四方扁平无引脚的MOS封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，包括MOSFET芯片、环氧树脂层，所述MOSFET芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括第一导电焊盘、第二导电焊盘和第三导电焊盘，第三导电焊盘位于MOSFET芯片一侧，所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间；一金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。本实用新型专利技术MOS封装结构有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及MOSFET芯片
，具体涉及一种四方扁平无引脚的MOS封装结构。
技术介绍
随着电子制造技术的快速发展，消费电子产品越来越向小型、便携的趋势发展，这也导致了这些电子产品的内部能够用于布置电学元件的空间变得越来越有限。在此情况下，采用的电学元件势必越薄越好，这也成为了目前电子元件制造也的发展趋势。四方扁平 无引脚封装(QFN)工艺恰好可以满足这一需求。附图I所示是现有技术中一种典型的QFN封装结构的剖面示意图，包括芯片900，散热片920、引线框架930、多个导线940，以及包裹上述结构的绝缘胶950。芯片900粘附在散热片920上，引线框架930具有多个相互绝缘的管脚，芯片900表面的焊盘通过导线940连接在引线框架93。相应的管脚上。绝缘胶950将上述结构全部包裹起来，以将其同外界隔离，仅将引线框架930的各个管脚和散热片920与芯片900相对的表面暴露在空气中。引线框架930暴露出来的管脚用于实现被封装的芯片900同外界的电学连接，而散热片920暴露出来的作用在于将芯片900工作时产生的热量通过暴露的表面散发到环境中去。
技术实现思路
本技术目的是提供一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，此MOS封装结构有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，包括MOSFET芯片、环氧树脂层，所述MOSFET芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于还包括第一导电焊盘、第二导电焊盘和第三导电焊盘，第三导电焊盘位于MOSFET芯片一侧，所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间；一金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。上述技术方案中进一步改进的方案如下I、上述方案中，所述铝导体带宽厚比为I :10 15。2、上述方案中，所述第一导电焊盘的引脚区由至少四根源极引脚组成。3、上述方案中，所述第二导电焊盘的引脚区由一根栅极引脚组成。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点和效果I、本技术所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间通过铝导体带电连接，这种结构设计从而有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。2、本技术MOS封装结构中第一导电焊盘的引脚区由若干个相间排列的源极引脚组成，充分考虑到MOSFET芯片源极相对栅极电流大的差异，从而有利于减少热量的产生，并进一步提闻了电性能指标。附图说明图I为现有技术结构示意图；图2为本技术功率MOSFET芯片的封装体结构示意图；图3为附图2中沿A-A线的剖视图。以上附图中I、MOSFET芯片；2、环氧树脂层；3、第三导电焊盘；4、第一导电焊盘；5、第二导电焊盘；6、金属线；7、焊接区；8、引脚区；9、铝导体带。·具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步描述实施例一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，包括MOSFET芯片I、环氧树脂层2，所述MOSFET芯片I上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，还包括第一导电焊盘4、第二导电焊盘5和第三导电焊盘3，第三导电焊盘3位于MOSFET芯片I 一侧，所述第一导电焊盘7和第二导电焊盘8位于MOSFET芯片I另一侧，第一导电焊盘4和第二导电焊盘5均包括焊接区7和引脚区8 ;一铝导体带9跨接于所述MOSFET芯片I的源极与第一导电焊盘4的焊接区7之间；一金属线6跨接于所述MOSFET芯片I的栅极与第二导电焊盘5的焊接区7之间。上述铝导体带9宽厚比为I :10 15。上述第一导电焊盘4的引脚区由至少四根源极引脚组成。上述第二导电焊盘5的引脚区由一根栅极引脚组成。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，包括MOSFET芯片(I)、环氧树脂层(2)，所述MOSFET芯片(I)上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于还包括第一导电焊盘(4)、第二导电焊盘(5)和第三导电焊盘(3)，第三导电焊盘(3)位于MOSFET芯片(I) 一侦牝所述第一导电焊盘(7)和第二导电焊盘(8)位于MOSFET芯片(I)另一侧，第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)均包括焊接区(7)和引脚区(8);—铝导体带(9)跨接于所述MOSFET芯片(I)的源极与第一导电焊盘(4)的焊接区(7)之间；一金属线(6)跨接于所述MOSFET芯片(I)的栅极与第二导电焊盘(5 )的焊接区(7 )之间。2.根据权利要求I所述的MOS封装结构，其特征在于所述铝导体带(9)宽厚比为I:10 15。3.根据权利要求I所述的MOS封装结构，其特征在于所述第一导电焊盘(4)的引脚区由至少四根源极引脚组成。4.根据权利要求I所述的MOS封装结构，其特征在于所述第二导电焊盘(5)的引脚区由一根栅极引脚组成。专利摘要本技术公开一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，包括MOSFET芯片、环氧树脂层，所述MOSFET芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于还包括第一导电焊盘、第二导电焊盘和第三导电焊盘，第三导电焊盘位于MOSFET芯片一侧，所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间；一金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。本技术MOS封装结构有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。文档编号H01L23/488GK202796918SQ201220421180公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月23日 优先权日2012年8月23日专利技术者胡乃仁, 杨小平, 李国发, 钟利强 申请人:苏州固锝电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片（1）上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括第一导电焊盘（4）、第二导电焊盘（5）和第三导电焊盘（3），第三导电焊盘（3）位于MOSFET芯片（1）一侧，所述第一导电焊盘（7）和第二导电焊盘（8）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）均包括焊接区（7）和引脚区（8）；一铝导体带（9）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间；一金属线（6）跨接于所述MOSFET芯片（1）的栅极与第二导电焊盘（5）的焊接区（7）之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡乃仁，杨小平，李国发，钟利强，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：