一种片内RC 振荡器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种片内超低功耗RC振荡器，包括偏置电流产生模块，RC振荡模块，波形整形模块。RC振荡模块中的翻转电压与偏置电流呈正比例相关特性，这使得RC振荡器频率仅与电阻R和电容C有关，通过选取合适类型的电阻R，可获得较好的温度系数。由工艺造成的初始频率偏差，对电阻R进行修调即可校准至设计值。对于500k以下的输出频率而言，振荡器功耗可以控制在2uA以内，如若使用适当类型的电阻R，电源电压和温度造成的频率偏移可控制在±2%以内。本实用新型专利技术所涉及的RC振荡器结构简单、精度高、功耗极低、且初始频率易于调节。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种片内RC振荡器，其特征在于：包括依次相连的偏置电流产生模块（10），RC振荡模块（20）和波形整形模块（30）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙黎斌，李宗雨，周文益，赵国良，罗阳，吕海凤，
申请(专利权)人：西安华迅微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：