本发明专利技术提供一种用于宽带束离子注入机的引出电极系统，包括：Y1方向运动机构(1)，移动支架(2)，安装法兰(3)，引出电极(4)，抑制电极(5)，Y2方向运动机构(6)，Z1方向运动机构(7)，Z2方向运动机构(8)，用于连接抑制电极(5)和引出电极(4)的连接柱(9)。其中Y1方向运动机构(1)用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Y1方向上的运动，Y2方向运动机构(6)用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Y2方向上的运动。Z1方向运动机构(7)和Z2方向运动机构(8)分别用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Z1方向上和Z2方向上的运动。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件制造控制系统，即离子注入机，特别地，涉及一种用于宽束离子注入机的引出电极系统，属于半导体装备制造领域。
技术介绍
在半导体制造工艺设备离子注入机中，离子源引出系统是整机设备关键部件之一，其与离子源本体结合在一起构成离子注入机的核心部件-离子源系统；其决定了离子注入机诸多性能指标，如离子源系统的引出束流大小、引出能量大小、引出束流品质及束稳定性能等。离子注入机离子源引出电极系统一般采用的是加减速三电极结构，但是当我们为 了得到低能大束流时，将采用宽缝离子源，这种情况下，三电极结构将很难精确调节引出缝和离子源引出缝的位置，本专利技术提供了一种用于宽束离子注入机的引出电极系统，能够在四个方向调节引出电极的位置，以精确调节引出电极引出缝和离子源的位置。
技术实现思路
本专利技术涉及一种用于宽束离子注入机的引出电极系统。本专利技术所涉及的实施例包括以下结构件Y1方向运动机构⑴，移动支架⑵，安装法兰(3)，引出电极(4)，抑制电极(5)，Y2方向运动机构(6)，Zl方向运动机构(7)，Ζ2方向运动机构(8)，用于连接抑制电极(5)和引出电极⑷的连接柱(9)。其中Yl方向运动机构⑴用于控制抑制电极(5)和引出电极⑷在Yl方向上的运动，Υ2方向运动机构(6)用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Υ2方向上的运动。Zl方向运动机构⑵和Ζ2方向运动机构⑶分别用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Zl方向上和Ζ2方向上的运动。其中Yl方向运动机构(I)和Υ2方向运动机构在结构上相对独立，即Yl方向运动机构(I)和Υ2方向运动机构都是单独运动，不相互影响，以此调节抑制电极(5)和引出电极(4)在X方向的位置，最终调节至抑制电极(5)和引出电极(4)的引出缝水平。其中Zl方向运动机构(7)用于调节抑制电极(5)和引出电极(4)在Z方向上的整体运动，以此调节抑制电极(5)和引出电极(4)引出缝和离子源引出缝的距离，其中Ζ2方向运动机构⑶与Yl方向运动机构⑴连接，Ζ2方向运动机构⑶与Υ2方向运动机构(6)相互独立，即Ζ2方向运动机构⑶用于调节抑制电极(5)和引出电极⑷在Yl方向运动机构(I) 一端的Z方向上的移动，以此调节至抑制电极(5)和引出电极⑷的左右两端在Z方向上相平。附图说明下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步介绍，但不作为对本专利技术专利的限定。图I离子源和引出电极系统的排列示意图。图2为引出电极系统的主视示意图。图3为引出电极系统的俯视示意图。图I中包括离子源(10)，引出电极(4)和抑制电极(5).图2和图3中包括Y1方向运动机构(I)，移动支架(2)，安装法兰(3)，引出电极(4)，抑制电极(5)，Y2方向运动机构(6)，Ζ1方向运动机构(7)，Ζ2方向运动机构(8)，用于连接抑制电极(5)和引出电极⑷的连接柱(9)。具体实施例方式下面结合附图的具体实施例对本专利技术作进一步介绍，应该理解，这些描述都是说·明性的，本专利技术不限于此。本专利技术的范围仅由所附权利要求的范围所限定。如图I所示，引出电极⑷将离子源(10)中产生的离子束流引出。本专利所涉及的引出电极系统设置在离子源(10)出口的后方，将离子源(10)产生的束流引出。设计良好的引出电极系统对于离子源(10)的不同放电状态以及不同的引出能量，都能自动引出光学品质良好的束流。本专利技术提供了一种用于宽束离子注入机的引出电极系统，下面对本专利技术的实施例进行详细描述。图2为本专利技术实施例的主视图，其中Yl方向运动机构(I)用于控制抑制电极(5)和引出电极⑷在Yl方向上的运动，Υ2方向运动机构(6)用于控制抑制电极(5)和引出电极⑷在Υ2方向上的运动。其中Yl方向运动机构(I)和Υ2方向运动机构在结构上相对独立，即Yl方向运动机构(I)和Υ2方向运动机构都是单独运动，不相互影响，以此调节抑制电极(5)和引出电极(4)在X方向的位置，最终调节至抑制电极(5)和引出电极(4)的引出缝水平。图3所示为本专利技术实施例的俯视图，其中Zl方向运动机构(7)和Ζ2方向运动机构⑶分别用于控制抑制电极(5)和引出电极⑷在Zl方向上和Ζ2方向上的运动。其中Zl方向运动机构(7)用于调节抑制电极(5)和引出电极(4)在Z方向上的整体运动，以此调节抑制电极(5)和引出电极⑷引出缝和离子源引出缝的距离。其中Ζ2方向运动机构⑶与Yl方向运动机构⑴连接，Ζ2方向运动机构⑶与Υ2方向运动机构(6)相互独立，即Ζ2方向运动机构(8)用于调节抑制电极(5)和引出电极(4)在Yl方向运动机构⑴一端的Z方向上的移动，以此调节至抑制电极(5)和引出电极(4)的左右两端在Z方向上相平。图3中用于连接抑制电极(5)和引出电极⑷的连接柱(9)为4个，材料为陶瓷，起到绝缘作用。以上所述已对本专利技术的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本专利技术精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本专利技术专利的侵犯，将承担相应的法律责任。权利要求1.一种用于宽带束离子注入机的引出电极系统，包括Y1方向运动机构(1)，移动支架(2)，安装法兰(3)，引出电极(4)，抑制电极(5)，Y2方向运动机构(6)，Zl方向运动机构(7)，Ζ2方向运动机构(8)，用于连接抑制电极(5)和引出电极(4)的连接柱(9)。2.权利I中所述用于宽带束离子注入机的引出电极系统，其中Yl方向运动机构(I)用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Yl方向上的运动，Υ2方向运动机构(6)用于控制抑制电极(5)和引出电极⑷在Υ2方向上的运动。Zl方向运动机构(7)和Ζ2方向运动机构⑶分别用于控制抑制电极(5)和引出电极⑷在Zl方向上和Ζ2方向上的运动。3.权利I和2中所述用于宽带束离子注入机的引出电极系统，其中Yl方向运动机构(I)和Υ2方向运动机构在结构上相对独立，即Yl方向运动机构(I)和Υ2方向运动机构都是单独运动，不相互影响，以此调节抑制电极(5)和引出电极(4)在X方向的位置，最终调节至抑制电极(5)和引出电极⑷的引出缝水平。4.权利I和2中所述用于宽带束离子注入机的引出电极系统，其中Zl方向运动机构(7)用于调节抑制电极(5)和引出电极⑷在Z方向上的整体运动，以此调节抑制电极(5)和引出电极⑷引出缝和离子源引出缝的距离，其中Ζ2方向运动机构⑶与Yl方向运动机构⑴连接，Ζ2方向运动机构⑶与Υ2方向运动机构(6)相互独立，即Ζ2方向运动机构⑶用于调节抑制电极(5)和引出电极⑷在Yl方向运动机构⑴一端的Z方向上的移动，以此调节至抑制电极(5)和引出电极(4)的左右两端在Z方向上相平。全文摘要本专利技术提供一种用于宽带束离子注入机的引出电极系统，包括Y1方向运动机构(1)，移动支架(2)，安装法兰(3)，引出电极(4)，抑制电极(5)，Y2方向运动机构(6)，Z1方向运动机构(7)，Z2方向运动机构(8)，用于连接抑制电极(5)和引出电极(4)的连接柱(9)。其中Y1方向运动机构(1)用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Y1方向上的运动，Y2方向运动机构(6)用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Y2方向上的运动。Z1方向运动机构(7)和Z2方向运动机构(8)分别用于控制抑制电极(5)和引出电极(4)在Z1方向上和Z2方向上的运动本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于宽带束离子注入机的引出电极系统，包括：Y1方向运动机构(1)，移动支架(2)，安装法兰(3)，引出电极(4)，抑制电极(5)，Y2方向运动机构(6)，Z1方向运动机构(7)，Z2方向运动机构(8)，用于连接抑制电极(5)和引出电极(4)的连接柱(9)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓颖辉，彭立波，林萍，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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