高尔夫球具杆头制造技术

技术编号:8381180 阅读:189 留言:0更新日期:2013-03-06 20:52
一种高尔夫球具杆头,该杆头(2)包括作为第一构件的杆头体(h1)和作为第二构件的打击面板(p1)。第一构件和第二构件的边界(k1)存在于杆头的表面上。沉积层被形成在包括杆头的表面上的边界的区域中。沉积处理中的温度(Tp)等于或小于150℃。较佳地,沉积层通过PVD形成。较佳地,第一构件和第二构件被粘合剂粘合。较佳地,沉积层具有表面层和下层。较佳地,被暴露的沉积层为TiC层。较佳地,沉积层的总厚度Tt大于等于0.5μm且小于等于3.0μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高尔夫球具杆头
技术介绍
高尔夫球具杆头可能受到表面处理。典型的表面处理是涂漆和电镀(plating)。日本平开专利申请No. 2001-327636公开了一种高尔夫球具杆头,该高尔夫球具杆头上覆盖有通过气相涂敷(vaporphase coating)而形成的涂层。该申请公开了一种铁杆头,其打击面板由钛合金制成。气相涂敷的实例包括PVD (物理气相沉积方法(physicalvapor deposition method)), CVD(化学气相沉积方法(chemical vapor depositionmethod))和扩散法。
技术实现思路
在本文描述的杆头中,打击面板和杆头体之间存在边界。据发现,当具有在构件之间的边界的杆头受到沉积(deposition)时,在边界附近会产生缺陷。本专利技术的目的在于提供了一种高尔夫球具杆头,该高尔夫球具杆头能够抑制在构件之间的边界中的沉积缺陷。本专利技术的高尔夫球具杆头包括第一构件和第二构件。第一构件和第二构件的边界存在于杆头的表面上。沉积层被形成在包括在杆头的表面上的边界的区域中。在沉积处理中的温度Tp等于或小于150°C。较佳地,沉积层通过PVD形成。较佳地,第一构件和第二构件通过粘合剂粘合不动。较佳地,沉积层具有表面层和下层。较佳地,被暴露的沉积层为TiC层。较佳地,沉积层的总厚度Tt大于等于0. 5tm且小于等于3. O μ m。附图说明图I是本专利技术的第一个实施例的高尔夫球具杆头的立体图;图2是图I中的杆头的前视图;图3是沿着图2中的线F3-F3的截面图;图4是打击面表面的放大截面图;图5是图2的圈F5中的放大视图;图6是根据第二个实施例的杆头的打击面表面的放大截面图;和图7是根据第三个实施例的杆头的打击面表面的放大截面图。具体实施例方式在下文中,将参考附图根据最 佳实施例描述本专利技术。如图I至3所示,杆头2为铁制型高尔夫球具杆头。杆头2具有打击面4,杆颈(hosel)6和底部8。杆颈6具有杆颈孔10。打击面凹槽gv被形成在打击面4的表面中。图3中省略了打击面凹槽gv的描述。打击面4的中心部分受到喷射处理(blastprocessing)。所有的打击面凹槽gv都位于受到喷射处理的区域Rs内。未受到喷射处理的区域Rn存在于打击面4的趾侧和跟侧中的每一个中。标号bl表示区域Rs和区域Rn的边界线。杆头2具有作为第一构件的杆头体hi和作为第二构件的打击面板pi。杆头体hi (第一构件)为金属。杆头体hi的材料为不锈钢。打击面板pi (第二构件)为金属。打击面板pl的材料为钛合金。杆头2为空穴基铁(cavity back iron)。杆头2的形状不限。杆头体hi具有打击面开口。该打击面开口的轮廓基本等于打击面板Pl的轮廓。打击面板pl被适配在打击面开口(参见图3)中。打击面板pl构成打击面4的大部分。所有的打击面凹槽gv被形成在打击面板Pl中。图2中显示打击面板pl和杆头体hi的边界kl。在实际杆头中几乎注意不到边界kl。因此,图I中省略了边界kl的描述。在打击面4中,打击面板pl和杆头体hi构成同一平面PL1。平面PLl为打击面表面。边界kl位于平面PLl上。打击面4受到表面处理。整个打击面4受到表面处理。表面处理为沉积。在本实施例中,PVD用作为沉积处理。在本实施例中,在沉积处理之后执行喷射处理。也可以在喷射处理之后执行沉积处理。打击面凹槽gv通过切削处理形成。具体地,打击面凹槽gv通过刀具加工。该加工为NC加工。NC代表“数控(Numerical Control)”。在打击面凹槽gv被形成之后执行沉积处理。因此,打击面凹槽gv的表面(包括打击面凹槽gv的底表面)也受到沉积处理。如图2所示,打击面板pl的跟侧端被大致沿着边界线bI布置。另一方面,打击面板Pl的趾侧端被大致沿着杆头2的轮廓布置。打击面板pl具有区域Rs和区域Rn。打击面板pl的趾侧部分为区域Rn。打击面板pl具有边界线bl。打击面4的表面为平面。整个平面部分分受到沉积处理。受到沉积处理的区域包括边界kl。沉积处理的实例包括PVD (物理气相沉积方法)和CVD (化学气相沉积方法)。PVD的实例包括真空沉积,溅射,离子电镀,离子束沉积和离子注入沉积。CVD的实例包括等离子体CVD,激光激励CVD和光激励CVD。考虑到在其中执行化学反应的腔中的压力,CVD的实例包括标准压力CVD和低压力CVD。可以在现有的设备中执行沉积。被沉积的物质的实例包括TiC,TiN, TiAlN, TiCN, CrN, Zr,ZrN, SiC, A1203, BN,Si02, Ti02, Zr02 和 MgF2。也可以用 DLC(类金刚石膜(diamond like carbon))。这些物质作为被沉积的物质。图4是杆头2的表面附近的截面图。表面层Ls被形成在打击面4的表面上。表面层Ls为沉积层。表面层Ls通过PVD形成。表面层Ls为被暴露的沉积层。在本实施例中使用了 TiC(碳化钛)。即,表面层Ls为TiC层。TiC显示为黑色。图5是图2中由F5表示的圈的放大视图。外观缺陷部分fa由图5中的双点划线表示。外观缺陷部分fa并未应用在本专利技术的杆头中。外观缺陷部分fa形成色差,当与围绕部分相比时,能够通过眼睛识别出该色差。可以通过眼睛识别外观缺陷部分fa。外观缺陷部分fa会降低产品价格。当产生外观缺陷部分fa时,需要重新进行(修改)沉积处理。在本实施例中,几乎不产生外观缺陷部分fa。即使当产生外观缺陷部分fa时,也可以修改(重新进行)沉积处理。为了除去外观缺陷部分fa,进行了多次试验。结果发现,沉积处理可以改变外观缺陷部分fa的产生率。特别地,据发现在沉积处理中温度Tp有助于抑制外观缺陷部分fa。考虑抑制外观缺陷部分fa,温度Tp较佳地等于或小于150°C,更佳地等于或小于 140°C,还更佳地等于或小于130°C,并更佳地等于或小于120°C。当温度Tp太低时,沉积处理可能变得困难或可能减小胶粘性。在这点上,温度Tp较佳地等于或大于90°C,更佳地等于或大于100°C。当存在多个沉积层时,在所有沉积处理中的温度Tp较佳地满足这些较佳的温度范围。处理的温度Tp通常为标准温度,即,在杆头的PVD处理中为300°C左右。包括打击面和杆头体的整体构造的杆头不会在处理温度上引起问题。然而,据发现当多个构件的边界存在时,会引起外观缺陷问题。因此,通过降低温度Tp会减少外观缺陷部分fa。外观缺陷部分fa的具体产生原因并不清楚。然而,通过分析稍后描述的实例的结果可以推测产生原因。能够推测出的一个原因是抑制边界kl上存在的沉积的物质(以下,也被称为抑制剂Pt)。抑制剂Pt的实例包括粘合剂,切削油和填缝料(putty)。粘合剂用于粘合打击面板Pl和杆头体hi。当通过切削处理形成打击面凹槽gv时使用切削油。填缝料可以用于防止切削油进入边界kl。据知,因为抑制剂Pt残余而导致沉积失败。特别地,粘合剂往往会在高温条件下流动。因此,在高温加工期间,粘合剂可能流出来。填缝料为衬垫材料,用于填补凹部,裂缝和孔等等。填缝料的实例包括环氧填缝料,聚酯填缝料,石膏填缝料和碳酸钙填缝料。粘合剂不受限制。粘合剂的实例包括丙烯酸粘合剂,环氧粘合剂和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高尔夫球具杆头,其特征在于,包括:第一构件;和第二构件;其中,所述第一构件和所述第二构件的边界位于所述杆头的表面上;沉积层形成在包括所述杆头的所述表面上的所述边界的区域;并且沉积处理中的温度Tp等于或小于150℃。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:元川祐贵平野智哉
申请(专利权)人:邓禄普体育用品株式会社
类型:发明
国别省市:

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