本实用新型专利技术为一种放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，包括负压密封体的蒸发器，蒸发器内灌注有液体工质，蒸发器包括具有较高导热系数金属材料的受热体，受热体受热面背面加工有形成一定毛细力的放射式高密导流道，蒸发器的外壁面设有增加换热面积的多个肋片。提高散热效率、体积小、重量轻、解决了集中LED光源芯片中心温度过高的问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，主要用于集中封装大功率LED芯片的散热。
技术介绍
LED灯中的LED芯片在工作过程中约有80%的电能转化成热量，如果不能采取有效地措施将热量释放到环境中，将会导致芯片结温升高，发光效率降低，寿命缩短。目前LED芯片的散热主要采用空气自然对流冷却和强制风冷散热，随着LED芯片功率的增加，上述 两种方式由于取热和散热能力有限，已难以从高热流密度的发热器件取热，并进行高效的散热，严重制约了 LED向高功率发展，因此亟需开发新的冷却技术。当前LED芯片散热器存在散热能力不足、重量和体积过大等问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，提高散热效率、体积小、重量轻、解决了集中LED光源芯片中心温度过高的问题。本技术采用的技术方案是本技术的一种放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，其特征在于包括负压密封体的蒸发器，蒸发器内灌注有液体工质，蒸发器包括具有较高导热系数金属材料的受热体，受热体背面加工有形成一定毛细力的放射式高密导流道，蒸发器的外壁面设有增加换热面积的多个肋片。所述的放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，其特征在于放射式高密导流道的宽度在O. O1-3mm范围内，深度在O. O1-3mm范围内，间距在O.1-5mm范围内，蒸发器外壁面的肋片厚度为间距为l-30mm。所述的放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，其特征在于蒸发器受热体的受热面通过导热硅胶与发热体外表面相粘连。所述的LED芯片散热器蒸发器内装有一定量的液体工质，工质在高密导流道毛细力的作用下流动，工质进入到放射中心，既LED芯片中心温度最高点位置。放射式高密导流道结构内的液体工质在负压的工况中，受热后产生的蒸汽均匀的分布在蒸发器的内表面，在内表面冷凝后释放热量，通过外壁面的肋片释放给空气。本方案有效地克服了采用纯金属材料导致的轴向热阻过大的缺陷，所述放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，解决了集中LED光源芯片中心温度过高的问题，解决了LED散热器仰角照射时，导流道和工作相变液体的接触吸收问题。附图说明图1放射式高密导流道结构的LED芯片散热器的示意图。具体实施方式具体实施方式如图所示，直接将LED芯片封装到具有较高导热系数的金属材料表面，在该金属材料的背面加工放射式高密导流道，所述高密导流道的形状和尺寸能形成一定的毛细驱动力，上述高密导流道的宽度在O. O1-3mm范围内，深度在O. O1-3mm范围内，间距在O. l-5mm范围内。实施例见图，放射式高密导流道结构的散热器的结构示意图。散热器包括一蒸发器5，蒸发器5为负压的密封体且其内灌注有液体工质3，蒸发器包括具有较高导热系数金属材料的受热体1，受热体背面加工有形成一定毛细力的放射式高密导流道2，所述的导流道形状和尺寸能都形成一定的毛细力，蒸发器的外表面设有肋片4用于增加与空气侧的换热面积。放射式高密导流道的液体工质受热后产生的蒸汽均匀的分布在蒸发器的内表面，在内表面冷凝后释放热量，通过外壁面的肋片释放给空气。上述的高密导流道宽度在O. 01-3mm范围内，深度在O. 01_3mm范围内，间距在·O.1-5mm范围内。上述蒸发器外壁面的肋片厚度为l_5mm，间距为l_30mm。上述蒸发器受热体的受热面通过导热硅胶与发热体外表面相粘连。本技术的技术方案是直接将LED芯片封装到具有较高导热系数的金属材料表面，在该金属材料的背面加工成放射式高密导流道，所述的高密导流道形状和尺寸能形成一定的毛细力，将所述的金属材料的背面密封到一金属空腔内，通过特殊的负压冷封装工艺形成微尺度换热和相变相结合的强化换热蒸发器，蒸发器的外表面设有肋片用于增加与空气侧的换热面积。蒸发器内装有一定量的液体工质，工质在高密导流道毛细力的作用下流动，工质进入到放射中心，既LED芯片中心温度最高点位置。放射式高密导流道结构内的液体工质在负压的工况中，受热后产生的蒸汽均匀的分布在蒸发器的内表面，在内表面冷凝后释放热量，通过外壁面的肋片释放给空气。本方案有效地克服了采用纯金属材料导致的轴向热阻过大的缺陷，解决了集中LED光源芯片中心温度过高的问题。解决了 LED散热器仰角照射时，导流道和工作相变液体的接触吸收问题。实现上述方法的专用部件具有放射式高密导流道结构的，较高导热系数的金属板，所述高密导流道的形状和尺寸能形成一定的毛细力，同时在导流道的放射点，所容纳一定量的液体工质，受热后迅速相变气体，导流道的放射点由此形成了毛细力驱动点，极大提升了毛细拉力。技术效果通过特殊的负压冷封装工艺形成放射式高密导流道结构LED芯片散热器，具有微尺度换热和快速相变相结合的强化换热功能。通过研究发现放射式高密导流道结构内液体工质属于微细尺度换热，其取热能力比目前高性能芯片的最高热流密度还要高，能够完全满足当前LED散热要求；降低和控制LED工作温度，保证并提高器件的工作性能。本
的技术人员围绕该精神所做的任何非创造性改进，皆属于本技术的保护范围。权利要求1.放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，其特征在于包括负压密封体的蒸发器(5)，蒸发器内灌注有液体工质(3)，蒸发器包括具有较高导热系数金属材料的受热体(1)， 受热体受热面背面加工有形成一定毛细力的放射式高密导流道(2)，蒸发器的外壁面设有增加换热面积的多个肋片(4)。2.根据权利要求1所述的放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，其特征在于放射式高密导流道的宽度在O. O1-3mm范围内，深度在O. O1-3mm范围内，间距在O.1-5mm范围内，蒸发器外壁面的肋片厚度为l_5mm，间距为l-30mm。3.根据权利要求1所述的放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，其特征在于蒸发器受热体的受热面通过导热硅胶与发热体外表面相粘连。专利摘要本技术为一种放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，包括负压密封体的蒸发器，蒸发器内灌注有液体工质，蒸发器包括具有较高导热系数金属材料的受热体，受热体受热面背面加工有形成一定毛细力的放射式高密导流道，蒸发器的外壁面设有增加换热面积的多个肋片。提高散热效率、体积小、重量轻、解决了集中LED光源芯片中心温度过高的问题。文档编号H01L33/64GK202839752SQ201220429418公开日2013年3月27日 申请日期2012年8月28日 优先权日2012年8月28日专利技术者徐新旗, 曹东贞, 林星 申请人:北京瑞德桑节能科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
放射式高密导流道结构的LED芯片散热器，其特征在于：包括负压密封体的蒸发器(5)，蒸发器内灌注有液体工质(3)，蒸发器包括具有较高导热系数金属材料的受热体(1)，受热体受热面背面加工有形成一定毛细力的放射式高密导流道(2)，蒸发器的外壁面设有增加换热面积的多个肋片(4)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐新旗，曹东贞，林星，
申请(专利权)人：北京瑞德桑节能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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