本实用新型专利技术涉及电子元器件中的集成电路和光电类结合的技术领域,特别是涉及一种具有双层结构的红外遥控接收放大器。一种具有双层结构的红外遥控接收放大器,包括一光敏芯片、一模拟IC芯片和一封装体,该放大器还包括下引线框架和上引线框架,所述的模拟IC芯片固定于所述下引线框架,所述光敏芯片固定于所述上引线框架,所述光敏芯片和模拟IC芯片之间电连接;所述上下引线框架对模拟IC芯片进行电磁屏蔽;所述封装体包覆于光敏芯片、模拟IC芯片和上下引线框架。本实用新型专利技术的具有双层结构的红外遥控接收放大器既有较好的屏蔽效果,使得产品的接收距离大大延长,抗干扰性增加,同时体积可以做的很小,符合电子元器件小型化的趋势。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子元器件中的集成电路和光电类结合的
,特别是涉及一种具有双层结构的红外遥控接收放大器。
技术介绍
红外遥控技术是一种利用红外线进行点对点通信的技术,红外线在频谱上居于可见光之外,所以抗干扰性强,具有光波的直线传播特性,不易产生相互间的干扰,是很好的信息传输媒体。采用红外遥控技术具有信号无干扰,传输准确度高,体积小、功率低,成本低廉的特点,为此被广泛地应用于各个电子领域中,尤其在家电领域如彩电、DVD、空调等使用相当普及。随着电子集成技术的快速发展和电子元器件的小型化趋势,要求缩小红外遥控接收放大器的外形尺寸。但是,应用传统工艺加工的红外遥控接收放大器,由于模拟IC芯片与光敏芯片装架在同一引线框架上,产品长度为二种芯片的长度之和再加上二者之间 的最小间隔距离,所以对于减小红外遥控接收放大器的外部尺寸有其局限性。再则,由于模拟IC芯片的抗干扰能力差,且由于广播、电视、微波、通信等技术的快速发展和普及,射频设备功率的成倍提高,使空间中布满了各种电磁干扰;这使得红外遥控接收放大器工作的稳定性和可靠性大大降低,因此现有红外遥控接收放大器在抗电磁干扰方面需要对模拟IC芯片进行屏蔽。然而,现有红外遥控接收放大器产品的模拟IC芯片与光敏芯片均在引线框架的同一平面进行装架和键合,光敏芯片需要接收红外信号,而模拟IC芯片又需要遮挡屏蔽。对于目前广泛采用的分立内屏蔽结构的红外遥控接收放大器来说,需要先在引线框架侧面折起形成支点,然后再盖合一个屏蔽盖,这样模拟IC芯片也最多有4个面进行屏蔽,顶部和底部也是需要留空,而且为了使得光敏芯片正常接收红外信号,红外遥控接收放大器的屏蔽盖需要开一个透光窗口,所以无法做到对模拟IC芯片进行良好的完全屏蔽。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术提供了一种具有双层结构的红外遥控接收放大器,既有较好的屏蔽效果,使得产品的接收距离大大延长,抗干扰性增加,同时体积可以做的很小,符合电子元器件小型化的趋势。为达到上述目的,本技术是通过以下技术方案实现的具有双层结构的红外遥控接收放大器,包括一光敏芯片、一模拟IC芯片和一封装体,该红外遥控接收放大器还包括下引线框架和上引线框架,所述的模拟IC芯片固定于所述下引线框架,所述光敏芯片固定于所述上引线框架,所述光敏芯片和模拟IC芯片之间电连接;所述下引线框架对模拟IC芯片的下表面进行电磁屏蔽,所述上引线框架对模拟IC芯片的上表面及四个侧表面进行电磁屏蔽;所述封装体包覆于光敏芯片、模拟IC芯片、下引线框架和上引线框架,并填充于光敏芯片、模拟IC芯片、下引线框架和上引线框架之间的空间。进一步的,所述光敏芯片的输出端与上引线框架相连接,所述模拟IC芯片的输入端与下引线框架相连接,所述的下引线框架与上引线框架相连接。进一步的,所述的下引线框架与上引线框架通过焊接或铆合或银胶连接相固定。进一步的,所述的封装体为环氧树脂灌制封装或注塑封装而成。制作时,将模拟IC芯片固定于下引线框架上,将光敏芯片固定于上引线框架上,并分别实现光敏芯片的输出端与上引线框架的电连接,模拟IC芯片的输入端与下引线框架的电连接,然后将上下引线框架通过焊接或铆合或银胶方式连接相固定,实现上下引线框架之间的电连接,从而实现光敏芯片和模拟IC芯片之间的电连接;其中的上引线框架形成一个屏蔽盖罩于模拟IC芯片的上表面和四个侧表面,该屏蔽罩与下引线框架相连形成一个封闭的电磁屏蔽空间,模拟IC芯片置于该电磁屏蔽空间内,使得模拟IC芯片的六个表面均与外部实现电磁屏蔽;最后进行环氧树脂封装,使封装体包覆于光敏芯片、模拟IC芯片、下引线框架和上引线框架,并填充于光敏芯片、模拟IC芯片、下引线框架和上引线框架·之间的空间,从而形成了一个外形小巧、屏蔽效果好的红外遥控接收放大器。使用时,利用光敏芯片可以实现对红外信号的接收,而利用上下引线框架形成的封闭屏蔽空间可以实现对电磁干扰信号的屏蔽。本技术的有益效果是(I)本技术将光敏芯片与模拟IC芯片分开装配在上下二层引线框架上,使得引线框架的长度大大缩小,只需设计成稍大于光敏芯片的大小即可,整个产品体积也可以做的很小,符合电子元器件小型化的趋势;(2)本技术将模拟IC芯片固定于下引线框架和上引线框架构成的封闭电磁屏蔽空间内,通过该封闭电磁屏蔽空间实现模拟IC芯片六个表面与外部的电磁屏蔽,大大提升了屏蔽效果,使得产品的接收距离大大延长,提高了产品的抗干扰性。附图说明图I为本技术的模拟IC芯片固定于下引线框架的结构示意图。图2为本技术的光敏芯片固定于上引线框架的结构示意图。图3为本技术的上下引线框架连接的正面的结构示意图。图4为本技术的上下引线框架连接的背面的结构示意图。图5为本技术的产品外形结构剖面图。图6为本技术的产品外形结构示意图。具体实施方式现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。参考图I至图6所示,具有双层结构的红外遥控接收放大器,包括一模拟IC芯片11、一光敏芯片21和一封装体3,该放大器还包括下引线框架I和上引线框架2,所述的模拟IC芯片11固定于所述下引线框架1,所述光敏芯片21固定于所述上引线框架2,所述光敏芯片21的输出端与上引线框架2相连接,所述模拟IC芯片11的输入端与下引线框架I相连接,所述的下引线框架I与上引线框架2通过焊接或铆合或银胶连接相固定,实现所述光敏芯片21和模拟IC芯片11之间的电连接;所述下引线框架I对模拟IC芯片11的下表面进行电磁屏蔽,所述上引线框架2对模拟IC芯片11的上表面及四个侧表面进行电磁屏蔽;所述环氧树脂灌制封装或注塑封装而成的封装体3包覆于光敏芯片21、模拟IC芯片11、下引线框架I和上引线框架2,并填充于光敏芯片21、模拟IC芯片11、下引线框架I和上引线框架2之间的空间。制作时,将模拟IC芯片11固定于下引线框架I上,将光敏芯片21固定于上引线框架2上,并分别实现光敏芯片21的输出端与上引线框架2的电连接,模拟IC芯片11与下引线框架I的电连接,然后将上引线框架2和下引线框架I通过焊接或铆合或银胶方式连接相固定,实现上引线框架2和下引线框架I之间的电连接,从而实现光敏芯片21和模拟IC芯片11之间的电连接,其中的上引线框架2形成一个屏蔽盖罩于模拟IC芯片11的上表面和四个侧表面,该屏蔽罩与下引线框架I相连形成一个封闭的电磁屏蔽空间,模拟IC芯片21置于该电磁屏蔽空间内,使得模拟IC芯片21六个表面均与外部实现电磁屏蔽,最后进行环氧树脂灌制封装或注塑封装,使封装体3包覆于光敏芯片21、模拟IC芯片11、下引线框架I和上引线框架2,并填充于光敏芯片21、模拟IC芯片11、下引线框架I和上引 线框架2之间的空间,从而形成了一个外形小巧、屏蔽效果好的红外遥控接收放大器。使用时,利用光敏芯片21可以实现对红外信号的接收,而利用下引线框架I和上引线框架2形成的封闭屏蔽空间可以实现对电磁干扰信号的屏蔽。本技术将光敏芯片与模拟IC芯片分开装配在上下二层引线框架上,使得引线框架的长度大大缩小,只需设计成稍大于光敏芯片的大小即可,整个产品体积也可以做的很小,符合电子元器件小型化的趋势。本技术将模拟IC芯片固定于下引线框架和上引线框架构成的封闭本文档来自技高网...
【技术保护点】
具有双层结构的红外遥控接收放大器,包括一光敏芯片、一模拟IC芯片和一封装体,其特征在于,该红外遥控接收放大器还包括下引线框架和上引线框架,所述的模拟IC芯片固定于所述下引线框架,所述光敏芯片固定于所述上引线框架,所述光敏芯片和模拟IC芯片之间电连接;所述下引线框架对模拟IC芯片的下表面进行电磁屏蔽,所述上引线框架对模拟IC芯片的上表面及四个侧表面进行电磁屏蔽;所述封装体包覆于光敏芯片、模拟IC芯片、下引线框架和上引线框架,并填充于光敏芯片、模拟IC芯片、下引线框架和上引线框架之间的空间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈巍,兰玉平,
申请(专利权)人:厦门华联电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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