MEMS传感器中的多层NONON膜制造技术

技术编号:8382948 阅读:162 留言:0更新日期:2013-03-06 23:53
各种实施例涉及一种MEMS压力传感器及其制造方法。该MEMS压力传感器包括:下电极;第一绝缘层,在所述下电极上方;第二绝缘层,在所述第一绝缘层上方,在所述第一绝缘层和第二绝缘层之间形成腔体;上电极,在所述第二绝缘层上方,其中,所述腔体的一部分在所述上电极和下电极之间;以及NONON压力膜,在所述上电极上方。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MEMS压力传感器,包括:下电极;上电极,在所述下电极上方;绝缘层,在所述下电极与上电极之间,其在所述上下电极与下电极之间形成腔体;以及NONON压力膜,在所述上电极上方。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林
申请(专利权)人:NXP股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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