一种电容触摸阵列基板及制作方法、液晶面板技术

本发明专利技术公开了一种电容触摸阵列基板及制作方法、液晶面板，用于实现IN-CELL触摸屏，并且改善触摸屏结构，简化工艺流程。所述电容触摸阵列基板包括：用于支撑彩膜基板的支撑体、第一传感器和第二传感器；支撑体的底端和顶端各有一个电极，形成电容；其中，靠近彩膜基板的一端为顶端，另一端为底端；第一传感器与支撑体顶端的电极电连接；第二传感器与支撑体底端的电极电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子技术及液晶显示领域，特别是涉及电容触摸阵列基板及制作方法。
技术介绍
相对于将触摸面板设置在液晶面板上使用的原有方法,将触摸面板功能与液晶面板一体化的研究日渐盛行。触摸面板和液晶面板的一体化包括“In-cell (触控结构在液晶盒内)”和“On-cell (触控结构在液晶盒上)”等模式。In-cell是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法。On-cell是指将触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间的方法。On-cell类型的液晶面板的上面和触摸面板的下面之间会反射外来光线等，导致在室外等明亮的环境下的可视性降低。In-cell类型的液晶显示屏不会有该问题。一种In-cell类型是在按压触摸屏时使液晶层发生形变，改变液晶方向，从而改变电容大小，以触发传感器。该方案对液晶层要求较高。另外，为了便于改变液晶层方向，则在液晶层靠近彩膜的内侧增加凸点。但是增加凸点的技术要求较高，工艺很难实现。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电容触摸阵列基板及制作方法，用于实现IN-CELL触摸屏，并且改善触摸屏结构，简化工艺流程。—种电容触摸阵列基板，包括用于支撑彩膜基板的支撑体、第一传感器和第二传感器；支撑体的底端和顶端各有一个电极，形成电容；其中，靠近彩膜基板的一端为顶端，另一端为底端；第一传感器与支撑体顶端的电极电连接；第二传感器与支撑体底端的电极电连接。优选地，所述支撑体为柱状隔垫物。优选地，第一传感器与第二传感器垂直且不相交。进一步地，每相邻两个亚像素之间有一个线形第一传感器或一个线形第二传感器。进一步地，还包括数据线和栅线；线形第一传感器与数据线平行且在同一层，线形第二传感器与栅线平行且在同一层。优选地，底端的电极和顶端的电极的材料为氧化铟锡ΙΤ0。—种电容触摸液晶面板，包括上述电容触摸阵列基板。一种制作电容触摸阵列基板的方法，包括以下步骤在基板上制作数据线和第二传感器，在所述第二传感器上预留出支撑体的位置；在所述数据线和第二传感器的上方形成绝缘层，该绝缘层上预留有用于连接所述第二传感器和支撑体的过孔；在制作栅线的同时制作第一传感器；在第二传感器上制作第一电极；沉积一层树脂材料，并通过构图工艺形成支撑体；在支撑体上制作第二电极；在第二电极上以及在第一传感器上沉积一层导电层，用以连接第二电极和第一传感器。 本专利技术实施例在支撑体上增加两个电极，形成电容，与传感器连接，实现触摸感应。该结构在生产时需对支撑体采用一次曝光刻蚀，而现有的IN cell技术一般为CELL盒为个大电容体，液晶为里面的介质，当cell盒厚被按压时,cell gap和液晶会发生偏转,液晶偏转，那它的介电常数也就会发什么变化，那么cell gap和介电常数变化，电容就会发什么变化，就可以判断触摸点，但是要有非常复杂的电路和传感器来判断。因此，与现有技术中IN-CELL类型相比，工艺明显简单，并且对液晶没有特殊要求。附图说明图I为本专利技术实施例中电容触摸阵列基板的侧剖图；图2为本专利技术实施例中电容触摸阵列基板的俯视图；图3为本专利技术实施例中支撑体的侧剖图；图4为本专利技术实施例中方法流程图。具体实施例方式本专利技术实施例在支撑体上增加两个电极，形成电容，与传感器连接，实现触摸感应。该结构在生产时需对支撑体采用一次曝光刻蚀，与现有技术中IN-CELL类型相比，工艺明显简单，并且对液晶没有特殊要求。参见图I和图2，本实施例中电容触摸阵列基板包括用于支撑彩膜基板的支撑体101、第一传感器102和第二传感器103。支撑体101的底端和顶端各有一个电极，形成电容，参见图3所示；其中，靠近彩膜基板的一端为顶端，另一端为底端。第一传感器102与支撑体101顶端的电极302电连接。第二传感器103与支撑体101底端的电极301电连接。较佳的，支撑体101为柱状隔垫物(Post Spacer，PS)，其上可镀抗压比较强的高分子材料。本实施例中支撑体101为梯形，位于四个相邻的亚像素之间。支撑体101的结构参见图3所不。上电后,第一传感器102感应第二电极302的电量,第二传感器103感应第一电极301的电量。通过第一传感器102和第二传感器103感应到的电量的变化来确定电容值的改变，进而确定发生触摸。本实施例中第一传感器102与第二传感器103垂直且不相交。为了较准确的确定触摸点，每相邻两个亚像素之间有一个线形第一传感器102或一个线形第二传感器103。本实施例中电容触摸阵列基板还包括栅线104和数据线105。为了便于工艺实现，线形第一传感器102与栅线104平行且在同一层，线形第二传感器103与数据线105平行且在同一层。较佳的，底端的电极301和顶端的电极302的材料为氧化铟锡(Indium TinOxide,ΙΤ0)。ITO薄膜是一种η型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。其它导电材料也适用于本实施例。本实施例中的电容触摸阵列基板可应用在电容触摸液晶面板中，进而应用在带触摸屏的电子产品中。本实施例对电容触摸阵列基板的结构进行了改进，下面提供一种制作该电容触摸阵列基板的工艺方法。参见图4，本实施例中制作电容触摸阵列基板的方法流程如下步骤401 :在基板上制作数据线105，并同时制作与数据线105平行排布的第二传 感器103 ;在第二传感器103上预留出支撑体101的位置。S卩，在布数据线105时布第二传感器103，第二传感器103与数据线105平行，且位于相邻两个亚像素之间。通过一次MASK (掩膜)操作形成第二传感器103和数据线105，在进行MASK操作时预留出支撑体101的位置。较佳的，第二传感器103的宽度为5um左右，厚度为1800-3500埃之间。步骤402 :在数据线105和第二传感器103的上方形成绝缘层106。在所述绝缘层106上预留有用于连接所述第二传感器103和支撑体101的过孔。步骤403 :在制作栅线104的同时制作第一传感器102。即，在布栅线104时布第一传感器102，第一传感器102与栅线104平行，且位于相邻两个亚像素之间。通过一次MASK(掩膜)操作形成第一传感器102和栅线104。较佳的,第一传感器102的宽度为5um左右，厚度为1800-3500埃之间。本实施例中支撑体101的底端为圆形，纵剖面为梯形，因此在制作第一传感器102上预留过孔，该过孔与绝缘层106上的过孔位置一致，以便后续在该过孔的位置制作支撑体101。本实施例中增加了第一电极301，因此较佳的，绝缘层106的厚度相比于现有技术的阵列基板中绝缘层106的厚度大，本实施例中绝缘层106的厚度为1800-3500埃之间。步骤404 :在第二传感器103上制作第一电极301。步骤405 :沉积一层树脂材料，并通过构图工艺形成支撑体101，该支撑体101位于所述过孔部位，并与所述第一电极301直接相接。步骤406 :在支撑体101上制作第二电极302。步骤407 :在支撑体101的第二电极302上以及在第一传感器102上再沉积一层几千埃的导电层(Mo/Al )，用以连接第二电极302和第一传感器102。本专利技术实施例在支撑体上增加两个电极，形成电容，与传感器连接，实现触摸感应。该结构在生产时需对支撑体采用一次曝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容触摸阵列基板，其特征在于，包括：用于支撑彩膜基板的支撑体、第一传感器和第二传感器；支撑体的底端和顶端各有一个电极，形成电容；其中，靠近彩膜基板的一端为顶端，另一端为底端；第一传感器与支撑体顶端的电极电连接；第二传感器与支撑体底端的电极电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：龙君，刘俊国，郝学光，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：