本发明专利技术提供一种使用了如下由Mo合金构成的覆盖层的电子部件用层叠布线膜以及用于形成覆盖层的溅射靶材,其中,所述覆盖层改善耐湿性、耐氧化性,进而在与低电阻的主导电层Al进行层叠时,即使经过加热工序也能维持低电阻值。所述电子部件用层叠布线膜是在基板上形成金属膜的电子部件用层叠布线膜,由以Al为主成分的主导电层和覆盖该主导电层的一面和/或另一面的覆盖层构成,该覆盖层为,原子比的组成式由Mo100-x-y-Nix-Tiy,10≤x≤30、3≤y≤20所表示,余量由不可避免的杂质构成。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及要求耐湿性、耐氧化性的电子部件用层叠布线膜以及用于形成覆盖该层叠布线膜的主导电层的一面和/或另一面的覆盖层的覆盖层形成用溅射靶材。
技术介绍
不仅在液晶显示器(以下称为IXD)、等离子体显示面板(以下称为rop)、用于电子纸等的电泳型显示器等的平面显示装置(平板显示器、以下称为FPD)中需要形成低电阻的布线膜,而且在各种半导体器件、薄膜传感器、磁头等薄膜电子部件中也需要形成低电阻的布线膜。例如,就在玻璃基板上形成薄膜器件的LCD、PDP、有机EL显示器等的FPD而言,伴随着大画面、高精细、高速应答化,对其布线膜要求低电阻化。进而,近年来,已 开发出对FPD赋予操作性的触摸面板、使用了树脂基板的柔性FPD等新产品。近年来,被用作FPD的驱动元件的薄膜晶体管(TFT)使用Si半导体膜,若作为低电阻布线膜的Al与Si直接接触,则因TFT制造中的加热エ序而导致热扩散,使TFT的特性劣化。因此,可使用以耐热性优异的纯Mo、Mo合金在Al与Si之间作为遮挡膜的层叠布线膜。另外,在从TFT接出的像素电极或用于便携型终端、平板电脑等的触摸面板的位置检测电极中,通常使用作为透明导电膜的ITO(铟-锡氧化物)。在这种情况下,若作为布线膜的Al与ITO接触,则在其界面生成氧化物而也使电接触性劣化。因此,在Al与ITO之间形成纯Mo、Mo合金作为接触膜而确保与ITO的接触性。如上所述,要获得发挥Al的低电阻特性的布线膜,纯Mo、Mo合金膜必不可少,需要制成将Al用纯Mo、Mo合金覆盖的层叠布线膜。进而,近年来,积极进行着使用了被认为比非晶质Si半导体更适于高速驱动的氧化物的透明半导体膜的研究,对这些氧化物半导体的Al层叠膜的接触膜、遮挡膜的覆盖层,也在研究纯Mo的应用。因此,作为改善纯Mo特性的手段,本申请人提出了耐腐蚀性、耐热性、与基板的密合性优异且低电阻的对Mo添加3 50原子%的V、Nb等而得的Mo合金膜(例如,參照专利文献I)。专利文献专利文献I:日本特开2002-190212号公报
技术实现思路
上述专利文献I中提出的Mo-V、Mo_Nb合金等由于与Mo相比耐腐蚀性、耐热性、与基板的密合性优异,所以被广泛用于在玻璃基板上形成FPD的用途。toon] 然而,在制造Fro时,在基板上形成层叠布线膜后移至下一个エ序之际有时被长时间地放置于大气中。另外,在为了提高简便性而使用了树脂膜的轻量且柔性的Fro等中,由于树脂膜与迄今为止的玻璃基板等相比有透湿性,所以对层叠布线膜要求更高的耐湿性。进而,有时在对FPD的接头部等安装信号线电缆时在大气中进行加热,因此,对层叠布线膜还要求耐氧化性的提高。除此以外,在使用了氧化物的半导体膜中,有时为了提高特性、稳定化而在含 氧的气氛下、在形成含氧的保护膜之后,在350°C以上的高温下进行加热处理。因此,对层叠布线膜也提高了提升耐氧化性的要求,以使之在经过这些加热处理后也能维持稳定的特性。根据本专利技术人的研究,确认了若用上述Mo-V、Mo-Nb合金、纯Mo,则有时产生如下问题在上述环境下的耐湿性、耐氧化性不充分,在FPD制造工序中制成层叠布线膜的覆盖层时,发生变色。若耐氧化性不充分,则使电接触性劣化而导致电子部件的可靠性下降。此外,本专利技术人确认了如下问题由于高速驱动,TFT制造工序中的加热温度存在上升的倾向,若经过更高温度下的加热工序,则层叠布线膜所含的合金元素扩散至Al中而使电阻值增大。本专利技术的目的在于提供一种使用了由Mo合金构成的覆盖层的电子部件用层叠布线膜以及用于形成覆盖层的溅射靶材,其中,所述覆盖层可改善耐湿性、耐氧化性,在与低电阻的主导电层Al层叠时,即使经过加热工序,也可维持低电阻值。本专利技术人鉴于上述课题,致力于新添加至Mo中的元素的最优化,其结果是,发现通过将特定量的Ni与Ti复合添加至Mo中,使耐湿性、耐氧化性提高,并且在制成作为主导电层的Al的覆盖层时,即使经过加热工序,也可维持低电阻值,从而完成了本专利技术。S卩,本专利技术为一种电子部件用层叠布线膜,是在基板上形成金属膜的电子部件用层叠布线膜,由以Al为主成分的主导电层和覆盖该主导电层的一面和/或另一面的覆盖层构成,该覆盖层为,原子比的组成式由M0l.x_y-Nix-Tiy,10彡X彡30,320所表示,余量由不可避免的杂质构成。另外,本专利技术中,优选将上述组成式的x、y分别设为10彡X彡20,9彡y彡15。另外,本专利技术为一种覆盖层形成用溅射靶材,其为利用溅射法形成上述覆盖层时的靶材,所述覆盖层形成用溅射靶材为,原子比的组成式由Mo1QQ_x_y-Nix-Tiy,10彡X彡30、3 ^ y ^ 20所表示,余量由不可避免的杂质构成。另外,本专利技术中,优选上述组成式的x、y分别为10彡X彡20、9彡y彡15。本专利技术的电子部件用层叠布线膜可提高耐湿性、耐氧化性。另外,即使在与Al进行层叠时的加热工序中也可抑制电阻值增大而维持低电阻值。由此,具有通过用于在各种电子部件、例如形成于树脂基板上的FPD等的布线膜而能够对电子部件的稳定制造、可靠性提高作出大的贡献的优点,为在电子部件的制造中不可缺少的技术。尤其是成为对于使用触摸面板、树脂基板的柔性FH)非常有用的层叠布线膜。这是由于对于这些制品而言,尤其是耐湿性、耐氧化性非常重要。附图说明图I是本专利技术的电子部件用层叠布线膜的截面示意图的一例。具体实施例方式将本专利技术的电子部件用层叠布线膜的示意图示于图I。本专利技术的电子部件用层叠布线膜包含覆盖以Al为主成分的主导电层3的一面和/或另一面的覆盖层2、4,例如形成在基板I上。虽然在图I中在主导电层3的两面形成覆盖层2、4,但可根据电子部件的形态而仅覆盖一面,可适当地进行选择。应予说明,仅将主导电层的一面用本专利技术的覆盖层进行覆盖时,在主导电层的另一面上可根据电子部件的用途而用与本专利技术组成不同的覆盖层进行覆盖。本专利技术的重要特征在于发现了一种新的Mo合金,其通过在图I所示的电子部件用层叠布线膜的覆盖层中,向Mo复合添加特定量的Ni与Ti,使耐湿性、耐氧化性提高,在与Al层叠时的加热エ序中能够维持低电阻值。下面,对本专利技术的电子部件用布线膜进行详细说明。应予说明,以下说明中,“耐湿性”是指在高温高湿环境下的布线膜的电阻值变化。另外,“抗氧化性”是指高温环境下的电接触性劣化难度,可利用布线膜的变色确认,例如可利用反射率进行定量评价。在形成本专利技术的电子部件用层叠布线膜的覆盖层的Mo合金中添加Ni的理由在于 提高覆盖层的耐氧化性。纯Mo在大气中加热后,发生氧化,膜表面变色,电接触性劣化。本专利技术的电子部件用层叠布线膜的覆盖层通过对Mo添加特定量的Ni而具有抑制覆盖层变色的效果,可提高耐氧化性。其效果在Ni的添加量为10原子%以上时变得显著。另ー方面,Ni是比Mo容易向Al进行热扩散的元素。若Ni向Mo的添加量超过30原子%,则在制造Fro等电子部件时的加热エ序中,覆盖层的Ni容易扩散至主导电层的Al而变得难以维持低电阻值。因此,将Ni的添加量设为1(T30原子%。另外,在对主导电层的Al形成覆盖层,以高于350°C的温度进行加热时,覆盖层的Ni变得容易扩散至主导电层的Al,有时电阻值上升。本专利技术中为了維持低电阻值,优选将Ni的添加量设为20原子%以下。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子部件用层叠布线膜,其特征在于,是在基板上形成金属膜的电子部件用层叠布线膜,由以Al为主成分的主导电层和覆盖该主导电层的一面和/或另一面的覆盖层构成,该覆盖层为,原子比的组成式由Mo100?x?y?Nix?Tiy,10≤x≤30、3≤y≤20所表示,余量由不可避免的杂质构成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:村田英夫,
申请(专利权)人:日立金属株式会社,
类型:发明
国别省市:
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