本发明专利技术公开了一种快速培育薄壳山核桃优质“三当”（当年育砧、当年嫁接、当年出圃）良种苗的方法。本发明专利技术通过采用赤霉素浸泡种子快速打破休眠，在温床内提早3个月进行种子催芽；切除芽苗的主根生长点，进行芽苗断根；采用定制容器、自制基质进行容器育苗，在温室内过渡半个月，出室后将容器全部埋入土中；在砧木苗旺长期，茎基部涂抹赤霉素溶液有效促进地径增粗，在7月上旬育成大量符合嫁接要求的优质砧木苗；嫁接成活后10～15天左右剪除接穗芽1cm以上的砧木部分，对接穗芽涂抹赤霉素，加强肥水管理，使接穗芽萌发成30～40cm的枝条，当年嫁接苗高度达到50～60cm的出圃标准，可培育出大量生长健壮的薄壳山核桃“三当”良种苗，较传统育苗方式缩短两年时间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于园艺栽培领域，涉及一种快速培育薄壳山核桃优质“三当”(当年育砧、当年嫁接、当年出圃)良种苗的方法。
技术介绍
本专利技术涉及的是薄壳山核桃良种苗木的繁育技术。薄壳山核桃良种苗(也称品种苗)是通过嫁接法培育而成的，包括三个技术环节砧木培育、嫁接、嫁接苗培育出圃。薄壳山核桃的砧木一般采用本砧，即混杂品种的种子播种育成的实生苗。种子一般于前一年的冬季11月上旬利用冬季的自然低温进行层积沙藏处理，次年春季4月中旬地温回升后播种于大田，5月中旬出苗，6月上旬进行二次移栽断根，然后定植；绝大多数砧木苗至第二年7月份地径粗度才达到嫁接标准；然后于夏季7月 9月期间进行芽接；嫁接后 再经一年的培育，嫁接苗高才可达到30 40cm的出圃标准，于第三年秋季出圃。由上述技术环节可以看出，薄壳山核桃良种苗木繁育目前存在的主要问题是育苗周期长，自播种育砧到嫁接苗出圃需3年半时间，且由于采用大田育苗，易受不良环境影响，苗木质量较差。传统的打破薄壳山核桃种子休眠的方法是利用冬季的自然低温进行层积沙藏，耗时长达5个月左右；春季4月中旬露地播种又易受到晚霜、阳光曝晒、土壤干旱等不良环境条件的影响，经常遇到出苗时间晚，出苗不整齐，幼苗质量较差，成苗率低等问题，导致育苗效率较低。薄壳山核桃砧木苗出苗后需进行二次断根处理以促进侧根发育。传统的断根方法是在幼苗长到2片真叶时从苗床挖出，进行人工断根后再移栽定植到田间，建立本砧苗圃。这一过程需进行移栽、断根、定植三道工序，费工、费时，且对幼苗的根系易造成伤害，造成缓苗时间长，影响苗木生长。2010年5月公布的专利技术专利一种薄壳山核桃当年播种当年嫁接的育苗新技术(专利号201010522699)虽然“采用改良露地播种方式培育薄壳山核桃当年生实生苗，将幼苗连种子从苗床移栽至苗圃时进行切根处理，建立本砧苗圃”，但也仅仅是在芽苗阶段进行断根，同样要从苗床中进行移栽。大田培育条件下薄壳山核桃实生苗生长量较小，地径加粗较慢，至当年7月份很难育成大量符合嫁接标准(砧木地径粗度达O. 5cm)的砧木苗。虽然有专利一种薄壳山核桃当年播种当年嫁接的育苗新技术(专利号201010522699)提到在8 9月份可以进行当年嫁接，但从其已公布的操作程序以及生产实践来看，此时只能有很少一部分砧木苗达到了当年嫁接的标准，获得大量达标砧木苗的可能性很小。为克服薄壳山核桃传统大田育苗方式的缺陷，生产上曾有人进行过薄壳山核桃容器育苗的实践，但常遇到越夏期间费水、费工且易遭受夏季环境胁迫导致苗木死亡等问题。薄壳山核桃当年嫁接的接穗芽成活后若不作任何处理，一般直接进入休眠状态过冬，至第二年春季才会萌发成枝，无法获得当年具有一定枝叶生长量的嫁接苗，不能实现尽快出圃的目的。
技术实现思路
本专利技术主要针对薄壳山核桃良种培育过程中存在的站木苗培育时间长、生长缓慢、嫁接苗当年达不到出圃标准等育苗周期长、效率低等问题，提供。本专利技术的目的可以通过如下技术方案实现(I)于11月上旬将薄壳山核桃种子用280 320mg -Γ1的赤霉素溶液浸泡1(Γ 2小时以快速打破种子的休眠，然后置于北向的室内进行层积沙藏50 65天左右，温度保持在5 1(TC,期间每10天翻一次种子；(2)自I月中旬开始将打破休眠的种子置于电热温床内进行高温催芽35 45天，温度维持在25 28°C，2月中下旬获得芽苗；(3)自3月上旬开始，当芽苗胚根长度达5cm以上时切除主根生长点，进行芽苗断 根，较常规的二次移栽断根方法节省移栽用工；(4)将断根后的芽苗分批移植于规格为l(Tl5X2(T25Cm (钵体直径X钵体高度)优选13 X 22cm黑色塑料营养钵内，营养钵内填充基质，于3月中旬即可获得生长良好的幼苗，较之常规育苗方法提早3个月；自3月中旬开始，容器苗在塑料大棚内过渡O. 5^1个月以避开晚霜和阳光暴晒危害；自4月中旬开始容器苗分批出室，将容器全部埋入土中，以避免遭受夏季环境胁迫；以上措施可大大促进砧木苗根系发育及快速生长；(5)于5月上旬砧木苗旺长期，茎基部涂抹300 800mg · Γ1的赤霉素溶液，有效促进地径增粗，至7月上旬可育成大量地径达O. 5cm以上符合嫁接要求的优质砧木苗；(6)于7月上旬按照常规方法进行嫁接，嫁接成活后10 15天将嫁接口部位的塑料条松绑，将接穗芽上方Icm处的砧木剪除，同时用200 500mg -Γ1的赤霉素涂抹接穗芽，加强肥水管理，可使接穗芽萌发成30 40cm的枝条，至12月下旬嫁接苗高度可达50 60cm的出圃标准，即培育出大量生长健壮的薄壳山核桃“三当”良种苗，较传统育苗方式缩短2年时间。所述的温床为园艺作物育苗普遍使用的电热温床。步骤(4)中所述的基质优选为将草炭、珍珠岩、蛭石、腐熟稻壳及田园土按照2 8 O. 5^4 :0. Γ3 :0. Γ3 Γ3. 5的体积比混合得混合物，再按照每立方米混合物加入I飞公斤缓释肥和88 105克稀土肥，混合均匀所得；进一步优选为将草炭、珍珠岩、蛭石、腐熟稻壳及田园土按照4:2:1 1 :2的体积比混合得混合物，再按照每立方米混合物加入3公斤缓释肥和100克稀土肥，混合均匀所得。所述的缓释肥为市售的或自制的符合，《缓释肥料》国家标准的任意一种缓释肥。所述的稀土肥为市售的任意一种稀土肥。步骤(4)所述的塑料大棚的环境条件是白天温度10_20°C (3月中旬大棚内的自然温度)，晚上2-10°C (大棚封闭状态下的自然温度)，湿度75-90%，光照利用自然光。本专利技术的关键点(I)采用特定浓度的赤霉素浸泡种子快速打破种子的休眠，提前于温床内进行种子的催芽；(2)直接于芽苗阶段切除主根的生长点，促发侧根。(3)采用特定尺寸的定制容器、自制基质进行容器育苗，在温室内过渡后将容器全部埋入土中。(4)在砧木苗旺长期，茎基部涂抹赤霉素溶液促进地径增粗，在最适嫁接时期育成大量符合嫁接要求的优质砧木苗；(5)嫁接成活后及时剪除砧木，在接穗芽上涂抹赤霉素促其发枝，加强肥水管理，使嫁接苗高度达到出圃标准。将上述各项技术配套，可培育出生长健壮的薄壳山核桃优质“三当”(当年育砧、当年嫁接、当年出圃)良种苗。本专利技术的有益效果(I)本专利技术通过采用赤霉素溶液浸泡薄壳山核桃种子快速打破种子的休眠，采用电热温床提早进行种子的催芽，在芽苗阶段进行断根，将芽苗直接定植等技术，将传统育苗中的播种、移栽、断根、定植等复杂的工序减少为芽苗断根后定植一道工序，大大节约时间 和用工，操作简便易行；在温床内催芽，出苗率达到92%以上，较传统育苗方式高60%以上，且出苗较为整齐。整个过程比传统的大田露地播种育苗提早出苗3个月，大大缩短种子成苗的时间，提闻育苗效率。(2)本专利技术采用定制的容器及自制的基质进行薄壳山核桃幼苗的培育，可节约土地50%以上，节约用水50%以上；自制的育苗基质有利于薄壳山核桃苗木的快速健壮生长，可获得大量根系发达、地上部生长健壮的优质砧木苗，生产效率提高100%。( 3 )将容器苗在温室内过渡半个月后出室，可避开露地条件下晚霜和阳光曝晒的危害，促进幼苗生长；出室后将容器全部埋入土中，克服了容器苗后期受容器限制及管理费工的缺点，减少容器苗遭受环境胁迫的几率，使砧木苗保持快速生长的势头并减少了脱盆移栽的用工。对几种本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种快速培育薄壳山核桃优质“三当”良种苗的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）11月上旬将种子用280～320mg·L?1的赤霉素溶液浸泡10～12小时，然后于室内层积沙藏50～65天；（2）自1月中旬开始将打破休眠的种子置于电热温床进行种子催芽生根；（3）2月中下旬获得芽苗，当胚根达5cm以上时切除芽苗的主根生长点，进行芽苗断根；（4）将断根的芽苗移栽于容器基质中进行容器育苗，获得生长良好的幼苗后在塑料大棚内过渡0.5～1个月，出室后将容器全部埋入土中；（5）在砧木苗旺长期，茎基部涂抹300～800mg·L?1的赤霉素溶液，在7月上旬育成大量符合嫁接要求的优质砧木苗；（6）按照常规方法进行嫁接，嫁接成活后10～15天剪除接穗芽上方1cm处的砧木部分，嫁接芽涂抹200～500mg·L?1的赤霉素，同时加强肥水管理，使嫁接芽萌发成30～40cm枝条，至12月下旬嫁接苗高度达到50～60cm的出圃标准，即培育出大量生长健壮的薄壳山核桃“三当”良种苗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李永荣，翟敏，徐迎春，董凤祥，刘永芝，张翔，
申请(专利权)人：南京绿宙薄壳山核桃科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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