口方向朝向所述U形的边缘线所在的次像素区中薄膜晶体管的源极所电连接的数据线。5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，还包括 六个薄膜晶体管，分别设置于对应的次像素区内； 两条栅极线和三条数据线； 其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接；两条栅极线包括第一栅极线和第二栅极线； 当所述第一栅极线位于第一次像素区和第二次像素区之间，第二栅极线位于第二次像素区和第三次像素区之间，第一非边缘线纵向跨过第一栅极线，第二非边缘线纵向跨过第二栅极线； 当所述第一栅极线位于第一次像素区和第二次像素区之间，第二栅极线位于第三次像素区之外，第一非边缘线纵向跨过第一栅极线，第四非边缘线纵向跨过第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：周思思，夏志强，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：