继电器用矩形窗式锰铜分流片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种继电器用矩形窗式锰铜分流片，包括：串连焊接于继电器负载端子上的锰铜分流片本体；在所述的锰铜分流片本体上设置第一取样点和第二取样点；所述锰铜分流片本体中部设有矩形窗口；所述第一取样点和第二取样点分别位于锰铜分流片本体的矩形窗口的左侧和右侧；本实用新型专利技术的有益效果是：从而降低外界工频磁场对锰铜分流片的影响，能够有效提高锰铜分流片的工频磁场抗扰度，使得配套使用的继电器电度表的计量更为精准。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种继电器用锰铜分流片，尤其涉及一种该继电器用锰铜分流片的形状。
技术介绍
供电度表配套使用的继电器，会在其负载端子上通过焊接方式串接锰铜分流片，使用锰铜分流片作为电流测量，以供电度表提取信号用。因此，锰铜分流片自身的电磁兼容性能是影响电度表计量精度的重要方面，外界电场、磁场都会对锰铜分流片造成一 定影响，其中，工频磁场的干扰就是一种很典型的干扰形式，提高锰铜分流片的工频磁场抗扰度是保证电度表计量精准的有效手段。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供了一种继电器用矩形窗式锰铜分流片，旨在解决上述的问题。为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的本技术包括串连焊接于继电器负载端子上的锰铜分流片本体；在所述的锰铜分流片本体上设置第一取样点和第二取样点；所述锰铜分流片本体中部设有矩形窗口 ；所述第一取样点和第二取样点分别位于锰铜分流片本体的矩形窗口的左侧和右侧。与现有技术相比，本技术的有益效果是从而降低外界工频磁场对锰铜分流片的影响，能够有效提高锰铜分流片的工频磁场抗扰度，使得配套使用的继电器电度表的计量更为精准。附图说明图I是本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细描述由图I可见本技术的继电器用矩形窗式锰铜分流片，包括串连焊接于继电器负载端子5上的锰铜分流片本体I和两个取样点(2、3)，所述锰铜分流片本体I中部设有矩形窗口 4，两个取样点(2、3)分别位于锰铜分流片本体I矩形窗口 4的左侧和右侧。由于采用上述结构，可使得外界工频磁场穿过锰铜分流片上部所产生的不利影响与外界工频磁场穿过锰铜分流片下部所产生的不利影响相互抵消，从而降低外界工频磁场对锰铜分流片的影响。权利要求1.一种继电器用矩形窗式锰铜分流片，包括串连焊接于继电器负载端子上的锰铜分流片本体；在所述的锰铜分流片本体上设置第一取样点和第二取样点；其特征在于所述锰铜分流片本体中部设有矩形窗口 ；所述第一取样点和第二取样点分别位于锰铜分流片本体的矩形窗口的左侧和右侧。专利摘要本技术涉及一种继电器用矩形窗式锰铜分流片，包括串连焊接于继电器负载端子上的锰铜分流片本体；在所述的锰铜分流片本体上设置第一取样点和第二取样点；所述锰铜分流片本体中部设有矩形窗口；所述第一取样点和第二取样点分别位于锰铜分流片本体的矩形窗口的左侧和右侧；本技术的有益效果是从而降低外界工频磁场对锰铜分流片的影响，能够有效提高锰铜分流片的工频磁场抗扰度，使得配套使用的继电器电度表的计量更为精准。文档编号H01H45/14GK202749301SQ20122067396公开日2013年2月20日 申请日期2012年12月7日 优先权日2012年12月7日专利技术者宋朝阳 申请人:东莞市三友联众电器有限公司, 上海万佳联众电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种继电器用矩形窗式锰铜分流片，包括：串连焊接于继电器负载端子上的锰铜分流片本体；在所述的锰铜分流片本体上设置第一取样点和第二取样点；其特征在于：所述锰铜分流片本体中部设有矩形窗口；所述第一取样点和第二取样点分别位于锰铜分流片本体的矩形窗口的左侧和右侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋朝阳，
申请(专利权)人：东莞市三友联众电器有限公司，上海万佳联众电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：