本发明专利技术涉及一种应用于透明玻璃的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，其特征在于，以透明材料为基板材料，采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2膜层和一层SiNxOy膜层；通过SiNxOy层和SiO2层光学膜系配比设计，经分层氮化硅SiNxOy的成膜，使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小，与现有技术相比，本发明专利技术提供成膜方法对透明材质达到的提高透过率、减少反射作用，而使采用更廉价，更方便的含元素Si的靶材进行的含有的SiNxOy层和SiO2层膜系配比设计对透明材质达到的减少反射作用，主要用于触摸屏、薄膜电池、薄膜开关光电行业。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及表面装饰技术，特别涉及，使用分层SiNxOy成膜代替传统消影ITO (Nb205)膜，使透明材质的产品提高穿透率，降低反射率，达到消除视觉上ITO (透明导电薄膜)导电层的反射亮点的效果。
技术介绍
随着触摸屏在科技、商业以及日常生活的广泛应用，触摸屏使用量增多，尤其是在高中端市场，高透过率、高灵敏度的触摸屏的良好使用体验效果，促使大家对的触摸屏的高透过率、高灵敏度等特性进行研发。在现有技术中，提高透明玻璃的透过率、减少反射的传统方法是使用含有稀有金属Nb的物质，使用溅射方式在透明玻璃表面成膜，从而使透明玻璃达到提高透过率、减少反射的效果。由于稀有金属Nb (铌)资源有限，此方式会对人类赖以生存的生态环境照成破坏，生产成本较高。为改善此种情况，需要一种采用普通材料替代含有稀有金属Nb物质在透明材质表面成膜的新工艺，比如采用氮化硅SiNxOy成膜，现在国内所有厂商均使用含稀有金属Nb的靶材，以溅射方式来完成减少透明材料反射，目前，国内文献中尚未有在透明材质表面使用分层SiNxOy成膜工艺的报道，也没有应用分层SiNxOy成膜工艺改善的透明材质透过率及减少反射的数据的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对透明材质的成膜工艺的需要，提供一种应用于透明材质的分层氮化娃SiNxOy成膜方法,使用SiNxOy层和SiO2层来减少反射方法,不仅能提高透明材质透过率、减少反射，而且能充分利用现有机械设备进行工业化生产，从而提高工业设备使用效率，降低原材料成本，提供产品竞争力。本专利技术是通过这样的技术方案实现的，其特征在于，以透明材料为基板材料，采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2膜层和一层SiNxOy膜层；通过SiNxOy层和SiO2层光学膜系配比设计(入射光和反射光通过不同膜层之间折射率的不同，产生出不同的光学效果)，经分层氮化娃(SiNxOy )的成膜,使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小，所述方法包括如下次序步骤 步骤一、选取素透明材质基板或带透明导电膜层的透明材质为基板材料； 步骤二、在基板材料表面沉积第一 SiO2膜层、第二 SiO2膜层和SiNxOy膜层，根据在基板材料沉积三个膜层的顺序不同，形成三种膜层结构的产品，其中 第一种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为 a)首先在基板材料表面沉积第一 SiO2膜层，厚50 400nm，镀膜工艺条件电压300V 500V，通入工艺气体包含N2 (氮气)，O2 (氧气)，Ar (氩气)，SiO2膜层单层折射率为I. 6 2. I之间； b)在经过镀膜工艺生成的第一SiO2膜层表面沉积第二 SiO2膜层，膜厚50 400nm，镀膜工艺条件电压300V 500V，通入工艺气体包含N2 (氮气)，O2 (氧气)，Ar (氩气)，SiO2膜层单层折射率为I. 6 2. I之间； c)在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30 500nm，通入工艺气体包含N2 (氮气)，O2 (氧气)，Ar (氩气)；SiNxOy膜层单层折射率为I. 6 2. I之间；三层膜层综合折射率为I. 5 2. O ；x>0, 0〈y〈2 ;其中x是=SiNxOy分子式中N原子的数目；7是=SiNxOy分子式中O原子的数目，使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长是550nm ； 第二种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为 a)首先在基板材料上表面沉积第一SiO2膜层，厚50 400nm，镀膜工艺条件电压 300V 500V，通入工艺气体包含N2 (氮气)，02 (氧气)，Ar (氩气)；Si02膜层单层折射率为I.6 2. I之间； b)在经过镀膜工艺生成的第一SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30 500nm，通入工艺气体包含N2 (氮气)，O2 (氧气)，Ar (氩气)；SiNxOy膜层单层折射率为I. 6 2. I之间；生成的SiNxOy分子式中x>0, 0〈y〈2,其中x是SiNxOy分子式中N原子的数目，y是SiNxOy分子式中O原子的数目； c)在经过镀膜工艺生成的第二SiNxOy膜层表面沉积SiO2膜层，厚度为30 500nm，通入工艺气体包含N2 (氮气)，O2 (氧气)，Ar (氩气)；Si02膜层单层折射率为I. 6 2. I之间，三层膜层综合折射率为I. 5 2. O ;使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长是550nm ； 第三种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为 a)首先在基板材料表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30 500nm，通入工艺气体包含N2(氮气)，02 (氧气),Ar (気气);SiNx0y膜层单层折射率为I. 6 2. I之间，生成的SiNxOy分子式中x>0, 0<y<2 b)在经过镀膜工艺生成的第一SiNxOy膜层表面沉积SiO2膜层，厚度为30 500nm，通入工艺气体包含N2 (氮气)，O2 (氧气)，Ar (氩气)；Si02膜层单层折射率为I. 6 2. I之间， c)在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiO2膜层，厚度为30 500nm，通入工艺气体包含N2 (氮气),02 (氧气),Ar (気气);Si02膜层单层折射率为I. 6 2. I之间，三层膜层综合折射率为I. 5 2. O ;使用玻璃时成品量测透过率大于91%，测试光学透过率时使用的光波长是550nm; 步骤三、在完成了 SiO2膜层、SiNxOy膜层沉积的基板材料的顶层上面可以沉积一层透明导电层(TC0)，透明导电层(TCO)可采用AZO (掺铝氧化锌导电膜)、ITO (Indium TinOxides氧化铟锡导电薄膜)、FT0 (掺杂氟的SnO2导电膜)、或YZO (氧化锌掺钇透明导电薄膜)透明导电层。本专利技术的有益效果是与现有技术相比，本专利技术提供成膜方法对透明材质达到的提高透过率、减少反射作用，而使采用更廉价，更方便的含元素Si的靶材进行的含有的SiNxOy层和SiO2层膜系配比设计对透明材质达到的减少反射作用，主要用于触摸屏、薄膜电池、薄膜开关光电行业。附图说明图I、第一种膜层结构分布图A ； 图2、第二种膜层结构分布图A ; 图3、第三种膜层结构分布图A ; 图4、单纯透明材质基板示意 图5、带透明导电膜层的透明材质基板示意 图6、第一种膜层结构分布图B; 图7、第二种膜层结构分布图B; 图8、第三种膜层结构分布图B; 图中1.素透明材料基板，2.第一 SiO2膜层，3.第二 SiO2膜层，4. SiNxOy膜层，5.带透明导电膜层的透明材质基板，51.透明导电膜层图形。具体实施例方式为了更清楚的理解本专利技术，结合附图和实施例详细描述本专利技术 如图1-8所示，本方法在实施中可以选取不同的基板材料；例如 图4所示的素透明材料基板1，基板上无任何其他层、多为玻璃材质。图5所示的带透明导电膜层51的素透明材料材质基5，是在素透明材料上沉积有带图形的透明导电膜层51 ;透明导电膜层图形51是通过已知技术和工艺在素透明材料基板上加工而得到的。分别按图I、图2和图3的分层结构，通过沉本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，其特征在于，以透明材料为基板材料，采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2?膜层和一层SiNxOy膜层；通过SiNxOy层和SiO2?层光学膜系配比设计，经分层SiNxOy的成膜，使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小，所述方法包括如下次序步骤：?步骤一、选取素透明材质基板或带透明导电膜层的透明材质为基板材料；步骤二、在基板材料表面沉积第一SiO2??膜层、第二SiO2?膜层和SiNxOy膜层，根据在基板材料沉积三个膜层的顺序不同，形成三种膜层结构的产品，其中：第一种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：ａ)首先在基板材料表面沉积第一SiO2??膜层，厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2，O2，Ar，?SiO2?膜层单层折射率为1.6～2.1之间；ｂ)在经过镀膜工艺生成的第一SiO2膜层表面沉积第二SiO2膜层，膜厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2，O2，Ar，SiO2?膜层单层折射率为1.6～2.1之间；ｃ)在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2，O2，Ar；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；x>0,00,00,0...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭钰，李冬，郭元元，
申请(专利权)人：天津市中环高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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