用于产生具有银（Ag）基间隙的闪烁体阵列的方法技术

一种方法包括获得多个氧硫化钆的二维阵列。阵列具有在探测器像元的行或列之间延伸的较宽宽度的非银基间隙（304），和在探测器像元的行或列中的另一个之间延伸的较窄宽度的非银基间隙（306）。该方法还包括向该阵列的顶部表面或底部表面中的至少一个施加银涂层（312）。该方法还包括通过利用相邻阵列之间的基本相等的粘合剂层重叠地（附图3B）堆积涂有银的阵列，来形成堆栈。该方法还包括经由较宽的非银基间隙将该堆栈进行切片，从而形成闪烁体探测器像元的二维阵列（314），其具有沿所述阵列的至少一个方向的银基间隙（312）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术基本涉及闪烁体，具体而言涉及一种产生具有沿着闪烁体阵列的至少一个方向的银(Ag)基间隙的闪烁体阵列的方法。该闪烁体阵列能够用于诸如计算机断层摄影 (CT)、X射线和/或其他成像模态的各种成像模态。
技术介绍
计算机断层摄影(CT)系统包括围绕检查区域旋转并且发射辐射穿透该检查区域的辐射源，以及探测穿透该检查区域的辐射的辐射敏感探测器阵列。该探测器阵列已包括耦合至光电传感器阵列的闪烁体阵列。该闪烁体阵列接收辐射并且将其转换为指示该辐射的光，而光电传感器阵列接收该光并且产生指示其的电信号。能够将该信号重建以生成指示置于该检查区域中被扫描的对象或受试者的体积图像数据。常规闪烁体阵列已经包括由反射间隙隔离的闪烁体探测器像元(dixel)的阵列。用于特定探测器像元的间隙将该探测器像元中产生的光引导至光电传感器阵列的对应光接收区域并且减少探测器像元间的(光学)串扰。传统上，如此间隙由通过将二氧化钛 (TiO2)颜料散布在适当的环氧树脂中形成的白散射合成材料组成。能够通过降低探测器像元尺寸来增加探测器阵列的空间分辨率，但是然后通常期望按比例降低白间隙的厚度，从而保持该探测器阵列的辐射QDE (量子探测效率)。不幸的是，较薄的TiO2基间隙相对于较厚的TiO2基间隙具有较低的反射率，并且这将降低辐射吸收效率并增加探测器像元间的串扰。由明亮的银(Ag)生成的非常薄的隔膜能够提供足够的反射率并且充分降低探测器像元间的串扰。该隔膜能够通过如下方式形成在平的闪烁体阵列的平滑的表面上即在该表面上印刷纳米微粒银墨水，之后使墨水退火，退火使其表面平滑，移除斑点 (stippling)并形成具有高反射率的明亮涂层。然后，能够将多个这种阵列堆积粘合成块状，然后将其切片成具有非常薄的银间隙的阵列。但是，上述过程不是很适合于GOS(Gd2C)2S 或者氧硫化钆)闪烁体，因为切片过程引起GOS闪烁体表面层的机械损伤。能够通过在 7000C (摄氏度)以上的温度使切片退火来修复该损伤。不幸的是，这样的温度将损坏并破坏将阵列保持在一起的胶水。
技术实现思路
本专利技术的各方面解决了上述问题及其他问题。根据一方面，一种方法包括获得多个氧硫化钆的二维阵列。阵列具有在探测器像元的行或列之间延伸的较宽宽度的非银基间隙(spacer)和在探测器像元的行或列中的另一个之间延伸的较窄宽度的非银基间隙。该方法还包括向该阵列的顶部表面或底部表面中的至少一个施加银涂层。该方法还包括通过利用相邻层之间的基本相等的粘合剂薄层重叠地堆积涂有银的阵列，来形成堆栈。该方法还包括经由较宽的非银基间隙将该堆栈进行切片，从而形成闪烁体探测器像元的二维阵列，其具有沿着该阵列至少一个方向的银基间隙。在另一方面，一种方法包括利用相邻层之间的基本相等的粘合剂薄层重叠地堆积涂有银的阵列。该粘合剂经得住上至850°C的温度。该方法还包括将堆栈基本垂直于阵列进行切片。该方法还包括机械地平整和平滑堆栈切片并向其施加明亮的银涂层。该方法还包括利用相邻层之间的基本相等的高温粘合剂薄层重叠地堆积涂有银的切片。该方法还包括将涂有银的堆栈基本垂直于涂有银的切片进行切片，以形成闪烁体的二维阵列，其具有沿着该阵列的探测器像元的行和列延伸的银基间隙。该方法还包括在700-850°C的范围的温度下使该阵列退火。在另一方面，一种方法包括获得多个氧硫化钆的二维阵列。该阵列含有具有在探测器像元的行或列之间延伸的第一较宽宽度的第一非银基间隙和具有在探测器像元的行或列中的另一个之间延伸的第二较窄宽度的第二非银基间隙。该方法还包括移除在该阵列的外表面上的任何反射材料。该方法还包括机械平整和平滑该阵列的顶部表面和底部表面。该方法还包括向该阵列的至少一个侧面施加银涂层，并且使该银涂层干燥并退火，从而形成明亮的银涂层。该方法还包括利用相邻层之间的基本相等的粘合剂层重叠地堆积涂有银的阵列。该方法还包括将该堆栈压缩到预定厚度。该方法还包括在经压缩的堆栈的侧面挤出过剩的粘合剂，留下非常薄的粘合剂层。该方法还包括使该粘合剂固化。该方法还包括经由较宽的反射间隙将该堆栈进行切片。该方法还包括移除在切片的切割侧面上的残留的非银间隙，从而形成闪烁体探测器像元的二维阵列，其具有在该闪烁体探测器像元的二维阵列的各层之间的银基间隙。本领域技术人员在阅读并理解说明书后将能领会本专利技术的另外方面。附图说明本专利技术能够实现为各种部件和各种组件的布置，以及各种步骤和各种步骤的安排。附图仅用于说明优选实施例，而不应解释为限制本专利技术。图I示出了带有包括二维探测器阵列的示例成像系统，该阵列具有沿着闪烁体阵列的至少一个方向的银基间隙。图2和图3示出了用于产生具有沿着一个方向的银基间隙的二维闪烁体阵列的方法。图4至图10示出了用于产生具有沿着多个方向的银基间隙的二维闪烁体阵列的方法。具体实施方式图I示出了成像系统100，例如计算机断层摄影(CT)系统，其包括固定机架部分 102和旋转机架部分104。旋转机架部分104由固定机架部分102可旋转地支撑并且被配置成关于纵轴或z轴周围的检查区域106旋转。旋转机架部分104支撑X射线源108，例如 X射线管，其随着旋转机架部分104关于检查区域106旋转并且发射穿透检查区域106的辐射。辐射敏感探测器阵列110包括多个闪烁体阵列112，每个闪烁体阵列光耦合至光电传感器阵列114。每个闪烁体阵列112探测穿透检查区域106的辐射并且产生指示所探测的辐射的光信号，而光电传感器阵列114接收光并且产生指示光的并且因此指示所探测的辐射的信号。在所图示出的实施例中，闪烁体阵列112包括多个行116的闪烁体探测器像元118。探测器像元118的各行116由间隙120隔离，并且沿着每行116的各个探测器像元118由间隙122隔离。间隙120和122包括反射材料。相对于间隙120和/或122不包括反射材料的配置，该反射材料促进将由探测器像元118产生的光引向光电传感器阵列 114的对应的光感测区域，和/或降低探测器像元间的(光学)串扰。适当的反射材料可以包括但不局限于白色的散射复合物，例如散布在透明树脂中的TiO2粉末，并且可以包括明亮的反射镜(miiror)，以及例如形成在光滑表面上的银(Ag)。在一个实施例中，探测器阵列110被配置为高分辨率探测器并具有相对小的闪烁体探测器像元118。非限制性示例的探测器像元118的几何结构大约是O. 75至I. 25mm乘以O. 75至I. 25mm乘以I. 3至2. Omm的厚度，例如O. 70mm乘以I. Imm乘以I. 3至2. Omm的厚度。当然，本文也预见到了包括更大和更小体积的其他几何结构、非立方体的几何结构等。在所图示出的实施例中，间隙120或122中的至少一个包括银，而(一个或多个)银基间隙具有在约10至75微米的范围、例如20至50微米或其他范围的宽度。非限制性示例的间隙包括厚度约为O. 5微米至5微米、例如O. 8至I. 3微米的明亮的银。在只有间隙120 或122中的一个包括银的情况下，非银基间隙120或122具有约65至135微米的范围、例如75至125微米或其他范围的宽度。重建器124重建由探测器阵列110产生的信号并且产生指示检查区域106中的对象或受试者的体积图像数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·莱韦内，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：
国别省市：