本发明专利技术提供一种适于形成透明性及气体遮断性优异的薄膜的溅射靶及其制造方法、利用该靶得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片以及层叠片。本发明专利技术的溅射靶,其特征在于,由将氧化锌(ZnO)和二氧化硅(SiO2)作为主要成分的烧结体构成,烧结体的相对密度为95%以上,氧化锌(ZnO)与二氧化硅(SiO2)的摩尔比为40:60~95:5。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适于形成透明性、气体遮断性等各种特性优异的薄膜的溅射靶及其制造方法、利用该靶得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片以及层叠片。更详细而言,涉及一种用于形成这些各种特性优异,尤其是适合作为液晶显示器、有机EL显示器、电子纸或太阳能电池模块等气体遮断性材料的薄膜的溅射靶及其制造方法、利用该靶得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片以及层叠片。
技术介绍
液晶显示器、有机EL显示器或太阳能电池等设备通常经不起湿气,使其特性因吸湿而迅速地劣化,所以必须配备具有高防湿性、即防止氧或水蒸气等透过或进入的气体遮断性的组件。例如,在太阳能电池的例子中,在太阳能电池模块的受光面的相反一侧的背面设置有背板。关于该背板代表性的有在基材上包含具有高防湿性的气体遮断性材料和保护它们的部件等的背板。作为这种构成太阳能电池模块的背板,公开有例如通过高强度的耐热性、耐候性树脂夹层防湿性金属箔,另外在其一方设置玻璃质蒸镀皮膜而成的太阳能电池模块的背面保护用片材料(例如参考专利文献1)。在该片材料中,使用铝箔、镀锌铁箔、镀锡铁箔等金属箔作为气体遮断性材料。并且,公开有将层叠高防湿膜和高耐候膜并使其一体化而成的太阳能电池盖板材料使用在背面侧保护部件中的太阳能电池(例如参考专利文献2)。在该太阳能电池盖板材料中的高防湿膜使用如下膜,即由CVD(化学蒸镀)、PVD(反应蒸镀)法等在PET膜等基材膜上形成防湿膜作为气体遮断性材料,所述防湿膜由二氧化硅、氧化铝等无机氧化物的涂膜构成。另外,公开有具有基材膜和遮断层,且遮断层为通过空心阴极型离子镀成膜的无机氮化物薄膜或无机氮化氧化物薄膜的透明遮断膜(例如参考专利文献3)。另外,公开有在太阳能电池元件的表面上设置有阻止水蒸气、氧气、分解物或添加剂的1种以上透过的阻挡层的太阳能电池模块(例如参考专利文献4)。该太阳能电池模块中作为阻挡层使用由通过树脂膜、遮断性树脂膜、无机氧化物的蒸镀膜、由硅化合物的水解得到的缩聚物构成的组合物形成的涂膜或者由其中的2种以上构成的复合膜。另外,公开有具备由呈无机氧化物层且由塑料膜或塑料复合材料构成的遮断层的光伏模块(例如参考专利文献5)。该无机氧化物层中,作为其涂层材料使用氧化铝或氧化硅。另外,公开有由在耐热、耐候性塑料膜上设置无机氧化物薄膜层并在该薄膜层面上层叠由相同树脂构成的其他耐热、耐候性塑料膜的层叠体构成的太阳能电池用背面保护片(例如参考专利文献6)。该太阳能电池用背面保护片中作为无机氧化物薄膜层使用由氧化硅或氧化铝的任一种形成的薄膜层。另外,公开有在具有透明性的基材膜上依次层叠掺杂3价以上的金属或半导体而成且具有紫外线屏蔽特性的氧化锌层和气体遮断性优异的金属氧化物层而成的层叠体(例如参考专利文献7)。作为该层叠体的金属氧化物层使用氧化硅、氧化铝或氧化镁。另外,公开有在高分子膜基材的至少一面通过气相沉积法成膜由金属或金属氧化物构成的气体遮断层,并在该气体遮断层上形成含有超微颗粒的树脂层的具有紫外线防护性的透明性气体遮断性复合膜材料(例如参考专利文献8)。作为该透明性气体遮断性复合膜材料的气体遮断层,使用由铝构成的单层结构或多层结构或者由铝氧化物、硅氧化物及镁氧化物的至少一种构成的单层结构或多层结构。专利文献1:日本技术公告平2-44995号公报(技术授权权利要求及5栏的第41~44行)专利文献2:日本专利公开2000-174296号公报(权利要求1、权利要求7及[0019]段)专利文献3:日本专利公开2000-15737号公报(权利要求1)专利文献4:日本专利公开2001-217441号公报(权利要求1及3)专利文献5:日本专利公表2002-520820号公报(权利要求1及[0019]段)专利文献6:日本专利公开2002-134771号公报(权利要求1及2)专利文献7:日本专利公开平7-256813号公报(权利要求1、3及[0015]~[0016]段)专利文献8:日本专利公开2000-6305号公报(权利要求1、7、8及[0020]段)然而,上述专利文献1所示的背面保护用片材料将铝箔等金属箔用作气体遮断性材料,因此若将该片材料应用于太阳能电池模块的背板,则有可能耐电压性降低且电流泄漏。并且,就使用金属箔的片材料而言,若金属箔的厚度成为20μm以下,则增加在耐热性耐候性树脂与金属箔之间产生的针孔,气体遮断性明显下降。另一方面,若加厚金属箔的厚度,则会产生制造成本上升的问题,并且,需作为废弃物进行区分,由于光不透射,因此无法在太阳能电池的受光面使用,并且,存在在电源端子用冲压孔周围产生金属箔的溢料而电路短路的危险。此外,当为使用上述专利文献2、5~7中使用的二氧化硅、氧化铝等单一无机氧化物而得到的膜时,若要获得较高的气体遮断性,则必须将膜的厚度确保在100nm以上,即便是该尺寸也谈不上气体遮断性很充分。并且,当为作为上述专利文献3中使用的无机氮化物薄膜或无机氮氧化物薄膜的透明遮断膜时,存在氧的污染或组成控制较难的问题。另外,当为用作上述专利文献4的阻挡膜的由通过树脂膜、遮断性树脂膜、无机氧化物的蒸镀膜、由硅化合物的水解得到的缩聚物的组合物构成的涂膜时,若要得到充分的遮断性则优选设为复合膜,存在成膜工艺变长之类的问题。另外,当为上述专利文献8所涉及的专利技术时,若要得到充分的遮断性,则优选设为多层结构,与上述专利文献4所涉及的专利技术相同地存在成膜工艺变长的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适于形成透明性及气体遮断性优异的薄膜的溅射靶及其制造方法。本专利技术的另一目的在于提供一种透明性及气体遮断性优异的薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。本专利技术的第1观点、即一种ZnO-SiO2类溅射靶,其中,由将氧化锌(ZnO)和二氧化硅(SiO2)作为主要成分的烧结体构成,烧结体的相对密度为95%以上,氧化锌(ZnO)与二氧化硅(SiO2)的摩尔比为40:60~95:5。本专利技术的第2观点、即一种ZnO-SiO2类溅射靶的制造方法,其中,以氧化锌(ZnO)与二氧化硅(SiO2)的摩尔比为40:60~95:5的方式混合一次粒子的平均粒径为0.1~5.0μm的ZnO粉末和SiO2粉末,填加粘合剂并加压成型,脱模后以1000℃以上进行烧结,从而制造相对密度为95%以上的烧结体。本专利技术的第3观点为基于第2观点的专利技术,其中,进一步作为以去除有机溶剂及水分等为目的的预干燥,以50~150℃进行1~10小时的处理,作为以使粘合本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ZnO?SiO2类溅射靶,其特征在于,由将氧化锌ZnO和二氧化硅SiO2作为主要成分的烧结体构成,所述烧结体的相对密度为95%以上,所述氧化锌ZnO与所述二氧化硅SiO2的摩尔比为40:60~95:5。
【技术特征摘要】
2011.08.29 JP 2011-1860381.一种ZnO-SiO2类溅射靶,其特征在于,
由将氧化锌ZnO和二氧化硅SiO2作为主要成分的烧结体构成,所述烧结体的相对
密度为95%以上,所述氧化锌ZnO与所述二氧化硅SiO2的摩尔比为40:60~95:5。
2.一种ZnO-SiO2类溅射靶的制造方法,其特征在于,
将一次粒子的平均粒径为0.1~5.0μm的ZnO粉末和SiO2粉末混合成所述氧化锌
ZnO与所述二氧化硅SiO2的摩尔比为40:60~95:5,填加粘合剂并加压成型,脱模
后以1000℃以上进行烧结,从而制造相对密度为95%以上的烧结体。
3.如权利要求2所述的ZnO-SiO2类溅射靶的制造方法,其中,
作为以去除有机溶剂及水分等为目的的预干燥,以50~1...
【专利技术属性】
技术研发人员:樱井英章,有泉久美子,
申请(专利权)人:三菱综合材料株式会社,
类型:发明
国别省市:
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