【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LixNihO线性电阻陶瓷的制备方法,属功能陶瓷材料制造
技术介绍
陶瓷线性电阻材料具有体积小、重量轻,便于冲洗,安全可靠等优点;同时其使用温度高、性能稳定,并具有非常小的电感,也可作为无感电阻而广泛应用。目前常用的陶瓷线性电阻器件一般均采用ZnO基陶瓷线性材料。中国专利96123503. 9号文献公开了一种氧化锌陶瓷线性电阻及其制造方法,其制备的陶瓷线性电阻温度特性好、抗浪涌能力高,但采用该方法制备的陶瓷线性电阻的非线性指数高达1. 26,明显偏高。中国专利02140486. O号文献也公开一种氧化锌陶瓷线性电阻及其制造方法,其产品的非线性指数降到了1.1左 右,但制备中需使用价格昂贵且体积庞大的等静压设备,非常不利于大批量工业生产;同时其陶瓷线性电阻的烧结温度高(为1250— 1350°C),烧成周期长(为24— 28 h),因此势必造成其窑炉造价高,生产过程能耗大,亦不能适应现代工业节能降耗的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种线性度好、制造成本低,且适合工业生产的新型LixNihO线性电阻材料及其制备方法。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案 一种LixNihO线性电阻陶瓷的制备方法,包括称量原料配料的步骤、球磨煅烧的步骤、添加PVA造粒压制成形的步骤和升温烧结的步骤,具体如下 1)采用Ni(NO3)2 ·6Η20、CH3COOLi·2Η20、柠檬酸和去离子水为原料,以通式LixNi^xO进行配比,其中^O. 01—0. 10 ; 2)将步骤I)配好的溶液搅拌均匀,然后倒入蒸发皿中在一定温度下烘干 ...
【技术保护点】
一种LixNi1?xO线性电阻陶瓷的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:1)?采用Ni(NO3)2??6H2O、CH3COOLi?2H2O、柠檬酸和去离子水为原料,?以通式LixNi1?xO进行配比,其中x=0.01—0.10;2)?将步骤1)配好的溶液搅拌均匀,然后倒入蒸发皿中在一定温度下烘干得到蓬松粉末,再经800℃煅烧1h得到陶瓷粉体;3)?煅烧后粉体添加质量百分比为2%的PVA后一直研磨,直至均匀,最后在10MPa的压力下压制成形;4)?成形的坯体在电阻炉中以3℃/min升温至1150—1350℃,在空气气氛中保温1—5h,随炉冷却,即得LixNi1?xO线性电阻陶瓷。
【技术特征摘要】
1.一种LixNihO线性电阻陶瓷的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤 1)采用Ni(NO3)2·6Η20、CH3COOLi·2Η20、柠檬酸和去离子水为原料,以通式LixNipxO进行配比,其中^O. 01—0. 10 ; 2)将步骤I)配好的溶液搅拌均匀,然后倒入蒸发皿中在一定温度下...
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