一种小尺寸低静态电流的上电复位电路制造技术

技术编号:8454783 阅读:212 留言:0更新日期:2013-03-21 23:38
本发明专利技术公开了一种小尺寸低静态电流的上电复位电路,由充电电路、低静态电流放电电路、电容、NMOS晶体管、以及整形电路构成。该电路不需要传统的RC延时复位电路中占用较大芯片面积的电阻和电容,能够减小占用芯片的面积。与其他非RC复位的电路相比,该电路复位完成后的静态电流仅由器件的泄漏电流引起,典型情况下的静态电流为皮安至纳安量级。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种小尺寸低静态电流的上电复位电路,其特征在于,至少包括:充电电路,电容C1,NMOS管N1,低静态电流放电电路,以及整形电路,其中整形电路的输出端作为上电复位电路的复位信号输出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:彭振飞苏强
申请(专利权)人:广州慧智微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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