一种电荷泵电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电荷泵电路，该电路包括：PNP型第一双极型晶体管（P1）、第二双极型晶体管（P2）、第三双极型晶体管（P3）、第四双极型晶体管（P4），NPN型第五双极型晶体管（N5）、第六双极型晶体管（N6）、第七双极型晶体管（N7）、第八双极型晶体管（N8），第一电阻（R1），第二电阻（R2），第三电阻（R3），第四电阻（R4），恒流源（JI），第一电压源（JV1），第二电压源（JV2），P型MOS管（MP1）和N型MOS管（MN1）。本实用新型专利技术的有益效果是：这种电路结构，减小了电荷传导时间，提高了速度；可以使输入电压有更大的输出变化范围。?（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电荷栗电路，尤其是一种适用于闻速开关电路中的闻速、闻输出电压范围的电荷泵电路。
技术介绍
电荷泵，也称为开关电容式电压变换器，它能使输入电压升高或降低，也可以用于产生负电压。它是开关电路中常用到的电路。在一些高速开关电路中，要求电荷泵的速度 一般较高，而且相应速度要求较快。现有技术的电荷泵是通过其内部的FET开关阵列以一定方式控制快速电容器的充电和放电，从而使输入电压以一定因数(O. 5，2或3)倍增或降低，从而得到所需要的输出电压。这种结构的电荷泵电路相应速度较慢，满足不了现代高速开关电路对高速电荷泵电路的要求，对电压升高和降低的比例满足不了现在电路的要求。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于针对上述存在的问题，提供一种快速动作的电荷泵。本技术采用的技术方案是这样的一种电荷泵电路，该电路包括PNP型第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第四双极型晶体管，NPN型第五双极型晶体管、第六双极型晶体管、第七双极型晶体管、第八双极型晶体管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，恒流源，第一电压源，第二电压源，P型MOS管和N型MOS管。所述第一双极型晶体管的源极通过第一电阻连接双极型正电压，集电极与第二双极型晶体管的基极连接，基极与第二双极型晶体管的源极和第三双极型晶体管的基极连接。所述第二双极型晶体管的集电极接地。所述第三双极型晶体管的源极通过第二电阻连接双极型正电压，集电极与第四双极性晶体管的源极和N型MOS管的漏极连接。所述第四双极型晶体管的集电极连接输出端，基极通过第一电压源与双极型正电压连接；所述第一电压源的正极端连接双极型正电压，负极端连接第四双极型晶体管的基极。所述N型MOS管的源极接地，栅极接第一输入端。所述第五双极型晶体管的集电极连接双极型正电压，基极连接第六双极型晶体管的集电极，源极分别与第六双极型晶体管的基极和第八双极型晶体管的基极连接。所述第六双极型晶体管的源极通过第三电阻接地。所述第七双极型晶体管的集电极连接输出端，源极分别与第八双极型晶体管的集电极和P型MOS管的漏极连接，基极通过第二电压源接地；所述第二电压源的正极端连接第七双极型晶体管的基极，负极端接地。所述第八双极型晶体管的源极通过第四电阻接地。所述P型MOS管的源极连接MOS正电压，栅极连接第二输入端。所述恒流源的一端连接第一双极型晶体管的集电极和第二双极型晶体管的基极，另一端连接第五双极型晶体管的基极和第六双极型晶体管的集电极。作为优选，所述第一双极型晶体管和第三双极型晶体管为参数相同的双极性晶体管。作为优选，所述第二双极型晶体管和第四双极型晶体管为参数相同的双极性晶体管。作为优选，所述第五双极型晶体管和第七双极型晶体管为参数相同的双极性晶体管。作为优选，所述第六双极型晶体管和第八双极型晶体管为参数相同的双极性晶体管。作为优选，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻为参数相同的电阻。作为优选，所述第一电压源和第二电压源为参数相同的电压源。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是这种电路结构，·减小了电荷传导时间，提高了速度；可以使输入电压有更大的输出变化范围。附图说明图I是本技术电荷泵电路的电路原理图。具体实施方式以下结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图I所示，是本技术电荷泵电路的电路原理图。一种电荷泵电路，该电路包括四只PNP型双极型晶体管、四只NPN型双极型晶体管、两个电压源、一个恒流源、四只电阻、N型MOS管和P型MOS管。其中四只PNP型双极型晶体管分别为PNP型第一双极型晶体管P1、第二双极型晶体管P2、第三双极型晶体管P3、第四双极型晶体管P4 ;四只NPN型双极型晶体管分别为第五双极型晶体管N5、第六双极型晶体管N6、第七双极型晶体管N7、第八双极型晶体管NS ;四只电阻分别为第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4;两只电压源分别为第一电压源JV1，第二电压源JV2。上述各个电子元器件之间的连接关系为第一双极型晶体管Pl的源极通过第一电阻Rl连接双极型正电压Vcc，集电极与第二双极型晶体管P2的基极连接，基极与第二双极型晶体管P2的源极和第三双极型晶体管P3的基极连接；所述第二双极型晶体管P2的集电极接地；所述第三双极型晶体管P3的源极通过第二电阻R2连接双极型正电压Vcc，集电极与第四双极性晶体管P4的源极和N型MOS管丽I的漏极连接；所述第四双极型晶体管P4的集电极连接输出端01，基极通过第一电压源JVl与双极型正电压Vcc连接；所述第一电压源JVl的正极端连接双极型正电压Vcc，负极端连接第四双极型晶体管P4的基极；所述N型MOS管MNl的源极接地，栅极接第一输入端Il ;所述第五双极型晶体管N5的集电极连接双极型正电压Vcc，基极连接第六双极型晶体管N6的集电极，源极分别与第六双极型晶体管N6的基极和第八双极型晶体管NS的基极连接；所述第六双极型晶体管N6的源极通过第三电阻R3接地；所述第七双极型晶体管N7的集电极连接输出端01，源极分别与第八双极型晶体管NS的集电极和P型MOS管MPl的漏极连接，基极通过第二电压源JV2接地；所述第二电压源JV2的正极端连接第七双极型晶体管N7的基极，负极端接地；所述第八双极型晶体管NS的源极通过第四电阻R4接地；P型MOS管MPl的源极连接MOS正电压Vdd，栅极连接第二输入端12 ;恒流源JI的一端连接第一双极型晶体管Pl的集电极和第二双极型晶体管P2的基极，另一端连接第五双极型晶体管N5的基极和第六双极型晶体管P6的集电极。在上述的电路中，所述第一双极型晶体管Pl和第三双极型晶体管P3为参数相同的双极性晶体管。在上述的电路中，所述第二双极型晶体管P2和第四双极型晶体管P4为参数相同的双极性晶体管。在上述的电路中，所述第五双极型晶体管N5和第七双极型晶体管N7为参数相同的双极性晶体管。在上述的电路中，所述第六双极型晶体管N6和第八双极型晶体管N8为参数相同的双极性晶体管。在上述的电路中，所述第一电阻Rl、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4为参数相同的电阻。在上述的电路中，第一电压源JVl和第二电压源J2为参数相同的电压源。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种电荷泵电路，其特征在于，该电路包括PNP型第一双极型晶体管(P1)、第二双极型晶体管(P2)、第三双极型晶体管(P3)、第四双极型晶体管(P4)，NPN型第五双极型晶体管(N5)、第六双极型晶体管(N6)、第七双极型晶体管(N7)、第八双极型晶体管(N8)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)，第四电阻(R4)，恒流源(JI)，第一电压源(JV1)，第二电压源(JV2)，P 型 MOS 管(MPl)和 N 型 MOS 管(MNl); 所述第一双极型晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电荷泵电路，其特征在于，该电路包括：PNP型第一双极型晶体管（P1）、第二双极型晶体管（P2）、第三双极型晶体管（P3）、第四双极型晶体管（P4），NPN型第五双极型晶体管（N5）、第六双极型晶体管（N6）、第七双极型晶体管（N7）、第八双极型晶体管（N8），第一电阻（R1），第二电阻（R2），第三电阻（R3），第四电阻（R4），恒流源（JI），第一电压源（JV1），第二电压源（JV2），P型MOS管（MP1）和N型MOS管（MN1）；所述第一双极型晶体管（P1）的源极通过第一电阻（R1）连接双极型正电压（Vcc），集电极与第二双极型晶体管（P2）的基极连接，基极与第二双极型晶体管（P2）的源极和第三双极型晶体管（P3）的基极连接；所述第二双极型晶体管（P2）的集电极接地；所述第三双极型晶体管（P3）的源极通过第二电阻（R2）连接双极型正电压（Vcc），集电极与第四双极性晶体管（P4）的源极和N型MOS管（MN1）的漏极连接；所述第四双极型晶体管（P4）的集电极连接输出端（O1），基极通过第一电压源（JV1）与双极型正电压（Vcc）连接；所述第一电压源（JV1）的正极端连接双极型正电压（Vcc），负极端连接第四双极型晶体管（P4）的基极；所述N型MOS管（MN1）的源极接地，栅极接第一输入端（I1）；所述第五双极型晶体管（N5）的集电极连接双极型正电压（Vcc），基极连接第六双极型晶体管（N6）的集电极，源极分别与第六双极型晶体管（N6）的基极和第八双极型晶体管（N8）的基极连接；所述第六双极型晶体管（N6）的源极通过第三电阻（R3）接地；所述第七双极型晶体管（N7）的集电极连接输出端（O1），源极分别与第八双极型晶体管（N8）的集电极和P型MOS管（MP1）的漏极连接，基极通过第二电压源（JV2）接地；所述第二电压源（JV2）的正极端连接第七双极型晶体管（N7）的基极，负极端接地；?所述第八双极型晶体管（N8）的源极通过第四电阻（R4）接地；P型MOS管（MP1）的源极连接MOS正电压（Vdd），栅极连接第二输入端（I2）；恒流源（JI）的一端连接第一双极型晶体管（P1）的集电极和第二双极型晶体管（P2）的基极，另一端连接第五双极型晶体管（N5）的基极和第六双极型晶体管（P6）的集电极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴勇，王纪云，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：