一种基板型LED的集成封装方法技术

技术编号:8324895 阅读:244 留言:0更新日期:2013-02-14 05:48
本发明专利技术提供了一种基板型LED的集成封装方法,包括步骤:1)选取绝缘基板和金属片,绝缘基板的玻璃态转化温度至少为180°;2)在绝缘基板上设置安装通孔,并将金属片固定在安装通孔内;3)分别在绝缘基板的正面和背面设置镀层;4)将芯片固定在金属片上;5)在绝缘基板正面的镀层上焊接焊线;6)采用模压方式将芯片封胶,固化后获得基板型LED。本发明专利技术提供的基板型LED的集成封装方法,通过改变基板,采用模压方式封胶,加快了芯片的封胶,从而加快了基板型LED的集成封装,提高了基板型LED的集成封装效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板型芯片封装
,更具体地说,涉及一种基板型LED的集成封装方法
技术介绍
目前在基板型LED集成封装技术中,为了用较小面积实现较大功率,通常采用COB (Chip On Board, C0B,板上芯片封装)集成封装。COB封装的大致流程为在COB基板上点围坝胶;烘烤围坝胶;待围坝胶烘烤完成后,点封装胶;烘烤封装胶。其中,点围坝胶的目的是为了避免封装胶流出COB基板,因此COB封装需要两次点胶,也需要两次烘烤胶,则COB封装所需的封装时间较长,封装效率较低;而且现有的COB封装的围坝点胶机生产效率比较低,进一步延长了 COB封装所需的封装时间较长,导致COB封装的封装效率较低,使得基板型LED的集成封装效率较低。另外,COB基板大多为陶瓷基板,因为陶瓷基板的导热率较高,但是陶瓷基板比较脆,尤其对于切割制程要求较高,使得陶瓷基板切割制程的效率较低,导致基板型LED的集成封装效率较低;而且陶瓷基板的成本较高,使得基板型LED的集成封装成本较高。综上所述,如何提供一种基板型LED的集成封装方法,以提闻基板型LED的集成封装效率,是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基板型LED的集成封装方法,以提高基板型LED的集成封装效率。为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案一种基板型LED的集成封装方法,包括步骤I)选取绝缘基板和金属片,所述绝缘基板的玻璃态转化温度大于或者等于180° ;2)在所述绝缘基板上设置安装通孔,并将所述金属片固定在所述安装通孔内;3)分别在所述绝缘基板的正面和背面设置镀层;4)将芯片固定在所述金属片上;5)在所述绝缘基板正面的所述镀层上焊接焊线;6)采用模压方式将所述芯片封胶,固化后获得基板型LED。优选的,上述集成封装方法中,所述步骤2)中通过胶体将所述金属片固定在所述安装通孔内。优选的,上述集成封装方法中,所述步骤3)中所述镀层具体包括依次铜镀层、镍镀层和银镀层。优选的,上述集成封装方法中,在所述步骤6)后还包括步骤将所述基板型LED切割成若干LED集成块。优选的,上述集成封装方法中,所述绝缘基板为BT板。优选的,上述集成封装方法中,所述绝缘基板和所述金属片的厚度分别为O. 4mm, 所述镀层的厚度为O. 05mm。优选的,上述集成封装方法中,所述金属片具体为铜片。优选的,上述集成封装方法中,所述绝缘基板和所述金属片分别呈长方体形。本专利技术提供的基板型LED的集成封装方法,将金属片设置在绝缘基板的安装通孔内,分别在绝缘基板的正面和背面设置镀层,在金属片上设置芯片,在镀层上焊接焊线,实现了芯片的热电分离,同时也加强了芯片的散热,则最后能够采用模压方式封胶,最终获得基板型LED。本专利技术提供的基板型LED的集成封装方法,通过采用模压方式封胶,与现有技术 COB封装相比,只需一次封胶即可,无需进行两次点胶以及两次烘烤胶;而且模压封胶的效率远远大于点胶机点胶的效率,很明显,本专利技术提供的基板型LED的集成封装方法加快了芯片的封胶,从而加快了基板型LED的集成封装,提高了基板型LED的集成封装效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法的流程示意图2为本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法中绝缘基板、金属片和镀层的相对位置示意图3为本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法获得的基板型LED的立体示意图4为本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法获得的基板型LED的平面示意图。上图1-4 中绝缘基板I、安装通孔11、凹槽12、金属片2、正面镀层3、背面镀层4、芯片5、焊线6。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种基板型LED的集成封装方法,提闻了基板型LED的集成封装效率。下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参考附图1-4,图I为本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法的流程示意图;图2为本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法中绝缘基板、金属片和镀层的相对位置示意图;图3为本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法获得的基板型 LED的立体示意图;图4为本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法获得的基板型 LED的平面示意图。本专利技术实施例提供的基板型LED的集成封装方法,具体包括步骤SOl :选取绝缘基板和金属片;为了能够实现模压方式封胶,需要提高芯片5的散热效率,故选择散热较好的新型基板,选择金属片2与绝缘基板I组合。优先选择金属片2为铜片,当然,也可选择其他散热较好的金属或者合金,例如铝、银或者铝合金等,本专利技术实施例对金属片2的具体类型不作具体地限定,只要能够提高芯片5的散热效率即可。由于需要在绝缘基板I上设置镀层以及焊接焊线6,因此要求绝缘基板I的玻璃态转化温度大于或者等于180°,以保证能够在绝缘基板I上设置镀层以及焊接焊线6。优选的,绝缘基板I的玻璃态转化温度为 180-210。。S02 :在绝缘基板上设置安装通孔,并将金属片固定在安装通孔内;为了连接金属片2和绝缘基板1,需要在绝缘基板I上设置安装通孔11,即金属片 2要穿过绝缘基板1,如图2所示。金属片2与绝缘基板I相连,采用塞铜工艺。一般绝缘基板I与金属片2粘接相连,即通过胶体将金属片2固定在安装通孔11内。当然,也可采用其他方式将金属片2固定在安装通孔11内,例如通过热胀冷缩原理实现二者的过盈配合, 进而实现二者的固定相连。本专利技术实施例对此不作具体地限定。金属片2与绝缘基板I连接后,要求金属片2与绝缘基板I之间无间隙,即金属片2与安装通孔11相配合。S03 :分别在绝缘基板的正面和背面设置镀层;需要分别在具有绝缘基板I的正面和背面设置镀层,即电镀制程。这里绝缘基板 I的正面是指与金属片2设置有芯片的一面位于同侧的面;绝缘基板I的背面即为与正面相对的一面。在绝缘基板I的正面设置正面镀层3,在绝缘基板I的背面设置背面镀层4, 如图2所示。设置正面镀层3是为了焊接正面金线;设置背面镀层4是为了焊锡,以实现导电。其中,为了保证基板型LED的性能,正面镀层3和背面镀层4均依次包括铜镀层、镍镀层和银镀层。当然,在保证性能的前提下,可替换其他镀层。S04 :将芯片固定在金属片上;将芯片5固定在金属片2上,即固晶封装。一般通过固晶胶将芯片5固定。根据需要,可将若干芯片5固定在一个区域,将若干芯片5固定在另一个区域上,即形成若干芯片集成块,如图3和图4所示。对于芯片集成块的分布以及大小,本专利技术实施例对此不作具体地限定。S05 :在绝缘基板正面的镀层上焊接焊线;将焊线6焊接在绝缘基板I正面的镀层上,即将焊线6焊接在正面镀层3上,通过金属片2实现了散热,通过镀层上的焊线6实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板型LED的集成封装方法,其特征在于,包括步骤:1)选取绝缘基板和金属片,所述绝缘基板的玻璃态转化温度大于或者等于180°;2)在所述绝缘基板上设置安装通孔,并将所述金属片固定在所述安装通孔内;3)分别在所述绝缘基板的正面和背面设置镀层;4)将芯片固定在所述金属片上;5)在所述绝缘基板正面的所述镀层上焊接焊线;6)采用模压方式将所述芯片封胶,固化后获得基板型LED。

【技术特征摘要】
1.一种基板型LED的集成封装方法,其特征在于,包括步骤1)选取绝缘基板和金属片,所述绝缘基板的玻璃态转化温度大于或者等于180°;2)在所述绝缘基板上设置安装通孔,并将所述金属片固定在所述安装通孔内;3)分别在所述绝缘基板的正面和背面设置镀层;4)将芯片固定在所述金属片上;5)在所述绝缘基板正面的所述镀层上焊接焊线;6)采用模压方式将所述芯片封胶,固化后获得基板型LED。2.根据权利要求I所述的集成封装方法,其特征在于,所述步骤2)中通过胶体将所述金属片固定在所述安装通孔内。3.根据权利要求I所述的集成封装方法,其特征在于,所述步骤3)...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄勇鑫袁永刚
申请(专利权)人:苏州东山精密制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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