一种抑制大晶粒形成的铝合金制造技术

本发明专利技术涉及一种抑制大晶粒形成的铝合金，其组成按质量百分比包括有，0.72％的镁，1.2％的硅，0.25％的锰，0.05％的铬，0.35％的铜，0.21％的铁，0.005％的钛，余量为铝及不可避免的杂质。能够抑制结晶的粒径生长，并通过特定的加工工艺，实现了抑制晶粒生长的现象发生。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制大晶粒形成的铝合金
本专利技术属于金属材料领域，特别是指一种抑制大晶粒形成的铝合金材料。
技术介绍
现阶段，铝合金型材以其重量轻、高延展性，甚至同时具有高强度的性能，得到广泛的应用。但是，在这类型材的应用中，特别是在铸造或挤压加工过程中，铝合金内部组织会因为压应力变化大，温升大等一系列原因会导致在成型后的淬火过程中发生晶粒再结晶现象。组织体内的晶粒过度生长，形成粗晶粒。这类晶粒对铝合金材料的力学性能、抗疲劳性能、抗腐蚀性能及后期的加工都有很大的影响。因此，在型材加工领域，如何抑制铝合金组织体内的大晶粒或淬火过程中的晶粒生长，一直是本领域技术人员面临的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种铝合金材料，通过材料的组成来有效抑制铝合金组织体内的晶粒生长，提闻广品的性能。一种抑制大晶粒形成的铝合金，其组成按质量百分比包括有，O. 72%的镁，I. 2% 的硅，O. 25 %的锰，O. 05%的铬，O. 35 %的铜，O. 21%的铁，O. 005 %的钛，余量为铝及不可避免的杂质。将上述组成成份熔炼后浇铸成铝合金锭，对铝合金锭进行压铸淬火得到规定的铝合金型材。所述压铸淬火工艺为，将铝合金锭加热到500-530°C后进行恒温压铸，其中压铸速度为2-2. 5米/分钟；淬火分为两个阶段，第一个阶段为恒温水冷淬火，降温速度不能低于I.50C /秒，待温度下降到260-300°C时转为自然风冷至常温。本专利技术同现有技术相比的有益效果是因为在本申请中加入的钛元素，能够抑制结晶的粒径生长，并通过加工工艺，实现了抑制晶粒生长的现象发生。具体实施方式以下通过具体实施例来说明本专利技术的技术方案，以下实施例只是为了说明本专利技术而不是限定本专利技术的范围。按以下组成准备原料，其组成按质量百分比包括有，O. 72 %的镁，I. 2 %的硅， O. 25 %的锰，O. 05 %的铬，O. 35 %的铜，O. 21 %的铁，O. 005 %的钛，余量为铝及不可避免的杂质。将上述组成进行熔炼，熔炼的方式为现有技术。将上述组成成份熔炼后浇铸成铝合金锭，对铝合金锭进行压铸淬火得到规定的铝合金型材。所述压铸淬火工艺为，将铝合金锭加热到500-530°C后进行恒温压铸，其中压铸速3度为2-2. 5米/分钟；在使用时，压铸的速度大于或小于本申请的压铸速度也能够实现本申请目的，淬火分为两个阶段，第一个阶段为恒温水冷淬火，冷却液温度保持在200± 10°C，降温速度不能低于I. 5°C /秒，待温度下降到260-300°C时转为自然风冷至常温。以上的实施例说明了本专利技术的技术方案，本领域技术人员应当理解，可以由上述的技术方案进行变形或等同替换，均能够得到本专利技术的其它实施例。权利要求1.一种抑制大晶粒形成的铝合金，其特征在于其组成按质量百分比包括有，O. 72%的镁，I. 2%的 硅，O. 25%的锰，O. 05 %的铬，O. 35 %的铜，O. 21 %的铁，O. 005 %的钛，余量为铝及不可避免的杂质。全文摘要本专利技术涉及一种抑制大晶粒形成的铝合金，其组成按质量百分比包括有，0.72％的镁，1.2％的硅，0.25％的锰，0.05％的铬，0.35％的铜，0.21％的铁，0.005％的钛，余量为铝及不可避免的杂质。能够抑制结晶的粒径生长，并通过特定的加工工艺，实现了抑制晶粒生长的现象发生。文档编号C22C21/02GK102925761SQ20121044815公开日2013年2月13日 申请日期2012年11月5日 优先权日2012年11月5日专利技术者虞海香 申请人:虞海香本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抑制大晶粒形成的铝合金，其特征在于：其组成按质量百分比包括有，0.72％的镁，1.2％的硅，0.25％的锰，0.05％的铬，0.35％的铜，0.21％的铁，0.005％的钛，余量为铝及不可避免的杂质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞海香，
申请(专利权)人：虞海香，
类型：发明
国别省市：