一种半透半反液晶显示面板及半透半反液晶显示器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半透半反液晶显示面板及半透半反液晶显示器，涉及液晶显示领域，用以简化半透半反式液晶显示器阵列基板上像素结构的制作工艺提高开口率。该液晶显示面板，包括对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板，TFT阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶，彩膜基板包括公共电极层和彩膜层，TFT阵列基板包括像素单元，每个像素单元的像素电极包括透射区像素电极和反射区像素电极；每个像素单元的TFT包括第一TFT和第二TFT。本实用新型专利技术提供的方案适用于半透半反式液晶显示器的生产。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种半透半反液晶显示面板及半透半反液晶显示器。技术背景 目前应用比较广泛的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管-液晶显示器)大多为全透式液晶显示器，这种液晶显示器在户外太阳光下使用时，对比度较差，造成其显示面板的可读性不佳。为了解决全透式液晶显示器的缺陷，半透半反式液晶显示器应运而生；半透半反式液晶显示器通过增加其显示面板的反光率，来增加液晶显示器在室外显示时的对比度，以使得其显示面板在室外也可以保持优良的可读性。在现有的半透半反的像素设计中，采用双液晶盒设计，采用双TFT结构提供双灰度电压分别驱动像素的透射区和反射区，以达到很好的显示效果。在实现上述半透半反的像素设计中，专利技术人发现双液晶盒设计增加了工艺的困难、提高了成本；同时，采用双灰度电压分别驱动像素的透射区和反射区，需要增加一条数据线，因而也降低了面板的开口率。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种半透半反液晶显示面板及半透半反液晶显示器，采用单一液晶盒、双TFT和一条数据线的结构，解决了半透半反双液晶盒像素设计工艺复杂、开口率低的问题。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案一方面，提供一种半透半反液晶显示面板，包括对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板，所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间填充有液晶，所述彩膜基板包括公共电极层和彩膜层，所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线、数据线形成的像素单元，每个像素单元的像素电极包括透射区像素电极和反射区像素电极；每个像素单元的TFT包括第一 TFT和第二 TFT ；其中，所述第一 TFT的栅极与栅线连接，所述第一 TFT的源极与数据线连接，所述第一 TFT的漏极与所述透射区像素电极连接；所述第二 TFT的栅极与所述栅线连接，所述第二 TFT的源极与所述第一 TFT的漏极连接，所述第二 TFT的漏极与所述反射区像素电极连接。所述第一 TFT和所述第二 TFT的沟道的长宽比相同或不同。在所述彩膜基板上，所述公共电极层和所述彩膜层之间形成有第一有机层，且所述第一有机层对应所述透射区像素电极的厚度与对应所述反射区像素电极的厚度不同；形成在所述第一有机层上的所述公共电极层到所述透射区像素电极的距离与到所述反射区像素电极的距离不同。在所述彩膜基板上，对应所述透射区像素电极的公共电极层或对应所述反射区像素电极的公共电极层上形成有第二有机层；所述第二有基层使得所述彩膜基板和所述阵列基板在所述透射区和所述反射区的距离相等。所述第一有机层对应所述透射区像素电极的厚度厚于对应所述反射区像素电极的厚度；所述第二有机层形成于所述反射区像素电极对应的所述公共电极层上；形成在所述第一有机层上的所述公共电极层到所述透射区像素电极的距离小于到所述反射区像素电极的距离；所述第二有机层到所述反射区像素电极的距离等于所述透射区像素电极对应的公共电极层到所述透射区像素电极的距离。另一方面，提供一种半透半反液晶显示器，包括上述的半透半反液晶显示面板。本技术的实施例提供一种半透半反液晶显示面板及半透半反液晶显示器，每个像素单元中均包含有透射区像素电极和反射区像素电极，且两个电极分别与连接在同一条栅线、数据线上的两个串联TFT相连接。这样，通过串联的TFT分别给透射区像素电极和反射区像素电极充电的电压会有所不同，使得透射区的液晶电容和反射区的液晶电容不同，因此能够使得透射区和反射区的光程差相同，满足了半透半反液晶显示面板的需要。同时，本半透半反液晶显示面板采用的是单一液晶盒、双TFT和一条数据线的设计，因此液晶盒像素设计工艺简单，对开口率影响较小。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本技术实施例提供的一种半透半反液晶显示面板的一种像素单元结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种半透半反液晶显示面板结构示意图；图3为本技术实施例提供的另一种半透半反液晶显示面板结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种半透半反液晶显示面板的像素单元电路结构示意图；图5为图4所示的像素单元电路结构的等效电路结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供的半透半反液晶显示面板，结合图I、图2所示，包括对盒成型的TFT阵列基板102和彩膜基板101，该TFT阵列基板102和彩膜基板101之间填充有液晶103，彩膜基板101包括公共电极层105和彩膜层104，TFT阵列基板102包括由横纵交叉的栅线26、数据线25形成的像素单元，每个像素单元的像素电极包括透射区像素电极106和反射区像素电极107 ；每个像素单元的TFT包括第一 TFT 23和第二 TFT 24 ；其中第一 TFT的栅极与栅线连接，第一 TFT的源极108与数据线连接，第一 TFT的漏极109与透射区像素电极106连接，第二 TFT的栅极与栅线连接，第二 TFT的源极110与第一 TFT的漏极109连接，第二 TFT的漏极111与反射区像素电极107连接。本技术的实施例提供一种半透半反液晶显示面板，每个像素单元中均包含有透射区像素电极和反射区像素电极，且两个电极分别与连接在同一条栅线、数据线上的两个串联TFT相连接。这样，通过串联的TFT分别给透射区像素电极和反射区像素电极充电 的电压会有所不同，使得透射区的液晶电容和反射区的液晶电容不同，因此能够使得透射区和反射区的光程差相同，满足了半透半反液晶显示面板的需要。同时，本半透半反液晶显示面板采用的是单一液晶盒、双TFT和一条数据线的设计，因此液晶盒像素设计工艺简单，对开口率影响较小。进一步的，结合图I、图3，在彩膜基板101上，公共电极层105和彩膜层104之间形成有第一有机层112，且对应透射区像素电极106的第一有机层与对应反射区像素电极107的第一有机层厚度不同；在彩膜基板101上，对应透射区像素电极106的公共电极层或对应反射区像素电极107的公共电极层上形成有第二有机层113 ;第二有基层113使得彩膜基板101和阵列基板102在透射区21和反射区22的距离相等。进一步的，对应透射区像素电极106的第一有机层的厚度厚于对应反射区像素电极107的第一有机层厚度，这样形成在第一有机层上的公共电极层105到透射区像素电极106的距离小于到反射区像素电极107的距离；第二有机层113到反射区像素电极107的距离等于透射区像素电极106对应的公共电极层到透射区像素电极106的距离。此外第一 TFT23和第二 TFT 24的沟道的长宽比相同或不同。这里对反射区22和透射区21及反射区像素电极1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半透半反液晶显示面板，包括对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板，所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间填充有液晶，所述彩膜基板包括公共电极层和彩膜层，所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线、数据线形成的像素单元，其特征在于，?每个像素单元的像素电极包括透射区像素电极和反射区像素电极；?每个像素单元的TFT包括第一TFT和第二TFT；?其中，所述第一TFT的栅极与栅线连接，所述第一TFT的源极与数据线连接，所述第一TFT的漏极与所述透射区像素电极连接；所述第二TFT的栅极与所述栅线连接，所述第二TFT的源极与所述第一TFT的漏极连接，所述第二TFT的漏极与所述反射区像素电极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘尧虎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：