供体衬底、制造供体衬底的方法、有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法制造方法及图纸

一种供体衬底，包括基底层、在基底层上的光热转换层、在光热转换层上的中间层、在中间层上的低分子量转移层以及在低分子量转移层上的有机转移层。低分子量转移层包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。

【技术实现步骤摘要】
供体衬底及其制造方法、有机发光显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2011年8月26日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第2011-0085652号韩国专利申请的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
示例性的实施方式涉及供体衬底、制造供体衬底的方法、有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法。示例性实施方式涉及用于转移有机发光显示装置的有机层的供体衬底、制造该供体衬底的方法、利用该供体衬底制造的有机发光显示装置以及利用该供体衬底制造有机发光显示装置的方法。
技术介绍
有机发光显示(OLED)装置可以利用通过其有机层中的阳极提供的空穴与阴极提供的电子的结合而产生的光来显示期望的信息，例如，图像、文字和/或字符。为了形成OLED装置的有机层，已采用了以下工序：利用喷墨、旋涂或喷嘴的印刷工序、在将各层沉积之后的构图工序以及利用热量或激光的转印工序。例如，因为有机层可以通过相对简单的步骤或工序进行精细构图，所以广泛使用激光热转印(LITI)工序来形成有机层。对于LITI工序来说，光源产生的光可以被供体衬底的光热转换层吸收，以使光能可以转换为热能或热量。通过热能或热量，可以将转移层转移到预定的装置衬底上。然而，转移层可能被热能或热量损坏。此外，可能不容易将转移层与供体衬底分离或分开，因而不能精确地将转移层转移到装置衬底的预定区域上。
技术实现思路
示例性实施方式提供了供体衬底，以用于有效地转移有机层并且改进电特性和物理特性。示例性实施方式提供了制造供体衬底的方法，以用于有效地转移有机层，确保改进的电特性和物理特性。示例性实施方式提供了包括有机层的有机发光显示装置，其具有改进的电特性和物理特性。示例性实施方式提供了制造具有改进的电特性和物理特性的、包括有机层的有机发光显示装置的方法。根据示例性实施方式，提供了一种供体衬底。该供体衬底可具有基底层、在基底层上的光热转换层、在光热转换层上的中间层、在中间层上的低分子量转移层以及在低分子量转移层上的有机转移层。低分子量转移层可包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。在示例性实施方式中，低分子量转移层可包括锂(Li)、钠(Na)、铯(Cs)、钾(K)、氟化锂(LiF)、氟化钾(KF)、氟化铯(CsF)、碘化锂(LiI)或者碘化钾(KI)。这些可以单独地使用或者以其混合物使用。在示例性实施方式中，中间层可包括具有亲水性的经处理的上表面。低分子量转移层可通过偶极相互作用或者静电吸引与中间层的经处理的上表面结合。根据示例性实施方式，提供了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置可包括：在下部衬底上的第一电极、在所述第一电极上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的发射层、在所述发射层上的低分子量层、在所述低分子量层上的电子传输层以及在所述电子传输层上的第二电极。低分子量层可包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。在示例性实施方式中，低分子量层可包括锂(Li)、钠(Na)、铯(Cs)、钾(K)、氟化锂(LiF)、氟化钾(KF)、氟化铯(CsF)、碘化锂(LiI)或者碘化钾(KI)。这些可以单独地使用或者以其混合物使用。在示例性实施方式中，低分子量层可具有约到约的厚度。根据示例性实施方式，提供了一种制造供体衬底的方法。在该方法中，可以在基底层上形成光热转换层。可以在所述光热转换层上形成中间层。可以在所述中间层上进行包括紫外处理或者等离子体处理的表面处理，以形成所述中间层的经处理的上表面。可以在所述中间层的所述经处理的上表面上利用低分子量材料形成低分子量转移层。低分子量材料可包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。可以在所述低分子量转移层上形成有机转移层。在示例性实施方式中，低分子量转移层可包括锂(Li)、钠(Na)、铯(Cs)、钾(K)、氟化锂(LiF)、氟化钾(KF)、氟化铯(CsF)、碘化锂(LiI)或碘化钾(KI)。这些可以单独地使用或者以混合物使用。在示例性实施方式中，可以通过真空蒸发工序或者溅射工序形成所述低分子量转移层。在示例性实施方式中，中间层的经处理的上表面可具有亲水性，经处理的上表面可具有悬挂键。在示例性实施方式中，低分子量材料可以通过偶极相互作用或者静电吸引与所述悬挂键结合。在示例性实施方式中，可以在进行紫外处理或者等离子体处理之前，在所述中间层上还进行热处理。在示例性实施方式中，在约60℃到约150℃的温度下进行所述热处理。根据示例性实施方式，提供了一种制造有机发光显示装置的方法。在该方法中，可以制备包括第一电极和部分暴露所述第一电极的像素限定层的装置衬底。可以形成供体衬底，所述供体衬底包括基底层、光热转换层、中间层、低分子量转移层以及有机转移层。低分子量转移层可包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。可以在所述装置衬底之上设置所述供体衬底，以使有机转移层可以面对装置衬底的第一电极。可以将激光束照射在所述供体衬底上，以将所述低分子量转移层的一部分和所述有机转移层的一部分转移到被暴露的第一电极上，从而形成相继层叠在所述被暴露的第一电极上的有机层和低分子量层。可以在所述低分子量层上形成电子传输层。可以在所述电子传输层上形成第二电极。在示例性实施方式中，中间层可包括具有亲水性的经处理的上表面。低分子量转移层可以通过偶极相互作用或者静电吸引与所述中间层的经处理的上表面结合。在示例性实施方式中，在制备所述装置衬底之后，还可以在所述像素限定层和被暴露的第一电极上形成空穴传输层。有机层可以形成在所述空穴传输层的一部分上和所述像素限定层的侧壁上。有机层可以对应于所述有机发光显示装置的发射层。在示例性实施方式中，有机转移层可包括形成在所述低分子量转移层上的发射层和形成在所述发射层上的空穴传输层。在示例性实施方式中，有机层可以形成在被暴露的第一电极上和所述像素限定层的侧壁上，所述低分子量层可以形成在所述有机层上和所述像素限定层的所述侧壁上。在示例性实施方式中，可以通过激光热转印(LITI)工序、喷嘴印刷工序、喷墨印刷工序、或者压印工序形成所述电子传输层。在示例性实施方式中，所述有机层、所述低分子量层和所述电子传输层可以由凹槽限定。所述凹槽可以由被暴露的第一电极和所述像素限定层的侧壁限定。根据示例性实施方式，可以在供体衬底的中间层上进行热处理、等离子体处理和/或紫外处理，以使得中间层的表面性能可以得到改善。因此，形成在中间层上的有机转移层可以具有改善的表面性能。此外，有机转移层可以通过少量能量容易地转移到装置衬底上。另外，可以在中间层与有机转移层之间形成包括第I主族中的元素或者第I-VII主族中的元素的化合物的低分子量转移层，以使得有机转移层可以更加容易地与中间层分离或者转移到装置衬底上。另外，可以提高有机转移层的电特性。附图说明示例性实施方式将通过以下详细的说明连同考虑附图得到更好的理解。图1至7代表本文中描述的非限制性的、示例性的实施方式。图1是示出依照示例性实施方式的供体衬底的截面图；图2至4是示出依照示例性实施方式的制造供体衬底的方法的截面图；图5是示出依照示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图；图6是示出依照一些示例性实施方式的有机发光显示装置的截本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种供体衬底，包括：基底层；光热转换层，在所述基底层上；中间层，在所述光热转换层上；低分子量转移层，在所述中间层上，所述低分子量转移层包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物；以及有机转移层，在所述低分子量转移层上。

【技术特征摘要】
2011.08.26 KR 10-2011-00856521.一种供体衬底，包括：基底层；光热转换层，在所述基底层上；中间层，在所述光热转换层上；低分子量转移层，在所述中间层上，所述低分子量转移层包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物；以及有机转移层，在所述低分子量转移层上，其中，所述中间层包括具有亲水性的上表面，以及其中所述低分子量转移层通过偶极相互作用或者静电吸引与所述中间层的所述上表面结合。2.如权利要求1所述的供体衬底，其中所述低分子量转移层包括选自由锂、钠、铯、钾、氟化锂、氟化钾、氟化铯、碘化锂以及碘化钾组成的组中的至少一种。3.一种制造供体衬底的方法，包括：在基底层上形成光热转换层；在所述光热转换层上形成中间层；在所述中间层上进行表面处理，以使得所述中间层的经处理的上表面具有亲水性；在所述中间层的所述经处理的上表面上利用低分子量材料形成低分子量转移层，所述低分子量材料包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物；以及在所述低分子量转移层上形成有机转移层。4.如权利要求3所述的方法，其中所述低分子量转移层包括选自由锂、钠、铯、钾、氟化锂、氟化钾、氟化铯、碘化锂以及碘化钾组成的组中的至少一种。5.如权利要求4所述的方法，其中通过真空蒸发工序或者溅射工序形成所述低分子量转移层。6.如权利要求3所述的方法，其中所述表面处理包括紫外处理或者等离子体处理，并且所述经处理的上表面具有悬挂键。7.如权利要求6所述的方法，其中所述低分子量材料通过偶极相互作用或者静电吸引与所述悬挂键结合。8.如权利要求3所述的方法，还包括在进行所述表面处理之前，在所述中间层上进行热处理。9.如权利要求8所述的方法，其中在60℃到150℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋河珍，表相佑，俞炳旭，金孝妍，权智英，李宽熙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：