本实用新型专利技术提供了一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，它包括有：一输送单元，用以输送至少一晶片；至少一引导单元，位于该输送单元上，并用以引导该输送单元输送的晶片；及至少一调整支架，连接该引导单元，并用以调整该引导单元的高度。本实用新型专利技术提供的输送装置在使用时，当部分的引导单元被晶片磨损后，可通过调整支架调整引导单元的高度，得以延长引导单元的使用期限，并有利于降低晶片输送装置的使用成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，可延长引导单元的使用期限，并有利于降低晶片输送装置的使用成本。
技术介绍
在晶片的制作或检测的过程中免不了要对晶片进行输送，晶片的结构较为轻、薄且脆。当晶片输送的过程中与输送机台接触，便容易导致晶片本身的结构出现损伤，例如出现破损、缺角或是肉眼无法辨识的裂痕，此外在长时间的使用下也会造成机台的磨损。请参阅图I，为现有晶片输送机台的俯视图。如图所示，晶片输送机台10包括有一第一输送单兀11及一第二输送单兀13,其中第一输送单兀11与第二输送单兀13相邻，并 可将第一输送单元11上的晶片12传送至第二输送单元13上。第一输送单元11的宽度Wl大于第二输送单元13的宽度W2，为了使得第一输送单元11上的晶片12可顺利进入第二输送单元13，通常会选择在第二输送单元13的输入口132的两侧边设置一引导单元15。引导单元15的宽度由第一输送单元11往第二输送单元13的方向递减，例如宽度W3大于宽度W4。通过引导单元15的设置，可在输送过程中将第一输送单元11所输送的晶片12引导至预设的位置，使得晶片12可顺利进入第二输送单元13。在引导单元15引导晶片12的过程中，晶片12会与引导单元15接触。在经过一段时间的使用之后，晶片12将会在引导单元15的表面形成凹痕，使得使用者必须经常性的更换磨损的引导单元15，并导致晶片输送机台10的使用成本增加。
技术实现思路
本技术的一个目的，在于提供一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，主要引导单元设置于输送单元上，并用以引导输送单元输送的晶片。引导单元还连接调整单元，并可通过调整单元调整引导单元的高度，从而延长引导单元的使用期限，并有利于降低晶片输送装置的使用成本。本技术的又一目的，在于提供一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，当引导单元出现过度磨损的时候，可通过调整支架调整引导单元的高度，使得与晶片接触的引导单元仍具有完整的构造，并可继续进行晶片的引导。本技术的又一目的，在于提供一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，主要将引导单元设置在输送单元的输入端或输出端，并用以引导由输入端进入或由输出端输出的晶片。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，它包括有一输送单兀,用以输送至少一晶片；至少一引导单元，位于该输送单元上，并用以引导该输送单元输送的晶片；及至少一调整支架，连接该引导单元，并用以调整该引导单元的高度。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述输送单元包括有一输入端及一输出端，且该晶片由该输入端进入该输送单元，并由该输出端离开该输送单元。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元位于所述输送单元的输出端的侧边，并用以引导由该输出端离开该输送单元的晶片。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元位于所述输送单元的输入端的侧边，并用以引导由该输入端进入该输送单元的晶片。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元的宽度由该输入端往该输出端的方向逐渐缩小。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述调整支架连接所述输送单元。·如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元位于所述输送单元的侧边。一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，它包括有一第一输送单兀,用以输送至少一晶片；一第二输送单元，用以由该第一输送单元接收该晶片，并用以进行该晶片的输送；至少一引导单元，位于该第一输送单元及第二输送单元之间，并用以引导该晶片由该第一输送单兀输送至该第二输送单兀；及至少一调整支架，连接该引导单元，并用以调整该引导单元的高度。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，它包括有一第三输送单兀位于该第一输送单元与该第二输送单元之间。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元位于该第三输送单元上，并用以引导该第三输送单元输送的晶片。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元的宽度由该第一输入单元往该第二输入单元的方向逐渐缩小。本技术的有益效果在于本技术提供了一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，当部分的引导单元被晶片磨损后，可通过调整支架调整引导单元的高度，得以延长引导单元的使用期限，并有利于降低晶片输送装置的使用成本。附图说明图I为现有晶片输送机台的俯视图。图2为本技术具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例I的立体示意图。图3为本技术具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例I的部分构件的放大示意图。图4为本技术具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例2的立体示意图。图5为本技术具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例3的立体示意图。图6为本技术具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例4的立体示意图。主要元件符号说明10 晶片输送机台11 第一输送单元12晶片13第二输送单元132输入口15引导单元20晶片输送装置201晶片输送装置21输送单元211承载座212输入端213 输送带214输出端23引导单元231第一磨痕233第二磨痕235第三磨痕24连接单元25调整支架251侧支架2511穿孔253连接支架30晶片输送装置31第一输送单元314输出端32第二输送单元322输入端40晶片输送装置41第一输送单元42第二输送单元43引导单元431上表面433侧表面435底表面45调整支架47第三输送单元472输入端474输出端。具体实施方式实施例I请参阅图2，为本技术具可调式引导单元的晶片输送装置一个实施例的立体示意图。如图所示，晶片输送装置20主要包括有一输送单元21、至少一引导单元23及至少一调整支架25，其中输送单元21可用以进行至少一晶片12的输送，而引导单元23则用以将晶片12引导至预设的位置。输送单兀21主要用以输送晶片12,并包括有一输入端212及一输出端214,其中晶片12由输入端212进入输送单兀21,并由输出端214离开输送单兀21,换句话说,输送单元21由输入端212往输出端214的方向输送晶片12，例如输送单元21可为输送带、气浮式输送单兀或振动式输送单兀等。在本实施例中，输送单兀21包括有一承载座211及一输送带213，其中输送带213位于承载座211上。引导单元23位于输送单元21上，并可用以引导输送单元21所输送的晶片12。在本实施例中，引导单元23位于输送单元21的输入端212的两侧边，并用以引导由输入端212进入输送单元21的晶片12，使得输送单元21可顺利进行晶片12的输送。当然在实际应用时，引导单元23可位于输送单元21的输出端214，此外引导单元23也可位于部分或全部的输送单元21上，相关的设置方式将会在后续的实施例中说明。在本技术实施例中，引导单元23位于输送单元21的输入端212，且引导单元23的宽度由输入端212的方向往输出端214的方向逐渐缩小，使得引导单元23可发挥引导晶片12的功能。例如引导单元23的数量为两个，并分别位于输送单元21和/或输送带213的两侧边，且两个引导单元23之间的宽度Wl大于宽度W2。调整支架25连接引导单元23，并可用以调整引导单元23的高度。在实际应用时引导单元23可与输送单元21接触，并以输送单元21承载部分引导单元23的重量。在不同实施例中，也可完全由调本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，其特征在于，它包括有：一个用以输送至少一晶片的输送单元；至少一个用以引导该输送单元输送的晶片的引导单元，位于该输送单元上；及至少一个用以调整该引导单元的高度的调整支架，连接该引导单元。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王雅惠，
申请(专利权)人：立晔科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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