【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种触发电流对称的双向晶闸管，设置直接旁路短路区，提高第一象限触发电流IGT I ( I +)阈值，降低第一象限触发灵敏度，使第一象限、第三象限触发电流对称，提高器件电参数的优化程度，属于半导体器件制造
技术介绍
双向晶闸管是常用的半导体分立器件，也称双向可控硅，见图I、图2所示，具有NPNPN五层结构,主电极MTl位于器件上表面,主电极MT2位于器件下表面,公用的门电极G位于器件上表面。在现有技术中，与本技术有关的措施是采用短路条或者短路点两种方式来降低双向晶闸管门极触发灵敏度，提升双向晶闸管的温度特性，所述短路条或者短路点是在双向晶闸管正面主电极MTl远离门极G的区域做远端短路区，该远端短路区的主要部分位于主电极MTl内部，短路效果差，此种双向晶闸管触发包括I +触发，触发电流为·IGT I，以及III一触发，触发电流为IGT III，不过IGT III实物值约为IGT I实物值的I. 5 2. 5倍，触发电流对称性较差，对于有些对触发电流对称性要求较高的应用领域，这种器件不能满足其要求。
技术实现思路
为了改善双向晶闸管触发电流对称性,我们专利技术了一种触发电流对称的双向晶闸管。本技术之触发电流对称的双向晶闸管具有NPNPN五层结构，见图3、图4所示，主电极MTl位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P-区2上、N+区4与门极G相邻处，由主电极MTl与P-区2接触区域形成一个直接旁路短路区3，该直接旁路短路区3是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为1(Γ 00μπι。...
【技术保护点】
一种触发电流对称的双向晶闸管，具有NPNPN五层结构，主电极MT1位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P？区（2）上、N+区（4）与门极G相邻处，由主电极MT1与P？区（2）接触区域形成一个直接旁路短路区（3），该直接旁路短路区（3）是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为10~100μm。
【技术特征摘要】
1.一种触发电流对称的双向晶闸管，具有NPNPN五层结构，主电极MTl位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P-区(2)上、N+区(4)与门极G相邻处，由主电极MTl与P-区(2)接触区域形成一个直接旁路短路区(3)，该直接旁路短路区(3)是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为10^100 μ m02.根据权利要求I所述的触发电流对称的双向晶闸管，其特征在于，管芯为边长O. 5mm 15. Omm的方芯。3.根据权利要求I所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵长海，车振华，穆欣宇，王研，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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