一种射频信号中低频段高抑制双工器制造技术

技术编号:8378200 阅读:172 留言:0更新日期:2013-03-01 06:41
本实用新型专利技术公开了一种射频信号中低频段高抑制双工器,本实用新型专利技术包括由腔体壁分隔开的两个相邻腔体,其中第一腔体设有TX滤波器及TX端口,第二腔体设有RX滤波器及RX端口;腔体侧面设有公共端口,且两个滤波器在该连接处的隔墙开有通槽实现耦合。本实用新型专利技术的谐振杆采用多盘式结构,单腔侧边采用多层凸台结构,两者相互交叉式耦合连接,容性交叉耦合装置为连接两根谐振杆的容性交叉耦合片。本实用新型专利技术在保证指标的情况下,使指标带外抑制高,插损小、便于安装调试,提高了整个系统的性能。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术是属于电子信息和移动通讯
中的网络优化产品,具体是一种射频信号中低频段高抑制双工器
技术介绍
双工器是异频双工电台,中继台的主要配件,其作用是将发射和接收讯号相隔离,保证接收和发射都能同时正常工作。它是由两组不同频率的阻带滤波器组成,避免本机发射信号传输到接收机。本技术所指的射频信号中低频段是指lOOMHzlOOMHz。现有的双工器主要有两种,一种由六个螺旋带阻滤波器(陷波器)组成,各滤波器谐振于发射和接收频率。这种双工器只能做到两端口相互抑制,如果系统中带外某频段需要被抑制,则不能使用此方案。另一种双工器采用同轴腔体式带通滤波器组成,这种双工器体积大,成本极高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种高抑制性、小体积、低成本的双工器。一种射频信号中低频段高抑制双工器,包括由腔体壁分隔开的两个相邻腔体,分别为第一腔体和第二腔体,第一腔体和第二腔体的一侧采用盖板封闭;在第一腔体内部设有TX滤波器,第一腔体侧面设有与TX滤波器输入端相连的TX端口,在第二腔体内部设有RX滤波器,在第二腔体侧面设有与RX滤波器输入端连接的RX端口 ;在相对TX端口和RX端口另一侧的腔体侧面设有公共端口,该公共端口与TX滤波器输出端和RX滤波器输出端共同连接,且两个滤波器在该连接处的隔墙开有通槽实现耦合。TX滤波器是七个依次相连的谐振腔,即第一谐振腔到第七谐振腔,每个谐振腔的中心位置安装了一个谐振杆,第一谐振腔的谐振杆和第七谐振腔的谐振杆分别通过耦合导线与TX端口及公共端口连接,并且在第二谐振腔与第四谐振腔之间,第五谐振腔与第七谐振腔之间安装有容性交叉耦合装置。RX滤波器是七个依次相连的谐振腔,即第八谐振腔到第十四谐振腔,每个谐振腔的中心位置安装了一个谐振杆,第八谐振腔的谐振杆和第十四谐振腔的谐振杆分别通过耦合导线与RX端口及公共端口连接,并且在第九谐振腔与第十一谐振腔之间,第十二谐振腔与第十四谐振腔之间安装有感性交叉耦合装置。所述谐振杆采用多盘式结构,各谐振腔侧边采用多层凸台结构,两者相互交叉式耦合连接。所述容性交叉耦合装置为连接两根谐振杆的容性交叉耦合片,在容性交叉耦合片与谐振杆之间垫有一个起绝缘作用的介质片。所述感性交叉耦合装置是安装在谐振杆底面腔体上的调谐跨线。本专利技术的有益效果I、现有的单盘式谐振杆达不了 IOOMHf400MHz频带,除非把单腔体积做大。本技术谐振杆采用多盘式结构,谐振腔侧边采用多层凸台结构,两者相互交叉式耦合连接。实现了 IOOMHz 400MHz频带的要求。2、现有的容性交叉耦合装置,是固定在腔体凹糟中的调谐飞杆,通过增加耦合杆同谐振器距离增加交叉耦合量。但是如果抑制要求很高,此方式达不到要求。本技术采用一根容性交叉耦合片将两根谐振杆连接,实现了高抑制要求。3、本技术在保证指标的情况下,使指标带外抑制高,插损小、便于安装调试,提高了整个系统的性能,增强了网络的可靠性,并更加适合于工程实施应用。使其成为成本低、实用性强的通讯网络优化设备。附图说明图I是腔体正面的结构示意图;图2是本技术单腔多盘式谐振杆安装结构示意图。·具体实施方式本技术采用集总参数和分布参数原理,根据技术指标,结合切比雪夫型带通滤波器设计原理。见图1,本技术包括由腔体壁分隔开的两个相邻腔体,分别为第一腔体I和第二腔体2,第一腔体I和第二腔体2的一侧采用盖板3封闭。腔体I、腔体2内部分别设有两个滤波器分别为TX滤波器和RX滤波器。整个合路器有三个接头分别是TX端口 4,RX端口 5和公共端口 6。其中TX端口 4、RX端口 5分别与TX滤波器输入端、RX滤波器输入端连接。公共端口 6与TX滤波器输出端和RX滤波器输出端共同连接,且两个滤波器在该连接处的隔墙开有通槽实现耦合,并且用盖板3连成一体。TX滤波器是七个依次相连的谐振腔,即第一谐振腔21到第七谐振腔27,每个谐振腔的中心位置安装了一个谐振杆7,第一谐振腔的谐振杆和第七谐振腔的谐振杆分别通过耦合导线14与TX端口 4及公共端口 6连接,并且在第二谐振腔22与第四谐振腔24之间,第五谐振腔25与第七谐振腔27之间安装有容性交叉耦合装置。耦合导线是将镀银导线用焊锡固定在谐振杆和接头上。RX滤波器是七个依次相连的谐振腔,即第八谐振腔31到第十四谐振腔37,每个谐振腔的中心位置安装了一个谐振杆,第八谐振腔的谐振杆和第十四谐振腔的谐振杆分别通过耦合导线14与RX端口 5及公共端口 6连接,并且在第九谐振腔32与第十一谐振腔34之间,第十二谐振腔35与第十四谐振腔37之间安装有感性交叉耦合装置13。耦合导线14是将镀银导线用焊锡固定在谐振杆和接头上。感性交叉耦合装置13是安装在谐振杆底面腔体上的调谐跨线。如图2所示,本技术谐振杆7采用多盘式结构,单腔侧边采用多层凸台8结构,两者相互交叉式耦合连接。侧面的调螺15起到调谐频率的作用。本技术容性交叉耦合装置采用一根容性交叉耦合片10,该容性交叉耦合片前后两端分别打有定位孔,谐振杆侧面位置打有带螺纹的安装孔。介质片11位于耦合片与谐振杆之间起绝缘作用。耐高温塑料螺钉9把两根容性交叉耦合片分别安装到第二谐振腔22与第四谐振腔24,第五谐振腔25与第七谐振腔27的谐振杆上,背后用螺母把螺钉12固定住。权利要求1.一种射频信号中低频段高抑制双工器,其特征在于包括由腔体壁分隔开的两个相邻腔体,分别为第一腔体(I)和第二腔体(2),第一腔体(I)和第二腔体(2)的一侧采用盖板(3)封闭;在第一腔体(I)内部设有TX滤波器,第一腔体(I)侧面设有与TX滤波器输入端相连的TX端口(4),在第二腔体(2)内部设有RX滤波器,在第二腔体(2)侧面设有与RX滤波器输入端连接的RX端口(5);在相对TX端口(4)和RX端口(5)另一侧的腔体侧面设有公共端口(6),该公共端口(6)与TX滤波器输出端和RX滤波器输出端共同连接,且两个滤波器在该连接处的隔墙开有通槽实现耦合。2.根据权利要求I所述的射频信号中低频段高抑制双工器,其特征在于TX滤波器是七个依次相连的谐振腔,即第一谐振腔(21)到第七谐振腔(27),每个谐振腔的中心位置安装了一个谐振杆(7),第一谐振腔(21)的谐振杆和第七谐振腔(27)的谐振杆分别通过耦合导线(14)与TX端口(4)及公共端口(6)连接,并且在第二谐振腔(22)与第四谐振腔(24)之间,第五谐振腔(25)与第七谐振腔(27)之间安装有容性交叉耦合装置。3.根据权利要求I所述的射频信号中低频段高抑制双工器,其特征在于RX滤波器是七个依次相连的谐振腔,即第八谐振腔(31)到第十四谐振腔(37),每个谐振腔的中心位置安装了一个谐振杆,第八谐振腔(31)的谐振杆和第十四谐振腔(37)的谐振杆分别通过耦合导线(14)与RX端口(5)及公共端口(6)连接,并且在第九谐振腔(32)与第i^一谐振腔(34)之间,第十二谐振腔(35)与第十四谐振腔(37)之间安装有感性交叉耦合装置(13)。4.根据权利要求I至3任何一项所述的射频信号中低频段高抑制双工器,其特征在于所述谐振杆(7)采用多盘式结构,各谐振腔侧边采用多层凸台(8)结构,两者相互交叉式耦合连接。5.根据权利要求2所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频信号中低频段高抑制双工器,其特征在于:包括由腔体壁分隔开的两个相邻腔体,分别为第一腔体(1)和第二腔体(2),第一腔体(1)和第二腔体(2)的一侧采用盖板(3)封闭;在第一腔体(1)内部设有TX滤波器,第一腔体(1)侧面设有与TX滤波器输入端相连的TX端口(4),在第二腔体(2)内部设有RX滤波器,在第二腔体(2)侧面设有与RX滤波器输入端连接的RX端口(5);在相对TX端口(4)和RX端口(5)另一侧的腔体侧面设有公共端口(6),该公共端口(6)与TX滤波器输出端和RX滤波器输出端共同连接,且两个滤波器在该连接处的隔墙开有通槽实现耦合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑进喜郑姗姗刘钧张存爱韩敏
申请(专利权)人:南京广顺网络通信设备有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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