一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管制造技术

本发明专利技术涉及一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管，由控制栅电极(7)、调节栅电极(5)、源区(1)、漏区(3)、沟道区(2)、控制栅介质层(6)和调节栅介质层(4)组成，成轴对称：调节栅电极位于中心；沟道区及其两侧的源区和漏区与调节栅电极通过调节栅介质层电隔离，并同轴全套入调节栅电极；沟道区、源区和漏区的总长度与调节栅电极和调节栅介质层的长度都相等；控制栅电极与沟道区通过控制栅介质电隔离，并同轴全套入沟道区；控制栅电极、控制栅介质层和沟道区的长度都相等。这种场效应晶体管，具有两个电学上不连通的栅电极，在尺寸缩小中提高了器件综合性能，为低功耗集成电路提供了一种低工艺成本的备选方案。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管，其特征在于，由控制栅电极(7)、调节栅电极(5)、源区(1)、漏区(3)、沟道区(2)、控制栅介质层(6)和调节栅介质层(4)组成，成轴对称，其中：所述调节栅电极(5)位于中心；所述沟道区(2)及其两侧的所述源区(1)和漏区(3)与所述调节栅电极(5)通过所述调节栅介质层(4)电隔离，并同轴全套入所述调节栅电极(5)；所述沟道区(2)、所述源区(1)和漏区(3)的总长度与所述调节栅介质层(4)和所述调节栅电极(5)的长度都相等；所述控制栅电极(7)与所述沟道区(2)通过所述控制栅介质(6)电隔离，并同轴全套入所述沟道区(2)；所述控制栅电极(7)、控制栅介质层(6)和沟道区(2)的长度都相等。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何进，梅金河，张爱喜，朱小安，杜彩霞，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：