多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器。在衬底上沉积第一多晶硅层；在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，从而将氮化硅层分成三部分；在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层；对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；在第一多晶硅层两侧分别形成多晶硅侧墙，在氮化硅层、隔离物层以及第二多晶硅层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种多晶硅电阻器结构及其制造方法。
技术介绍
在半导体芯片电路设计中，会大量的使用多晶硅电阻。一般电路设计人员多采用传统的N型或P型多晶电阻，但这些电阻在制造过程中都需要硅化物阻挡层(salicideblocklayer，SAB)作为一个额外的掩膜以用于保护硅片表面，在其保护下，硅片不与其它Ti，Co之类的金属形成不期望的金属硅化物，即需要增加一道光刻步骤。具体地说，现有技术中的作为多晶硅电阻器的N型掺杂的多晶硅或者P型掺杂的多晶硅是通过在逻辑多晶硅(本身是无掺杂的)上，进行N型离子注入(通常是高浓度的硼(B)离子注入)或P型离子注入(通常是高浓度的磷(P)离子注入)而形成，它们都需要硅化物阻止层作为光罩。然而，硅化物阻止层的引入增大了工艺的复杂性，并且增大了制造成本。在现有技术的改进方案中提出的存储多晶硅电阻不需要硅化物阻挡层，降低了制造成本。但是，该多晶硅电阻是n型电阻，温度系数较大；加之该多晶硅为掺杂浓度较高，因此电阻值较小，不利于降低电路面积。中国专利申请CN102214560A提出了一种利用存储多晶硅MPOL形成多晶硅电阻器的方案，但是存储多晶硅MPOL的最小宽度不能做得很小，由此限制了所制成的多晶硅电阻器的阻值大小，当需要较大阻值的多晶硅电阻器时，需要很长的存储多晶硅条来实现大电阻，因此不利于节省芯片面积。因此，希望能够提出一种能够在不使用硅化物阻挡层的情况下防止多晶硅电阻器表面形成金属硅化物由此增大存储多晶硅电阻率的简化多晶硅电阻器结构制造方案。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够在不使用硅化物阻挡层的情况下防止多晶硅电阻器表面形成金属硅化物由此增大多晶硅电阻率的简化的多晶硅电阻器结构制造方法以及相应的多晶硅电阻器结构。为了实现上述技术目的，根据本专利技术的第一方面，提供了一种多晶硅电阻器结构制造方法，其包括：第一多晶硅层沉积步骤，用于在衬底上沉积第一多晶硅层；氮化硅层沉积及刻蚀步骤，用于在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，并在第一凹陷部和第二凹陷部中填充隔离物，从而将氮化硅层分成三部分；第二多晶硅层沉积步骤；用于在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层，其中隔离物层以及第二多晶硅层至少覆盖氮化硅层的中间部分，而不覆盖氮化硅层的两侧部分；氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；隔离侧墙及接触孔形成步骤，用于在第一多晶硅层两侧分别形成第一多晶硅侧墙和第二多晶硅侧墙，在氮化硅层、隔离物层以及第二多晶硅层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。优选地，在形成自对准非挥发存储器的控制栅极的工艺步骤中执行第一多晶硅层沉积步骤。优选地，在第二多晶硅层沉积步骤中，隔离物层以及第二多晶硅层部分覆盖填充有隔离物的第一凹陷部和第二凹陷部。本专利技术还提供一种通过根据第一方面所述的多晶硅电阻器结构制造方法制成的多晶硅电阻器结构。本专利技术还提供一种通过将多个上述多晶硅电阻器结构进行电连接串联而得到的多晶硅电阻器。根据本专利技术的第二方面，提供了多晶硅电阻器结构制造方法，其包括：第一多晶硅层沉积步骤，用于在衬底上沉积第一多晶硅层；氮化硅层沉积及刻蚀步骤，用于在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，并在第一凹陷部和第二凹陷部中填充隔离物，从而将氮化硅层分成三部分；第二多晶硅层沉积步骤；用于在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层，其中隔离物层以及第二多晶硅层至少覆盖氮化硅层的中间部分，而不覆盖氮化硅层的两侧部分；氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；隔离侧墙及接触孔形成步骤，用于在第一多晶硅层两侧分别形成第一多晶硅侧墙和第二多晶硅侧墙，在氮化硅层以及隔离物层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。优选地，在形成自对准非挥发存储器的控制栅极的工艺步骤中执行第一多晶硅层沉积步骤。优选地，在第二多晶硅层沉积步骤中，隔离物层以及第二多晶硅层部分覆盖填充有隔离物的第一凹陷部和第二凹陷部。本专利技术还提供一种通过根据第二方面所述的多晶硅电阻器结构制造方法制成的多晶硅电阻器结构。本专利技术还提供一种通过将多个上述多晶硅电阻器结构进行电连接串联而得到的多晶硅电阻器。在根据本专利技术的多晶硅电阻器结构制造方法中，氮化硅层用于保护下面形成电阻的形成多晶硅电阻器的主体的第一多晶硅层不在蚀刻的过程中被清除，中间形成电阻的部分第一多晶硅层上面的氮化硅层又被另外的第二多晶硅层保护，从而使下面的第一多晶硅层的中间部分最终不形成金属硅化物。而第一多晶硅层两端的两侧部分上方没有保护层，会在去除氮化硅层时清除，从而使下面的第一多晶硅层的两侧部分形成金属硅化物。形成金属硅化物的第一多晶硅层的两侧部分则用来形成接触孔的位置。由此，本专利技术提供了一种能够在不使用硅化物阻挡层的情况下防止多晶硅电阻器表面形成金属硅化物由此增大多晶硅电阻率的简化的多晶硅电阻器结构制造方法。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了根据本专利技术第一实施例及第二实施例的多晶硅电阻器结构制造方法的第一多晶硅层沉积步骤。图2示意性地示出了根据本专利技术第一实施例及第二实施例的多晶硅电阻器结构制造方法的氮化硅层沉积及刻蚀步骤。图3示意性地示出了根据本专利技术第一实施例及第二实施例的多晶硅电阻器结构制造方法的第二多晶硅层沉积步骤。图4示意性地示出了根据本专利技术第一实施例及第二实施例的多晶硅电阻器结构制造方法的氮化硅层刻蚀步骤。图5示意性地示出了根据本专利技术第一实施例的多晶硅电阻器结构制造方法的隔离侧墙及接触孔形成步骤。图6示意性地示出了根据本专利技术第二实施例的多晶硅电阻器结构制造方法的第二多晶硅层去除步骤。图7示意性地示出了根据本专利技术第二实施例的多晶硅电阻器结构制造方法的隔离侧墙及接触孔形成步骤。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。<第一实施例>图1至图5示意性地示出了根据本专利技术第一实施例的多晶硅电阻器结构制造方法。具体地说，如图所示，根据本专利技术第一实施例的多晶硅电阻器结构制造方法包括：第一多晶硅层沉积步骤，用于在衬底1上沉积第一多晶硅层2；例如，衬底1为硅衬底，第一多晶硅层2形成了多晶硅电阻器的主体，如图1所示；具体地说，第一多晶硅层2例如是自对准非挥发存储器的控制栅极层，由此可以在形成自对准非挥发存储器的控制栅极的工艺步骤中执行第一多晶硅层沉积步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：第一多晶硅层沉积步骤，用于在衬底上沉积第一多晶硅层；氮化硅层沉积及刻蚀步骤，用于在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，并在第一凹陷部和第二凹陷部中填充隔离物，从而将氮化硅层分成三部分；第二多晶硅层沉积步骤；用于在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层，其中隔离物层以及第二多晶硅层至少覆盖氮化硅层的中间部分，而不覆盖氮化硅层的两侧部分；氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；隔离侧墙及接触孔形成步骤，用于在第一多晶硅层两侧分别形成第一多晶硅侧墙和第二多晶硅侧墙，在氮化硅层、隔离物层以及第二多晶硅层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：第一多晶硅层沉积步骤，用于在衬底上沉积第一多晶硅层；氮化硅层沉积及刻蚀步骤，用于在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，并在第一凹陷部和第二凹陷部中填充隔离物，从而将氮化硅层分成三部分；第二多晶硅层沉积步骤；用于在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层，其中隔离物层以及第二多晶硅层至少覆盖氮化硅层的中间部分，而不覆盖氮化硅层的两侧部分；氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；隔离侧墙及接触孔形成步骤，用于在第一多晶硅层两侧分别形成第一多晶硅侧墙和第二多晶硅侧墙，在氮化硅层、隔离物层以及第二多晶硅层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。2.根据权利要求1所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，在形成自对准非挥发存储器的控制栅极的工艺步骤中执行第一多晶硅层沉积步骤。3.根据权利要求1所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，在第二多晶硅层沉积步骤中，隔离物层以及第二多晶硅层部分覆盖填充有隔离物的第一凹陷部和第二凹陷部。4.一种通过根据权利要求1至3之一所述的多晶硅电阻器结构制造方法制成的多晶硅电阻器结构。5.一种通过将多个根据权利要求4所述的多晶硅电阻器结构进行电连接串联而得到的多晶硅电阻器。6.一种多晶硅电...

【专利技术属性】
技术研发人员：江红，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：