【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蓝宝石晶体生长炉的加工制造，尤其是一种蓝宝石晶体生长炉坩埚至JHL O
技术介绍
蓝宝石的KY工艺晶体生长属于一种定向凝固技术，需要有一定的轴向温度梯度和径向温度梯度，在晶体尺寸较小时，径向温度梯度对于晶体生长的影响较小。而如今，随着LED行业在国内的蓬勃发展，蓝宝石晶体生长都在走向大尺寸，晶体重量超过90kg，直径超过280_，晶体高度超过350_。此时在晶体生长的过程中，径向的温度梯度直接决定着所生长晶体的质量。在现有的KY工艺中，有两种炉型，一种是以俄系设备为代表的晶体生长炉，使用钨钥隔热屏和鸟笼发热体。另一种是以美国TT公司推出的Kl系统为代表的晶体生长炉，使用钨钥隔热屏，钨丝网发热体和三段发热体控温。但是由于两种设备都采用大尺寸纟甘祸，可生长90kg左右的晶淀，晶体生长的质量大不如小尺寸晶体如20kg和35kg晶体，其原因就是轴向温度梯度可以很好的控制，但是径向温度梯度调节能力差，晶体生长过程中外形尺寸不易控制，给初学者的操作带来一定的难度。不利于初学者掌握其晶体生长工艺。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种新型蓝宝石晶体生长炉坩埚盖，用于调节晶体生长的径向温度梯度。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为一种新型蓝宝石晶体生长炉坩埚盖，由若干层同心圆环组成，其特征在于，所述同心圆环单层厚度为Imm至5mm，同心圆环内径逐渐扩大，内环直径从下而上依次从50mm扩大至200mm,所述相'祸盖外径200mm至400mm。上述一种新型蓝宝石晶体生长炉坩埚盖，其特征在于，所述同心圆环堆叠放置，共同构成坩埚盖，可视实验结果...
【技术保护点】
一种新型蓝宝石晶体生长炉坩埚盖，由若干层同心圆环组成，其特征在于，所述同心圆环单层厚度为1mm至5mm，同心圆环内径逐渐扩大，内环直径从下而上依次从50mm扩大至200mm，所述坩埚盖外径200mm至400mm。
【技术特征摘要】
1.一种新型蓝宝石晶体生长炉坩埚盖，由若干层同心圆环组成，其特征在于，所述同心圆环单层厚度为Imm至5mm,同心圆环内径逐渐扩大，内环直径从下而上依次从50mm扩大至200mm,所述樹祸盖外径200mm至400mm。2.根据权利要求I所述的一种新型蓝宝石晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：滑喜宝，
申请(专利权)人：苏州工业园区杰士通真空技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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