一种阵列基板、显示装置及刷新频率控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板和显示装置，及刷新频率的控制方法。其阵列基板包括：栅线，数据线，公共电极线，栅线和数据线交叉处的第一开关元件，像素电极，第二开关元件和第二透明电极，第一开关元件的栅极与栅线连接，第一开关元件的源极与数据线连接，第一开关元件的漏极与像素电极连接，第二开关元件的栅极与第二开关控制线连接；第二开关元件的源极与公共电极信号端连接，第二开关元件的漏极与第二透明电极连接；像素电极与公共电极线和/或栅线形成第一存储电容，与第二透明电极形成第二存储电容。本发明专利技术实施例在像素电极与第二透明电极之间形成第二存储电容，以增加等效电容量，从而保证在两帧画面的栅极驱动脉冲信号之间持续向液晶供电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示装置，及阵列基板的刷新频率控制方法。
技术介绍
液晶显示屏(IXD)的刷新频率通常为60Hz (赫兹)，每一帧画面的显示时间约为1/60=16. 67ms。如果有M行栅线，则分配给每一行栅线所驱动液晶的开关时间为16.67ms/Mo目前液晶显示屏的响应时间为4ms左右，在栅极驱动脉冲信号有效期间，液晶根本来不及做出响应。因此，液晶显示屏的每个像素液晶上都有一个存储电容Cs (storageCapacitor，容量约为O. 5pF)，这样，在栅极驱动脉冲信号消失以后，由Cs向像素液晶供电，并保持到下一帧画面的栅极驱动脉冲信号到来。如果降低液晶显示屏的刷新频率，下一帧画面的栅极驱动脉冲信号到来之前，存储电容Cs可能由于容量不足无法持续向像素液晶供电。可见，存储电容Cs容量限制了液晶显示屏的刷新频率，使得液晶显示屏在工作状态下始终工作在一个较高的显示刷新频率，例如60Hz (赫兹)以上。液晶显示屏的显示画面处于静止状态时，并不需要较高的显示刷新频率。但目前的应用方案中，液晶显示屏在工作状态下始终工作在一个较高的显示刷新频率，导致了不必要的功率消耗。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阵列基板、显示装置、及阵列基板的刷新频率控制方法，以解决显示屏只能工作在较高刷新频率的问题。 本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的—种阵列基板，包括设置在所述阵列基板上的栅线，数据线，公共电极线，栅线和数据线交叉处的第一开关元件，和像素电极，所述第一开关元件的栅极与所述栅线连接，所述第一开关元件的源极与所述数据线连接，第一开关元件的漏极与所述像素电极连接，所述像素电极与所述公共电极线和/或所述栅线之间形成第一存储电容。所述阵列基板还包括第二开关元件和第二透明电极；所述第二开关元件的栅极与用于控制所述第二开关元件的开启或截止的第二开关控制线连接；所述第二开关元件的源极与公共电极信号端连接，所述第二开关元件的漏极与所述第二透明电极连接，所述像素电极与所述第二透明电极之间形成第二存储电容；较佳地，所述第二开关元件具体用于所述阵列基板工作在第一刷新频率时，接收所述第二开关控制线输出的截止电压，使得所述像素电极与所述第二透明电极之间形成的所述第二存储电容断开；所述阵列基板工作在第二刷新频率时，接收所述第二开关控制线输出的开启电压，使得所述像素电极与所述第二透明电极之间形成的所述第二存储电容导通，所述第一刷新频率是所述第二刷新频率的M倍。较佳地，所述像素电极驱动的液晶的等效电容、第二存储电容和第一存储电容的电容量总和为所述第一存储电容和所述液晶的等效电容的电容量总和的M倍。一种显示装置，包括上述任一阵列基板；控制模块，用于控制所述阵列基板的刷新频率；并在所述阵列基板工作在第二刷新频率时，通过第二开关控制线向第二开关元件输出开启电压，使得所述第二开关元件开启；在所述阵列基板工作在第一刷新频率时，通过所述第二开关控制线向所述第二开关元件输出截止电压，使得所述第二开关元件截止。 较佳地，控制所述阵列基板的刷新频率时，所述控制模块具体用于，当满足预定的条件时，切换所述阵列基板的刷新频率。一种阵列基板刷新频率的控制方法，包括控制上述任一阵列基板的刷新频率；在所述阵列基板工作在第二刷新频率时，通过第二开关控制线向第二开关元件输出开启电压，使得所述第二开关元件开启；在所述阵列基板工作在第一刷新频率时，通过所述第二开关控制线向所述第二开关元件输出截止电压，使得所述第二开关元件截止。较佳地，控制所述阵列基板的刷新频率，具体包括当满足预定的条件时，切换所述阵列基板的刷新频率。本专利技术实施例提供的技术方案，在像素电极与第二透明电极之间形成第二存储电容。当阵列基板根据需要工作在较高的刷新频率时，截止第二开关元件，进而断开像素电极与第二透明电极之间形成的第二存储电容。当阵列基板根据需要工作在较低的刷新频率时，开启第二开关元件，进而选通像素电极与第二透明电极之间形成的第二存储电容，以增大总电容，支持较低刷新频率下给液晶供电。附图说明图I为本专利技术实施例提供的阵列基板上一个像素结构的等效电路示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板上一个像素结构的平面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的控制方法流程图；图4为本专利技术实施例提供的显示装置结构示意图。具体实施例方式以液晶显示装置为例，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板上一个像素结构的等效电路如图I所示，其结构包括设置在阵列基板的栅线G1，数据线D，公共电极线V-com，栅线Gl和数据线D交叉处的第一开关元件Tl，像素电极(图I中未示出)，第二开关元件T2和第二透明电极(图I中未示出)。其中，所述第一开关元件Tl的栅极与所述栅线Gl连接，所述第一开关元件Tl的源极与所述数据线D连接，第一开关元件Tl的漏极与所述像素电极连接。像素电极与公共电极线V-com和/或栅线Gl之间形成第一存储电容Cstl。由于第一开关元件Tl的漏极与所述像素电极连接，在图I所示的等效电路中，第一存储电容Cstl等效为一端与第一开关元件Tl的漏极连接、另一端与公共电极线v-com连接。所述第二开关元件T2的栅极与用于控制第二开关元件T2开启或截止的第二开关控制线G2连接，所述第二开关元件T2的源极与公共电极信号端连接，所述第二开关元件T2的漏极与所述第二透明电极连接。公共电极信号端既可以设置在阵列基板上也可以设置在彩膜基板上，只要其输入的是公共电极信号即可，本专利技术不作限定。。像素电极与第二透明电极之间形成第二存储电容Cst2。由于像素电极与第一开关的漏极连接，在图I所示的等效电路中，第二存储电容Cst2等效为一端与第一开关Tl的漏极连接，另一端与公共电极线V-com连接。应当指出的是，图I所示是以第二透明电极与阵列基板的公共电极线V-com连接为例的等效电路。如果第二透明电极与彩膜基板的公共电 极线连接，则第二存储电容Cst2等效为一端与第一开关Tl的漏极连接，另一端与彩膜基板的公共电极线连接。像素电极用于驱动相应的液晶。液晶在液晶显示装置的阵列基板与彩膜基板之间形成平板电容。如图I所示的等效电路中，像素电极驱动的液晶的等效电容(可称为液晶电容Clc)等效为一端与第一开关元件Tl的漏极连接，另一端与公共电极V-com连接。本专利技术实施例中，开关元件可以但不仅限于是TFT (薄膜晶体管)。应当指出的是，图I所示为阵列基板上一个像素结构的等效电路示意图。对于阵列基板，包括多条栅线、数据线、公共电极线、每条栅线、数据线交叉处的第一开关元件、像素电极、第二开关元件和第二透明电极。应当指出的是，本专利技术实施例以液晶显示装置中的阵列基板为例进行说明。本领域技术人员可以理解，阵列基板不仅适用于液晶显示装置，也适用于其他通过存储电容供电的显示装置，比如可用于数码相框、手机等等。本专利技术实施例提供的阵列基板中，向液晶供电的等效电容量应保证在两帧画面的栅极驱动脉冲信号之间持续向液晶供电。因此，为了使阵列基板能够工作在较低的刷新频率下，以降低功耗，本专利技术实施例在阵列基板上增加第二透明电极，使得第二透明电极与像素电极之间形成第二存储电容，以增加向液晶供电的等效电容量，从而保证在两帧画面的栅极驱动脉冲信号之间持续向液晶供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括设置在所述阵列基板上的栅线，数据线，公共电极线，栅线和数据线交叉处的第一开关元件，和像素电极，所述第一开关元件的栅极与所述栅线连接，所述第一开关元件的源极与所述数据线连接，第一开关元件的漏极与所述像素电极连接，所述像素电极与所述公共电极线和/或所述栅线之间形成第一存储电容，其特征在于，所述阵列基板还包括：第二开关元件和第二透明电极；所述第二开关元件的栅极与用于控制所述第二开关元件的开启或截止的第二开关控制线连接；所述第二开关元件的源极与公共电极信号端连接；所述第二开关元件的漏极与所述第二透明电极连接；所述像素电极与所述第二透明电极之间形成第二存储电容。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，李宏伟，李天马，黄小妹，鲁友强，王静，邱云，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：