PIN卡及使用PIN卡的试验装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及PIN卡及使用PIN卡的试验装置。在I/O端子（Pio）上连接有DUT1。交流试验单元（30）进行DUT1的交流试验。直流试验单元（40）进行DUT1的直流试验。光半导体开关（10）的第一端子（P1）与交流试验单元（30）连接，第二端子（P2）与I/O端子（Pio）连接。光半导体开关（10）根据输入到控制端子（P3、P4）的控制信号，可切换第一端子（P1）和第二端子（P2）之间的导通、切断状态。第一阻抗电路（20）设置在对正极控制端子（P3）的控制信号的信号路径上，第二阻抗电路（22）设置在对负极控制端子（P4）的控制信号的信号路径上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及PIN (personal identification number :个人识别号码)卡。
技术介绍
为了试验半导体设备是否正常工作、或者确定其不良部位而利用半导体试验装置(以下，简称为试验装置)。一般，试验装置进行AC试验和DC试验。在AC试验中，由模式发生器、定时发生器产生测试模式，再由驱动器(driver)将其提供给被试验设备(DUT)。接收到模式信号的DUT进行预定的信号处理并输出到试验装置。试验装置利用定时比较器判断来自DUT的信号电平，通过将判断结果与期待值进行比较，由此判断DUT的功能的优劣。 在DC试验中，由直流试验单元将直流电压(DC电压)或电流信号提供给DUT，测试以DUT的输入输出阻抗、漏电流为代表的DC特性。驱动器、定时比较器以及进行DC试验的PMU设置在PIN卡(PIN electronicscard)、数字模块或被称为接口卡(interface card)的线路板上,多数情况下能够与试验装置的主体分离。图I是表示一般的PIN卡的结构。图I中仅示出与一个设备PIN对应的一个通道，实际上数百 数千通道并排设置。PIN卡200的I/O端子Pio通过缆线以及未图示的设备卡盘与DUTl对应的设备引脚连接。PIN卡200除了驱动器DR、定时比较器TCP、直流试验单元PMU之外，还包括两个开关(relay :继电器)SWl、SW2。开关SW1、SW2用于切换AC试验和DC试验。AC试验时开关SWl接通，开关SW2断开。此时驱动器DR和定时比较器TCP与DUTl连接，直流试验单元PMU与DUTl断开。相反，DC试验时开关SWl断开，开关SW2接通。此时驱动器DR和定时比较器TCP与DUTl断开，直流试验单位PMU与DUTl连接。
技术实现思路
当测试模式的频率超过数Gbps时，开关SWl上传输超过数GHz的高频信号。此时，开关SWl需要使用可传输高频信号的化合物半导体开关或MEMS (Micro ElectroMechanical Systems :微机电系统)开关。但是，化合物半导体开关的DC耐压为0. IV左右，非常低，在测试模式中包含直流成分的情况下不能利用。另外，MEMS开关虽满足高速性、DC耐压要求，但存在成本高的问题。具体地，MEMS开关的价格是其之外的开关的近100倍。如上述那样，批量生产用的试验装置由于具备数百 数千通道，因此使用MEMS开关时，对试验装置成本的影响变大。本专利技术是鉴于这种状况而做出的，其实施方式例示的目的之一，在于提供一种利用便宜的开关的PIN卡。本专利技术的一种技术方案是一种PIN卡,包括输入输出端子、光半导体开关、第一阻抗电路、以及第二阻抗电路。输入输出端子与被试验设备连接；光半导体开关，其第一端子与进行被试验设备的交流试验的交流试验单元连接，其第二端子与输入输出端子以及进行被试验设备的直流试验的直流试验单元连接。光半导体开关根据输入到其正控制端子以及负控制端子的控制信号，可切换第一端子和第二端子之间的导通、切断状态。第一阻抗电路设置在对光半导体开关的正控制端子的控制信号的信号路径上。第二阻抗电路设置在对光半导体开关的负控制端子的控制信号的信号路径上。本专利技术另外一种技术方案是，光半导体开关通过寄生电容与设置有控制端子的一次侧和设置有第一端子、第二端子的二次侧耦合。通过阻抗电路，提高从光半导体开关的正控制端子观察控制信号的发生源的阻抗以及从光半导体开关的负控制端子观察控制信号的发生源的阻抗，因此能降低寄生电容对二次侧的影响。根据该方案，能使用便宜的半导体开关来提供一种高频特性优异的PIN卡。本专利技术另外一种技术方案是，在进行直流试验时，使光半导体开关为切断状态，并 且将所述交流试验单元控制为静默状态。本专利技术另外一种技术方案是，第一阻抗电路、第二阻抗电路中的至少一方包括串联或并联设置的铁氧体磁珠以及电阻元件。根据该方案，主要能够通过铁氧体磁珠降低寄生电容的影响，并且能够通过电阻元件控制对光半导体开关的控制信号的电流量。即，能提高电路设计的自由度。本专利技术另外一种技术方案是，铁氧体磁珠在f IOGHz中的阻抗是100Ω 1ΜΩ。本专利技术另外一种技术方案是，第一阻抗电路、第二阻抗电路中的至少一方包括串联或并联设置的电感以及电阻。根据该方案，主要能够通过电感降低寄生电容的影响，并且能够通过电阻元件控制对光半导体开关的控制信号的电流量。即，能提高电路设计的自由度。另外，电感可以是铁氧体感应器。本专利技术另外一种技术方案是，第一阻抗电路、第二阻抗电路中的至少一方可以仅包含电阻元件。在使控制信号的振幅为最佳的方式而确定电阻元件的电阻值的情况下，该电阻值具有足以降低寄生电容的影响的大小时，通过省略铁氧体磁珠和电感，能够简化电路，并降低成本。本专利技术另外一种技术方案是一种试验装置，该试验装置具备上述任意一种方案的PIN 卡。通过取代高额的MEMS开关而使用便宜的光半导体开关，能降低试验装置的成本。本专利技术其他的技术方案是一种试验装置。该试验装置包括输入输出端子、进行被试验设备的交流试验的交流试验单元、进行被试验设备的直流试验的直流试验单元、光半导体开关、第一阻抗电路、以及第二阻抗电路。输入输出端子与被试验设备连接。光半导体开关，其第一端子与交流试验单元连接，其第二端子与输入输出端子连接。光半导体开关根据输入到其正控制端子以及负控制端子的控制信号，可切换第一端子和第二端子之间的导通、切断状态。第一阻抗电路设置在对所述光半导体开关的正控制端子的控制信号的信号路径上，以及第二阻抗电路，设置在对光半导体开关的负控制端子的控制信号的信号路径上。另外，以上构成要素的任意组合、本专利技术的构成要素、表现在方法、装置等之间的相互置换的方案，作为本专利技术的技术方案也是有效的。根据本专利技术，能够提供一种利用了便宜的开关的PIN卡。附图说明图I是表示一般的PIN卡的构成的图。图2是表示具备实施方式涉及的PIN卡的试验装置的构成的框图。图3是图2的PIN卡中的光半导体开关和第一阻抗电路、第二阻抗电路的外围的布局图。图4 (a)和图4 (b)是安装有光半导体开关的两种闻频基板的首I]视图。 图5是表示图2的PIN卡的第一端子和第二端子之间的通过特性的图。具体实施例方式以下，基于优选实施方式并参照附图来说明本专利技术。对各个附图中所示的同一或者同等的构成要素、部件、处理标注同一标记，适当地省略重复的说明。另外，实施方式并非限定专利技术，而仅仅是例示，实施方式中记载的所有的特征、特征的组合并不一定是本专利技术的本质的特征。在本说明书中，“部件A与部件B连接的状态”包括部件A和部件B物理性直接连接的情况、部件A和部件B通过不影响其电连接状态的其他部件而间接连接的情况。同样，“部件C设置在部件A和部件B之间的状态”除部件A和部件C、或者部件B和部件C直接连接的情况之外，还包括通过不影响电连接状态的其他部件而间接连接的情况。图2是表示具备实施方式涉及的PIN卡100的试验装置2的构成的框图。试验装置2对DUTl进行AC试验和DC试验。试验装置2包括相对于DUTl作为前端的PIN卡100。考虑到试验装置2的通用性、维护性、设计性等，PIN卡100相对于试验装置2的主体(未图示)可拆装。PIN卡100的I/O端子Pio通过设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：川原贵夫，中村隆之，
申请(专利权)人：株式会社爱德万测试，
类型：
国别省市：