本实用新型专利技术涉及一种低位错单晶硅棒，包括复数根硅棒本体对接而成的硅棒，硅棒下部设置有底座，底座上开设有V型凹槽，V型凹槽的内侧壁上涂覆有保温层，保温层上涂覆有粘接层，硅棒通过粘接层粘贴在底座的V型凹槽内。所述的低位错单晶硅棒，采用凸块和凹槽的对接方式，能够有效地提高太阳能电池片的成品率，使其在切割过程中更加稳定和降低了碎片率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅棒的领域，尤其是一种低位错单晶硅棒。
技术介绍
目前世界光伏产业以31. 2%的年平均增长率高速发展，位于全球能源发电市场增长率首位，各国根据这一趋势，纷纷出台有力政策或制定发展计划，使光伏市场呈现出蓬勃发展的格局。近几年来，随着光伏产业的迅猛发展，单晶硅被用来制作太阳能电池，呈现出供不应求的局面。太阳能电池板在阳光照射下，光能便立即转化成电能，而且能不停地发电，可以连续工作20年以上，他发出的直流电可直接供给用电器，还可以储存到蓄电池内，再逆变成220V/380V交流电，进而组装成太阳能发电机组，供各种家用电器使用，还可以将许多硅电池链接起来，组装成光伏电站向国家电网输电，太阳能光伏电池是国家大力推广，发展前途光明，没有污染的绿色能源。 高科技的发展，要求电路具有很高的可靠性和稳定性，所以生产几乎完美的高质量的单晶硅，是我们公司的愿望。而低位错、低缺陷单晶就是完美单晶硅的体现。这样的单晶硅具有良好的断面电阻率均匀性、高寿命、含碳量少、微缺陷密度小、含氧量可以控制的特点，而通过工艺的改善，用更快的速度将低位错、低缺陷单晶硅棒制备出，既提高了公司的产能，又提高了公司的核心竞争力。单晶硅棒是光伏产业链里面除原材料的第一道生产工序，对太阳能电池片的转换效率有着深远的影响。低位错、低缺陷快速生长技术的单晶硅棒将直接提高太阳能电池片的转换效率和降低碎片率，对整个产业链起到举足轻重的作用，单晶硅主要是利用CZ法制造的，具体是将晶体浸入到熔融的多晶硅熔融液之中，以该晶种为中心使单晶硅生长，再逐渐将晶种拉起以制造单晶硅。通过为了便于提取，需要将作为原料的多晶硅切断成长度为70cm左右的圆柱形，将该多晶硅棒放入熔融坩埚中进行熔融，这时，为了提高熔融效率，通常将多晶硅棒悬吊并投入到硅熔融液的残液中。目前市场上出现的单晶硅棒有很多种，在相邻两根硅棒之间的粘接是通过粘胶剂或者是在两根硅棒的上部用导向条进行粘接，这样的设计在进行对单晶硅棒进行切片时，需要另外加一道工序，其制造麻烦，浪费时间。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服上述中存在的问题，提供了一种低位错单晶硅棒，其设计结构合理并且能够在对硅棒进行切片时对接方便，。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种低位错单晶硅棒，包括复数根硅棒本体对接而成的硅棒，所述的硅棒下部设置有底座，所述的底座上开设有V型凹槽，V型凹槽的内侧壁上涂覆有保温层，保温层上涂覆有粘接层，硅棒通过粘接层粘贴在底座的V型凹槽内。为了能够将多根硅棒组合时对接更加方便，所述的硅棒本体的一端面上具有凸块，另一端面上开设有与凸块相对应的凹槽。所述粘接层的材质是环氧树脂制成，环氧树脂是分子中带有两个或两个以上环氧基的低分子量物质及其交联固化产物的总称，其力学性能高，附着力强，固化收缩率小，工艺性好，具有优良的电绝缘性，稳定性好，抗化学药品性优良，其耐热性温度为80 100°C。本技术的有益效果是所述的低位错单晶硅棒，采用凸块和凹槽的对接方式，能够有效地提高太阳能电池片的成品率，使其在切割过程中更加稳定和降低了碎片率。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。图I是本技术所述的低位错单晶硅棒的整体结构示意图；图2是图I的侧视图； 图3是图I中硅棒的示意图附图中标记分述如下1、硅棒，11、凸块，12、凹槽，2、底座，21、V型凹槽，22、保温层，23、粘接层。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图I和图2低位错单晶硅棒，包括复数根硅棒本体对接而成的硅棒1，在硅棒I的下部设置有底座2，底座2上开设有V型凹槽21，在V型凹槽21的内侧壁上涂覆有保温层22，保温层22上涂覆有材质为环氧树脂的粘接层23，硅棒I通过粘接层23粘贴在底座2的V型凹槽21内。如图3的低位错单晶硅棒，硅棒本体的一端面上具有凸块11，另一端面上开设有与凸块11相对应的凹槽12。本技术的低位错单晶硅棒，在切割过程中，硅棒本体前端面的凸块11正好嵌置在前面一根硅棒本体后端面的凹槽12内，然后组合成整根硅棒1，放置在具有粘接层的V型凹槽21内，这样就可以正常进行对硅棒进行切片过程了，其切割后的硅片转换效率高，碎片率低的特性。以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。权利要求1.一种低位错单晶硅棒，包括复数根硅棒本体对接而成的硅棒(1)，其特征是所述的硅棒(I)下部设置有底座(2)，所述的底座(2)上开设有V型凹槽(21)，V型凹槽(21)的内侧壁上涂覆有保温层(22 )，保温层(22 )上涂覆有粘接层(23 )，硅棒(I)通过粘接层(23 )粘贴在底座(2)的V型凹槽(21)内。2.根据权利要求I所述的低位错单晶硅棒，其特征是所述的硅棒本体的一端面上具有凸块(11)，另一端面上开设有与凸块(11)相对应的凹槽(12)。3.根据权利要求I所述的低位错单晶硅棒，其特征是所述粘接层(23)的材质是环氧树脂制成。专利摘要本技术涉及一种低位错单晶硅棒，包括复数根硅棒本体对接而成的硅棒，硅棒下部设置有底座，底座上开设有V型凹槽，V型凹槽的内侧壁上涂覆有保温层，保温层上涂覆有粘接层，硅棒通过粘接层粘贴在底座的V型凹槽内。所述的低位错单晶硅棒，采用凸块和凹槽的对接方式，能够有效地提高太阳能电池片的成品率，使其在切割过程中更加稳定和降低了碎片率。文档编号B28D7/00GK202742550SQ20122043606公开日2013年2月20日 申请日期2012年8月30日 优先权日2012年8月30日专利技术者王桂奋, 谢德兵, 王迎春 申请人:金坛正信光伏电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低位错单晶硅棒，包括复数根硅棒本体对接而成的硅棒（1），其特征是：所述的硅棒（1）下部设置有底座（2），所述的底座（2）上开设有V型凹槽（21），V型凹槽（21）的内侧壁上涂覆有保温层（22），保温层（22）上涂覆有粘接层（23），硅棒（1）通过粘接层（23）粘贴在底座（2）的V型凹槽（21）内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王桂奋，谢德兵，王迎春，
申请(专利权)人：金坛正信光伏电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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