一种像素补偿电路制造技术

本发明专利技术提供一种像素补偿电路，包括第一开关，其第一端连接至数据信号，其控制端连接至扫描信号；第二开关，其第一端连接至参考电压，其控制端连接至开关信号；第三开关，其第一端连接至第一电压，其控制端连接至第一控制信号；第四开关，其第一端连接至第三开关的第二端；第五开关，其第一端连接至第四开关的第二端，其控制端连接至第二控制信号；以及有机发光二极管，其阳极连接至第五开关的第二端，其阴极连接至第二电压。采用本发明专利技术，利用独立的开关信号完成参考电压的写入，且通过一个完整的扫描信号低电平期间实现数据的写入，使得数据脉冲有足够的脉宽来实现高帧速率的驱动，进而改善面板显示不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种主动式矩阵有机发光二极管面板，尤其涉及该AMOLED面板的像素补偿电路。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)依驱动方式可分为被动式矩阵驱动(Passive Matrix OLED, PM0LED)和主动式矩阵驱动(Active Matrix OLED,AM0LED)两种。其中，PMOLED是当数据未写入时并不发光，只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计，主要适用于中小尺寸的显示器。AMOLED与PMOLED最大的差异是在于，每一像素都有一电容存储数据，让每一像素皆维持在发光状态。由于AMOLED耗电量明显小于PM0LED,加上其驱动方式适合发展大尺寸与高解析度的显示器，使得AMOLED成为未来发展的主要方向。在现有技术中，AMOLED的一种像素电路为2T (两个薄膜晶体管)IC (I个电容)架构。参照图1，第一薄膜晶体管的源极电性连接至一数据电压Vdata，其栅极电性连接至一扫描线Scan。第二薄膜晶体管的栅极电性连接至第一薄膜晶体管的漏极，第二薄膜晶体管的源极电性连接至一电压OVDD且与栅极之间包括一存储电容C，第二薄膜晶体管的漏极连接至一有机发光二极管的阳极，而该有机发光二极管的阴极电性连接至一电压OVSS。由于AMOLED面板上的电压OVDD于每个像素间都连接在一起，当驱动发光时，电压OVDD上会有电流流过。考虑到OVDD金属线本身具有阻抗，会有压降存在，造成每一像素的OVDD会出现差异，导致不同像素间存在电流差异。如此一来，流经OLED的电流不同，所产生的亮度也不同，进而AMOLED面板不均匀。另外，由于制程的影响，每一像素中的薄膜晶体管的阈值电压均不相同，即使提供相同数值的电压Vdata，其所产生的电流仍然会有差异，这也将造成面板不均匀。此外，如果采用像素补偿电路对上述电压进行补偿，大部分补偿电路又会受限于扫描时间太短而影响补偿效果。有鉴于此，如何设计一种用于AMOLED面板的像素补偿电路，以有效地改进或消除上述面板不均匀等诸多缺陷，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
技术实现思路
针对现有技术中的用于AMOLED面板的像素补偿电路所存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种新颖的像素补偿电路。依据本专利技术的一个方面，提供了一种像素补偿电路，包括一第一开关，所述第一开关的第一端电性连接至一数据信号，所述第一开关的控制端电性连接至一扫描信号；一第二开关，所述第二开关的第一端电性连接至一参考电压，所述第二开关的控制端电性连接至一开关信号，所述第二开关的第二端电性连接至所述第一开关的第二端；一第三开关，所述第三开关的第一端电性连接至一第一电压，所述第三开关的控制端电性连接至一第一控制信号，所述第三开关的第二端与第一端之间包括一第一电容；一第四开关，所述第四开关的第一端电性连接至所述第三开关的第二端，所述第四开关的控制端电性连接至所述第一开关的第二端，所述第四开关的第一端与控制端之间包括一第二电容；一第五开关，所述第五开关的第一端电性连接至所述第四开关的第二端，所述第五开关的控制端电性连接至一第二控制信号；以及一有机发光二极管，其阳极电性连接至所述第五开关的第二端，其阴极电性连接至一第二电压。优选地，第一开关、第二开关、第三开关、第四开关以及第五开关均为一薄膜晶体管。优选地，开关信号依次包括一复位期间、一电压补偿期间和一数据写入期间，其中，所述复位期间和所述电压补偿期间是可调节的。优选地，在所述复位期间内，所述开关信号为一低电平信号，所述扫描信号为一高电平信号，所述第一控制信号为一低电平信号，且所述第二控制信号为一高电平信号。优选地，在所述电压补偿期间，所述开关信号为一低电平信号，所述扫描信号为一高电平信号，所述第一控制信号为一高电平信号，且所述第二控制信号为一低电平信号。优选地，在所述数据写入期间，所述开关信号为一高电平信号，所述扫描信号为一低电平信号，所述第一控制信号为一高电平信号，且所述第二控制信号为一高电平信号。依据本专利技术的另一个方面，提供了一种像素补偿电路，包括一第一开关，所述第一开关的第一端电性连接至一数据信号，所述第一开关的控制端电性连接至一扫描信号；一第二开关，所述第二开关的第一端电性连接至一参考电压，所述第二开关的控制端电性连接至一开关信号，所述第二开关的第二端电性连接至所述第一开关的第二端；一第三开关，所述第三开关的第一端电性连接至一第一电压，所述第三开关的控制端电性连接至一第一控制信号，所述第三开关的第二端与第一端之间包括一第一电容；一第四开关，所述第四开关的第一端电性连接至所述第三开关的第二端，所述第四开关的控制端电性连接至所述第一开关的第二端，所述第四开关的第一端与控制端之间包括一第二电容；以及一有机发光二极管，其阳极电性连接至所述第四开关的第二端，其阴极电性连接至一第二电压。优选地，开关信号依次包括一复位期间、一电压补偿期间和一数据写入期间，其中，所述复位期间和所述电压补偿期间是可调节的。优选地，在复位期间内，所述开关信号为一低电平信号，所述扫描信号为一高电平信号，所述第一控制信号为一低电平信号。优选地，在电压补偿期间，该开关信号为一低电平信号，所述扫描信号为一高电平信号，所述第一控制信号为一高电平信号。采用本专利技术的像素补偿电路，设置一第二开关，并将其第一端电性连接至一参考电压且将其控制端电性连接至一开关信号，从而利用该独立的开关信号来完成参考电压的写入，并且通过一个完整的扫描信号低电平期间来实现数据的写入，使得数据脉冲有足够的脉宽来实现高帧速率的驱动，进而改善面板显示不均匀的问题。附图说明读者在参照附图阅读了本专利技术的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本专利技术的各个方面。其中，图I示出液晶面板中的像素补偿电路的基础原理图；图2示出现有技术中的一种像素补偿电路采用“4T2C”架构的原理示意图；图3示出图2中的像素补偿电路的关键信号的时序示意图；图4示出现有技术中的另一像素补偿电路采用“3T2C”架构的原理示意图；图5示出图4中的像素补偿电路的关键信号的时序示意图；图6示出依据本专利技术的一实施方式的像素补偿电路的结构示意图；图7示出图6中的像素补偿电路的关键信号的时序示意图；图8示出依据本专利技术的另一实施方式的像素补偿电路的结构示意图；以及图9示出图8中的像素补偿电路的关键信号的时序示意图。具体实施例方式为了使本申请所揭示的
技术实现思路
更加详尽与完备，可参照附图以及本专利技术的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本专利技术所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。下面参照附图，对本专利技术各个方面的具体实施方式作进一步的详细描述。图I示出液晶面板中的像素补偿电路的基础原理图。参照图1，基础的像素补偿电路为一“2T1C”架构，这里的2T即薄膜晶体管Tll和薄膜晶体管T12，IC即为薄膜晶体管T12的栅极与源极之间所跨接的存储电容Cl。亦即，术语“mTnC”表示薄膜晶体管的数目为m,存储电容的数目为n, m、n均为自然数。其中，薄膜晶体管Tll的栅极电性连接至一扫描信号Sca本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素补偿电路，其特征在于，所述像素补偿电路包括：一第一开关，所述第一开关的第一端电性连接至一数据信号，所述第一开关的控制端电性连接至一扫描信号；一第二开关，所述第二开关的第一端电性连接至一参考电压，所述第二开关的控制端电性连接至一开关信号，所述第二开关的第二端电性连接至所述第一开关的第二端；一第三开关，所述第三开关的第一端电性连接至一第一电压，所述第三开关的控制端电性连接至一第一控制信号，所述第三开关的第二端与第一端之间包括一第一电容；一第四开关，所述第四开关的第一端电性连接至所述第三开关的第二端，所述第四开关的控制端电性连接至所述第一开关的第二端，所述第四开关的第一端与控制端之间包括一第二电容；一第五开关，所述第五开关的第一端电性连接至所述第四开关的第二端，所述第五开关的控制端电性连接至一第二控制信号；以及一有机发光二极管，其阳极电性连接至所述第五开关的第二端，其阴极电性连接至一第二电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张华罡，刘立伟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：