单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法技术

本发明专利技术氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。本发明专利技术单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法将腐蚀单晶测试样片的化学药液用碱溶液来代替混酸溶液。碱溶液与硅反应时生成物为硅酸盐及氢气，硅酸盐与氢气对环境基本无影响，且反应时产生的氢气对操作人员也没什么危害。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于单晶理化参数的检测，特别是一种。
技术介绍
太阳能单晶测试样片在测试各理化参数之前都需要经过化学药液腐蚀去除表面的机械损伤层，然后用纯水将样片表面清洗干净。目前常用的腐蚀药液为混合酸(硝酸醋酸氢氟酸按照一定的比例混合)，其中硝酸的浓度达到70%，氢氟酸的浓度达到49%。如此 高浓度的混酸与硅反应剧烈产生大量的氮氧化合物，若泄漏于大气中会对环境有一定的影响，且对于操作人员也可能产生一定的危害。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种降低对人的危害、对环境友好的。为解决上述技术问题，本专利技术氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。本专利技术单晶测试样片腐蚀方法，包括如下步骤SI，利用氢氧化钠溶液对硅片表面进行腐蚀，其中所述氢氧化钠溶液的浓度为6% ;S2，用纯净水对硅片进行清洗。所述SI中腐蚀的温度为75°C 85°C。所述SI中腐蚀的时间为55分钟。所述S2中纯净水的电阻率大于等于1ΜΩ。所述S2分为S2. 1，用纯净水对硅片进行第一次清洗及S2. 2，用纯净水对硅片进行第二次清洗。所述S2. I中用纯净水对硅片进行第一次清洗的时间为30秒。所述S2. 2中用纯净水对硅片进行第二次清洗的时间为15分钟。本专利技术将腐蚀单晶测试样片的化学药液用碱溶液来代替混酸溶液。碱溶液与硅反应时生成物为硅酸盐及氢气，硅酸盐与氢气对环境基本无影响，且反应时产生的氢气对操作人员也没什么危害。具体实施例方式本专利技术单晶测试样片腐蚀方法，首先利用浓度为6%的氢氧化钠溶液对硅片表面进行腐蚀，腐蚀的温度为75°C 85°C，时间为55分钟；然后用纯净水对硅片进行清洗，清洗分为两部分，第一次清洗的时间为30秒，第二次清洗的时间为15分钟，其中纯净水的电阻率大于等于IM Ω。本专利技术将腐蚀单晶测试样片的化学药液用碱溶液来代替混酸溶液。碱溶液与硅反应时生成物为硅酸盐及氢气，硅酸盐与氢气对环境基本无影响，且反应时产生的氢气对操作人员也没什么危害。以上已对本专利技术创造的较佳实施例进行了具体说明，但本专利技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本专利技术创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。权利要求1.单晶测试样片腐蚀溶液，其特征在于，包括氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。2.单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤 SI，利用氢氧化钠溶液对硅片表面进行腐蚀，其中所述氢氧化钠溶液的浓度为6% ； S2，用纯净水对硅片进行清洗。3.根据权利要求2所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述SI中腐蚀的温度为 75°C 85°C。4.根据权利要求2所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述SI中腐蚀的时间为55分钟。5.根据权利要求2所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S2中纯净水的电阻率大于等于IM Ω。6.根据权利要求5所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S2分为S2.1，用纯净水对硅片进行第一次清洗及S2. 2，用纯净水对硅片进行第二次清洗。7.根据权利要求6所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S2.I中用纯净水对硅片进行第一次清洗的时间为30秒。8.根据权利要求6所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S2.2中用纯净水对硅片进行第二次清洗的时间为15分钟。全文摘要本专利技术氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。本专利技术将腐蚀单晶测试样片的化学药液用碱溶液来代替混酸溶液。碱溶液与硅反应时生成物为硅酸盐及氢气，硅酸盐与氢气对环境基本无影响，且反应时产生的氢气对操作人员也没什么危害。文档编号C23F1/32GK102925898SQ20121046227公开日2013年2月13日 申请日期2012年11月16日 优先权日2012年11月16日专利技术者周聪, 贺贤汉 申请人:上海申和热磁电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶测试样片腐蚀溶液，其特征在于，包括：氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周聪，贺贤汉，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：