本发明专利技术涉及一种隐私保护滤光片及其制造方法,更具体而言,涉及一种隐私保护滤光片及其制造方法,其中,所述隐私保护滤光片包括:第一透明基板;第二透明基板,其以与第一透明基板间隔预定的距离且相对地设置;电解质,其填充在第一透明基板和第二透明基板之间;和第二透明导电层,其设置在电解质与第二透明基板之间,其中第一透明基板包括:具有线栅和沟槽的凸凹图形,其形成于第一透明基板上;第一透明导电层,其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上;和电致变色层,其沿着线栅的侧壁在第一透明导电层上形成,并且包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。本发明专利技术的隐私保护滤光片在隐私模式下有效地阻挡了光的侧向透射而没有损失前侧透射,实现宽视野模式和窄视野模式之间的快速转换,并确保优异的滤光性能和驱动稳定性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种隐私保护滤光片(privacy filter)及其制造方法,更具体而言,涉及一种,其中,所述隐私保护滤光片将无机电致变色材料用于高深宽比的凸凹图形以降低侧向透射而不会使前侧透射劣化,因此增强了隐私模式功能,实现宽视野模式和窄视野模式之间快速转换,并且确保在滤光性能和驱动稳定性方面优异。
技术介绍
随着强烈的隐私保护需求的增加,在不同领域已经开发了多种相关的产品。在保护隐私的产品中,对安装在移动电话或计算机屏幕上以阻挡侧向透射并使屏幕视角变窄的隐私保护滤光片的需求每年都在增加。然而,在不从屏幕上移开隐私保护滤光片的情况下,视角一旦变窄就不可恢复,导致在不需要隐私保护功能的时候不得不从屏幕移开隐私保护 滤光片的不便利性。为了消除上述不便利性,最近已经开发一种可转换的隐私保护滤光片,其不包括附加膜,而根据接收的电信号选择性地控制视角。对于可转换的隐私保护滤光片,可以以不同的方式实现阻挡光,例如,使用TOLC(聚合物分散的液晶)或PNLC(聚合物网络液晶)作为光吸收材料;采用单独的LCD结构;或应用电致变色材料。然而,由这些不同方法实现的可转换的隐私保护滤光片的共同缺点为在隐私模式下差的侧向透射、极低的前侧透射、在宽视野模式和窄视野模式之间的缓慢转换、在连续的模式转化中变差的性能和驱动稳定性等。已经做出了持续的研究以寻求这些问题的解决方案,但是满足上述需求的隐私保护滤光片仍没有明显发展。
技术实现思路
技术问题因此,本专利技术的一个目是提供一种使用电致变色材料的,其中在没有使前侧透射劣化的情况下,所述隐私保护滤光片具有相当优异的光的侧向透射,实现宽视野模式和窄视野模式之间的快速转换并且在连续的模式转换中确保优异的滤光性能和驱动稳定性。技术方案为了实现本专利技术的目的,提供了一种隐私保护滤光片,其包括第一透明基板;第二透明基板,其以与第一透明基板间隔预定的距离且相对地设置;电解质,其填充在第一和第二透明基板之间;第二透明导电层,其设置在电解质与第二透明基板之间。所述第一透明基板包括具有线栅和沟槽的凸凹图形,其形成于第一透明基板上;第一透明导电层,其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上;和电致变色层,其沿着线栅的侧壁在第一透明导电层上形成,并且包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。关于此,所述电致变色层可以还形成在凸凹图形的线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上。优选地,所述电致变色层为包含普鲁士蓝或过渡金属氧化物的无机材料。此外,提供了一种用于制造隐私保护滤光片的方法,该方法包括(a)在第一透明基板上形成具有线栅和沟槽的凸凹图形;(b)在凸凹图形上形成第一透明导电层;(c)在凸凹图形的第一透明导电层上形成电致变色层;和(d)利用其上形成有第二透明导电层的第二透明基板将间隔物设置在步骤(C)的基板和第二透明基板之间,注入电解质,然后使两个基板结合并密封在一起。上述方法还包括在步骤c)在第一透明导电层上形成电致变色层之后,对在线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上形成的电致变色层进行干法蚀刻。形成电致变色层的步骤(C)包括在30至60 μ A/cm2的电流密度下采用电沉积电镀法形成普鲁士蓝或过渡金属化合物。 在下文中,将对本专利技术给出更加详细的描述。本专利技术涉及一种可应用于显示器的可转换的隐私保护滤光片。与阻挡层为简单的线栅结构的一般的屏幕防窥膜不同,本专利技术提供了一种具有薄阻挡层的隐私保护滤光片结构,所述薄阻挡层适形地形成在具有线栅和沟槽的高深宽比凸凹图形上,或者仅形成在线栅结构的侧壁上。此外,本专利技术使用无机材料作为形成阻挡层的电致变色材料,并且采用电镀法,例如电沉积电镀法,而不是常规的溅射法。因此,本专利技术可以实现在收到电信号之后立即在宽视野模式和窄视野模式(即,隐私模式)之间的快速转换,并且在隐私模式下在不使前侧透射劣化的情况下阻挡光的侧向透射。在下文中,将参照附图描述根据本专利技术的优选的实施方式的。图I为示意性地显示根据本专利技术的一个实施方式的隐私保护滤光片的结构的模拟图;图2为示意性地显示根据本专利技术的另一实施方式的隐私保护滤光片的结构的模拟图。如图I和图2所示,本专利技术的隐私保护滤光片基本包括第一透明基板10 ;第二透明基板12,其以与第一透明基板10间隔预定的距离且相对地设置;电解质50,其填充上述两个基板之间;和第二透明导电层32,其设置在电解质50与第二透明基板12之间。该隐私保护滤光片还包括间隔物60,其设置在第一透明基板10和第二透明基板12的两端上以使这两个基板固定。第一透明基板10包括具有线栅和沟槽的高深宽比凸凹图形20 ;第一透明导电层30,其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上;和电致变色层40,其包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。优选地,所述凸凹图形20包括以预定的间隔形成于第一透明基板10上的线栅和沟槽以具有高深宽比。更优选地,所述凸凹图形的结构为线栅和沟槽的宽度为约ΙΟμπι或更小,由下面的公式I表示的沟槽深宽比(深度与宽度比)至少为约2。[公式I]沟槽深宽比=沟槽深度/沟槽宽度为了使线栅图形不可见,在所述凸凹图形中的线栅和沟槽的宽度优选为约ΙΟμπι或更小,更优选为约I μ m或更小。更具体而言,当沟槽宽度大于10 μ m时,观察到线栅图形使显示器的屏幕散射,这对于隐私保护滤光片而言是不合适的。此外,当由公式I表示的沟槽的深宽比(深度与宽度之比)小于2时,即使在窄视野模式下,侧向亮度也不会充分降低,这导致作为隐私保护滤光片功能的失败。关于此,所述凸凹图形可以为由光刻胶材料形成的绝缘层。第一透明导电层30适形地形成在凸凹图形20的线栅和沟槽上以得到凸凹图形结构。电致变色层40优选沿着线栅的侧壁形成在第一透明导电层30上。当需要时,电致变色层40可以还选择性地形成在凸凹图形的线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导体层30上。因此,如图I所示,根据本专利技术的一个优选实施方式的隐私保护滤光片包括第一 透明基板10 ;第二透明基板12,其以与第一透明基板10间隔预定的距离且相对地设置;电解质50,其填充在第一透明基板10和第二透明基板12之间;和第二透明导电层32,其设置在电解质50与第二透明基板12之间。此外,第一透明基板10可以包括具有线栅和沟槽的凸凹图形20,其形成在第一透明基板10上;第一透明导电层30,其形成在凸凹图形的线栅和沟槽上;和电致变色层40,其沿着线栅的侧壁形成在第一透明导电层30上,并且包含根据是否施加电信号来透射或吸收可见光的电致变色材料。在上述两个基板之间设置有间隔物60。在这种结构中,电致变色层40没有形成在凸凹图形的线栅顶部(a)和沟槽底部(b)上的第一透明导电层30上,而是仅沿着线栅的侧壁和沟槽的内部形成在第一透明导电层上。此外,如图2所示,根据本专利技术的另一优选实施方式的隐私保护滤光片包括第一透明基板10 ;第二透明基板12,其以与所述第一透明基板10间隔预定的距离且相对地设置;电解质50,其填充在第一透明基板10和第二透明基板12之间;和第二透明导电层32,其设置在电解质50与第二透明基板12之间。关于此,第一透明基板10可以包括具有线栅和沟槽的凸凹图形20,其形成在第一透明基板10上;第一透明导电层30,其形成在凸凹图形的线栅和沟槽上本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.22 KR 10-2010-00375681.一种隐私保护滤光片,包括 第一透明基板; 第二透明基板,其以与第一透明基板间隔预定的距离且相对地设置; 电解质,其填充在第一透明基板和第二透明基板之间;和 第二透明导电层,其设置在电解质与第二透明基板之间, 其中第一透明基板包括 具有线栅和沟槽的凸凹图形,其形成于第一透明基板上; 第一透明导电层,其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上;和 电致变色层,其沿着线栅的侧壁在第一透明导电层上形成,并且包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。2.根据权利要求I所述的隐私保护滤光片,其中,所述电致变色层还形成在凸凹图形的线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上。3.根据权利要求I所述的隐私保护滤光片,其中,所述电致变色层为包括普鲁士蓝或过渡金属氧化物的无机材料。4.根据权利要求3所述的隐私保护滤光片,其中,所述电致变色层为普鲁士蓝。5.根据权利要求3所述的隐私保护滤光片,其中,所述电致变色层包括作为过渡金属氧化物的WO3或LiNiO2。6.根据权利要求I所述的隐私保护滤光片,其中,所述凸凹图形具有如下图形结构线栅和沟槽的宽度为10 μ m或小于10 μ m,以及由下面的公式I表示的沟槽深宽比(深度与宽度比)至少为2, [公式I] 沟槽深宽比=沟槽深度/沟槽宽度。7.根据权利要求I所述的隐私保护滤光片,其中,所述凸凹图形为由光敏剂形成的绝缘层。8.根据权利要求I所述的隐私保护滤光片,其中,所述电致变色层的厚度为IOnm至I μ m09.根据权利要求I所述的隐私保护滤光片,其中,在所述凸凹图形的线栅和沟槽内部上的所述第一透明导电层的侧壁厚度为20至200nm。10.根据权利要求I所述的隐私保护滤光片,其中,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层选自导电金属膜、ITO、FTO和ZnO中。11.根据权利要求I所述的隐私保护滤光片,其中,所述第一透明基板...
【专利技术属性】
技术研发人员:金在镇,辛富建,权元钟,
申请(专利权)人:LG化学株式会社,
类型:
国别省市:
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