一种划分高填充率冗余图形的方法技术

本发明专利技术提供一种划分高填充率冗余图形的方法，包括以下顺序步骤：首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线；之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。本发明专利技术提供的划分高填充率冗余图形的方法能形成具有高填充率冗余图形，有助于提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计制造
，尤其涉及。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，为了提高化学机械研磨及刻蚀工艺的均一性，通常会在需要化学机械研磨或刻蚀的层中，加入冗余图形，而传统的冗余图形是固定尺寸的矩形或多边形。中国专利CN102468134A披露了一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法，包括如下步骤得到芯片制备中某个图层的可填充区域；预设一组图形密度不等的填充图形；等分为多个小块区域，设定在填充后图层的图形密度，小块区域的最小图形密度 值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值；计算上述各小块区域初始的图形密度值；计算填入的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值；采用虚拟图形填充的方法调整每个小块区域的图形密度；对各小块区域中的可填充区域进行填充，使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。这种冗余图形在较小尺寸的空白区域填充率很低或无法填充，从而导致版图局部区域的图形密度或梯度达不到设定目标，最终导致硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性受到影响。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的不足之处，提供，通过该方法确定的冗余图形具有相对较高的填充率，有助于提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。为了实现上述目的，本专利技术提供，包括以下顺序步骤 首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线；之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。本专利技术提供的一优选实施例中，其中冗余图形中相对侧边之间定义为a，所述a的数值范围为I 20000 nm。本专利技术提供的一优选实施例中，其中所述d的数值范围为f50000nm。本专利技术提供的一优选实施例中，其中所述a的数值不小于空白区域所在层中主图形设计要求的最小主图形尺寸。本专利技术提供的一优选实施例中，其中所述d的数值不小于空白区域所在层中主图形设计要求的最小主图形间距。本专利技术提供的划分高填充率冗余图形的方法能形成具有高填充率冗余图形，有助于提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。附图说明图I是本专利技术划分高填充率冗余图形的示意图。图2是本专利技术中冗余图形填充效果图。具体实施例方式本专利技术提供划分高填充率冗余图形的方法，有助于提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。·以下通过实施例对本专利技术提供的方法作进一步详细说明，以便更好理解本专利技术创造的内容，但实施例的内容并不限制专利技术创造保护的范围。划分高填充率冗余图形的方法包括以下顺序步骤 如图I所示，首先在主图形21、22层上划出需要填充冗余图形的空白区域，并确定空白区域的边线。之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形5的边线，其中所述冗余图形5各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，所述d的数值范围为f50000nm。一般，所述d的数值不小于空白区域所在层中主图形设计要求的最小主图形间距。优选的d的数值为500、1000、1500等。最后，将由各条冗余图形侧边线组成的图形，即确定为冗余图形。冗余图形中相对侧边之间定义为a，所述a的数值范围为f20000 nm。所述a的数值不小于空白区域所在层中主图形设计要求的最小主图形尺寸。如图2所示冗余图形填充效果图，图中黑色部分为主图形、斜线框部分为冗余图形。填充后局部图形密度达54%，相比传统的冗余图形填充效果有很大的提高。这种高填充率的冗余图形提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。以上对本专利技术的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本专利技术并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本专利技术进行的等同修改和替代也都在本专利技术的范畴之中。因此，在不脱离本专利技术的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本专利技术的范围内。权利要求1.，其特征在于，包括以下顺序步骤 首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线； 之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离， 最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。2.根据权利要求I所述的冗余图形，其特征在于，冗余图形中相对侧边之间定义为a，所述a的数值范围为f20000 nm。3.根据权利要求I所述的冗余图形，其特征在于，所述d的数值范围为f50000nm。4.根据权利要求I所述的冗余图形，其特征在于，所述a的数值不小于空白区域所在层中主图形设计要求的最小主图形尺寸。5.根据权利要求I所述的冗余图形，其特征在于，所述d的数值不小于空白区域所在层中主图形设计要求的最小主图形间距。全文摘要本专利技术提供，包括以下顺序步骤首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线；之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。本专利技术提供的划分高填充率冗余图形的方法能形成具有高填充率冗余图形，有助于提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。文档编号H01L27/02GK102945302SQ20121043240公开日2013年2月27日 申请日期2012年11月2日 优先权日2012年11月2日专利技术者阚欢, 张旭昇, 魏芳 申请人:上海华力微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种划分高填充率冗余图形的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线；之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阚欢，张旭昇，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：