一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片。所述电极形成于所述基板表面，包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极。还包括一个形成于所述基板表面的挡墙结构，挡墙结构将第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片分隔于其两侧。第一电极位于第一发光二极管芯片一侧，第三电极至少有一第一连接部位于第一发光二极管芯片一侧，第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部。第二电极位于第二发光二极管芯片一侧，第四电极至少有一第二连接部位于第二发光二极管芯片一侧，第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
技术介绍
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源，因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃，发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。在现有技术中，若要实现特定的照明要求，一般需将多个发光二极管封装体进行混合搭配，通过各个发光二极管封装体之间的距离及排布的设置来实现特定的照明需要，这样的结构虽然具有一定灵活性，但也存在集成度差，成本高的问题。因此，在实际应用当中，多会使用多芯片型发光二极管封装构造，其具体结构是将多个性能指标不同的发光二极管芯片集成封装，来实现多波段或者高演色性的照明要求，但是各个发光二极管芯片所发出的光线 会出现彼此干扰，难以控制其整体出光效果。无法满足实际应用的需求。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种可减少各发光二极管芯片光线相互干扰的发光二极管封装结构。—种发光二极管封装结构，包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和挡墙结构。该挡墙结构将基板表面分为分割为第一区域和第二区域两个部分。所述电极形成于所述基板表面，包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极。所述第一发光二极管芯片、第一电极和第三电极的第一连接部位于挡墙结构的第一区域，所述第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部；第二发光二极管芯片、第二电极和第四电极的第二连接部位于挡墙结构的第二区域，所述第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部。上述的发光二极管封装结构通过挡墙结构将第一发光二极管芯片以及第二发光二极管芯片相互隔开，可减少第一发光二极管芯片以及第二发光二极管芯片发出的光线的相互干扰。另外，上述发光二极管封装结构中，由于该挡墙结构将基板表面分为分割为第一区域和第二区域两个部分，所述第一发光二极管芯片、第一电极和第三电极的第一连接部位于挡墙结构的第一区域，第二发光二极管芯片、第二电极和第四电极的第二连接部位于挡墙结构的第二区域，使得连接发光二极管芯片和电极的金属导线不用跨过所述挡墙结构，可有效的减少发光二极管封装结构的厚度。附图说明图1是本专利技术第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。图2是图1所示发光二极管封装结构的俯视图。图3是图1所示发光二极管封装结构的仰视图。图4是本专利技术第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。权利要求1.一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管封装结构还包括一个形成于所述基板表面的挡墙结构， 该挡墙结构将基板表面分为分割为第一区域和第二区域两个部分，所述电极形成于所述基板表面，所述电极包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一发光二极管芯片、第一电极和第三电极的第一连接部位于挡墙结构的第一区域，所述第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部；第二发光二极管芯片、第二电极和第四电极的第二连接部位于挡墙结构的第二区域，所述第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第三电极和第四电极之间电连接，将所述第一电极和第二电极分别作为输入和输出电极，从而使得所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片之间形成串联连接。3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第三电极和第四电极之间电连接，将所述第一电极和第二电极作为输入电极，将所述第三电极和第四电极作为公共输出电极，使得所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片之间形成并联连接。4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极和第二电极分别位于所述基板相对较长方向的两端，所述第三电极和第四电极位于所述第一电极和第二电极之间。5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述基板包括上表面以及与所述上表面相对的下表面，所述第一电极、第二电极、第三电极及第四电极分别自所述基板的上表面延伸至所述下表面。6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述基板的上表面还形成有反射杯，所述反射杯环绕所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和挡墙结构，所述挡墙结构的两端分别与该反射杯相连接，所述反射杯的内表面为反射面。7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述挡墙结构朝向第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的表面为反射面，所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发出的部分光线经过所述反射杯和所述挡墙结构反射出所述发光二极管封装结构。8.如权利要求1至7项任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述发光二极管封装结构还包括至少一个稳压装置，该稳压装置与所述第一发光二极管芯片或者第二发光二极管反向并联。9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述稳压装置为稳压二极管且数量为二，所述稳压装置以覆晶的方式分别设于所述第一电极和第三电极及所述第二电极和第四电极之间。10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述稳压装置由磊晶掺杂、扩散掺杂或者离子布植的方式形成，该稳压装置分别位于所述第一电极和第三电极及所述第二电极和第四电极之间。全文摘要一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片。所述电极形成于所述基板表面，包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极。还包括一个形成于所述基板表面的挡墙结构，挡墙结构将第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片分隔于其两侧。第一电极位于第一发光二极管芯片一侧，第三电极至少有一第一连接部位于第一发光二极管芯片一侧，第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部。第二电极位于第二发光二极管芯片一侧，第四电极至少有一第二连接部位于第二发光二极管芯片一侧，第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部。文档编号H01L25/075GK103000782SQ201110269169公开日2013年3月27日 申请日期2011年9月13日 优先权日2011年9月13日专利技术者罗杏芬 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管封装结构还包括一个形成于所述基板表面的挡墙结构，该挡墙结构将基板表面分为分割为第一区域和第二区域两个部分，所述电极形成于所述基板表面，所述电极包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一发光二极管芯片、第一电极和第三电极的第一连接部位于挡墙结构的第一区域，所述第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部；第二发光二极管芯片、第二电极和第四电极的第二连接部位于挡墙结构的第二区域，所述第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗杏芬，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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