本发明专利技术提供一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光处理背电极方法，此技术方法包括玻璃、第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、激光退火处理、与第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层。本发明专利技术可将基材型硅薄膜薄膜太阳能电池的背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术关於一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光处理背电极技术方法，其目的系将基材型硅薄膜太阳能的背电极金属薄膜表面平整化，以提升薄膜太阳能电池效率。
技术介绍
目前，业界关於基材型微晶硅薄膜太阳能电池的背电极，其金属层薄膜在镀膜后并无任何的处理，但如此缺点是微晶硅薄膜在背电极上不易形成大晶粒的结构。微晶硅薄膜成长於基材型太阳能电池的背电极时，对於背电极膜面的平整程度相当敏感，完全平坦的背电极膜面虽易形成大晶粒的微晶硅薄膜，但由於反射率过高会导致吸收变小转换效率 较低；相对的薄膜表面过於粗糙的背电极虽然吸收较高，但微晶硅薄膜沉积时却不易形成大晶粒的结构。
技术实现思路
本专利技术关於一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法，此技术方法包括玻璃、第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、激光退火处理、与第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层薄膜。本专利技术可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。具体实施方示兹将本专利技术配合附图，详细说明如下请参阅第一图，为本专利技术之动作流程方块示意图。由图中可知，先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层薄膜。请参阅第二图，第二图是薄膜沉积前之玻璃示意图。图中为薄膜沉积前之玻璃I。请参阅第三图，第三图是玻璃上沉积第一透明导电层薄膜之示意图。即在玻璃I上沉积上第一透明导电层薄膜2。请参阅第四图，第四图是在第一透明导电层薄膜上沉积第一金属层薄膜之示意图。即在第一透明导电层薄膜2上接著沉积第一金属层薄膜3。请参阅第五图，第五图是在第一金属层薄膜上沉积第二金属层薄膜之示意图。即在第一金属层薄膜3上沉积第二金属层薄膜4。请参阅第六图，第六图为激光退火第二金属层薄膜之示意图。激光器61所发出的激光62,在经过透镜63后发散成激光64,激光64的能量会在第二金属层薄膜4的表面退火，使得第二金属层薄膜4的表面平整化。请参阅第七图，第七图是激光器在第二金属层上X-Y轴平面的行进动线。激光器61会在第二金属层薄膜4的表面上，沿著激光器行进动线65移动，使其在第二金属层薄膜4上整面完成退火，使得第二金属层薄膜4的整面膜面表面平整化。请参阅第八图，第八图是激光退火第二金属层后薄膜表面平整化之示意图。请参阅第九图，第九图是在表面平整化的第二金属层上沉积第二透明导电层之示意图。即在平整化后的第二金属层薄膜4上沉积第二透明导电层5。附图说明 下面结合附图与实施例对本专利技术进一步说明。第一图是本专利技术之动作流程方块示意图。第二图是薄膜沉积前之玻璃示意图。第三图是玻璃上沉积第一透明导电层薄膜之示意图。第四图是在第一透明导电层薄膜上沉积第一金属层薄膜之示意图。第五图是在第一金属层薄膜上沉积第二金属层薄膜之示意图。第六图为激光退火第二金属层薄膜之示意图。第七图是激光器在第二金属层上X-Y轴平面的行进动线。第八图是激光退火第二金属层后薄膜表面平整化之示意图。第九图是在表面平整化的第二金属层上沉积第二透明导电层之示意图。主要元件符号说明I…玻璃2...第一透明导电层薄膜3...第一金属层薄膜4.第二金属层薄膜5...第二透明导电层薄膜61...激光器62…激光63...光学透镜64...发散的激光65...激光器行进动线权利要求1.一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法，此技术方法包括玻璃、第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、激光退火处理、与第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层薄膜。本专利技术可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。2.根据权利要求1所述的一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法，，其中该第一透明导电层薄膜，薄膜材料涵盖铟锡氧化物(Indium TimOxide)、招锋氧化物(Aluminum Zinc Oxide)、二氧化锡(Sn02:F)与嫁锋氧化物(GalliumZinc Oxide)。3.根据权利要求1所述的一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法，其中该第二透明导电层薄膜，薄膜材料涵盖铟锡氧化物(Indium Tim Oxide)、招锋氧化物(Aluminum Zinc Oxide)、二氧化锡(Sn02:F)与嫁锋氧化物(Gallium ZincOxide)。4.根据权利要求1所述的一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法，其中该第一金属层薄膜，薄膜材料涵盖钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)与铝(Al)。5.根据权利要求1所述的一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法，其中该第二金属层薄膜，薄膜材料涵盖钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)与铝(Al)。全文摘要本专利技术提供一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光处理背电极方法，此技术方法包括玻璃、第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、激光退火处理、与第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层。本专利技术可将基材型硅薄膜薄膜太阳能电池的背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。文档编号B23K26/00GK103000746SQ20111022940公开日2013年3月27日 申请日期2011年8月11日 优先权日2011年8月11日专利技术者陈宏昌, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种可提升基材型硅薄膜太阳能电池效率的激光退火处理背电极方法，此技术方法包括玻璃、第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、激光退火处理、与第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序沉积第一透明导电层薄膜、第一金属层薄膜、第二金属层薄膜、以激光处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后沉积第二透明导电层薄膜。本专利技术可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏昌，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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