LED磊晶粗化制程制造技术

本发明专利技术提供一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤；首先，提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层，接着，形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层，然后，湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面，再形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，最后制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。本发明专利技术并提供所述LED磊晶结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED磊晶粗化制程，尤其涉及一种磊晶侧面粗化的LED磊晶粗化制程。
技术介绍
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而由于LED的结构是以磊晶方式生长在蓝宝石基板上，磊晶与蓝宝石基板的晶格常数以及热膨胀系数差异极大，所以会产生高密度线差排(Thread Dislocation)，此种高密度线差排会限制LED的发光效率。此外，在LED的结构中，除了发光层(Active Layer)及其它嘉晶层会吸收光以外，其半导体的高折射系数也会使得LED产生的光受到局限，且常产生全内反射使大部分从发光层发出的光线，被局限在半导体内部，这种被局限的光有可能被较厚的基板吸收。所以如何从半导体的发光层萃取光源，进而增加光萃取效率，是目前LED产业努力的课题。磊晶表 面的粗化已被证实具有改善出光的效率，但对于磊晶侧面的粗化，需要以特殊的光辅助化学湿蚀刻法(Photo-enhance Chemical wet etching method, PEC )制程，并使用氢氧化钾溶液(KOH)为蚀刻液进行，从而使得制造时间、人力以及成本都提高，且粗糙化程度并不明显。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种良好的LED磊晶粗化制程。一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤； 提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层， 形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层， 湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面， 形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，及 制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。上述的LED磊晶粗化的制程中，由于所述导电层侧面形成的粗糙面由湿式蚀刻造成，相较于特殊的光辅助化学湿蚀刻法对所述磊晶片的蚀刻可以提升粗糙面的粗糙度等级，而且所述N型氮化镓平台的成型是以对所述导电层没有影响的干式蚀刻进行，从而所述导电层侧面的粗糙面可以直接被转印到所述N型氮化镓平台的侧面，相较于目前磊晶侧面粗化的制程方式，具有制造成本低以及出光效果更佳的竞争上优势。附图说明图I是本专利技术LED磊晶粗化制程的步骤流程图。图2是对应图I形成一个图形化光阻层步骤的剖视图。图3是对应图I蚀刻所述导电层步骤的剖视图。图4是对应图I形成一个N型氮化镓平台步骤的剖视图。图5是对应图I制造电极衬垫步骤的剖视图。主要元件符号说明 __权利要求1.一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤 提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层， 形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层， 湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面， 形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，及 制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。2.如权利要求I所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述提供一个磊晶片步骤中，所述磊晶片包括一个基板、一个N型磊晶层、一个发光层以及一个P型磊晶层。3.如权利要求2所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述磊晶片的P型磊晶层上形成所述导电层。4.如权利要求I所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述提供一个磊晶片步骤中，所述导电层是以蒸镀方式形成，所述导电层的材料为透明的铟锡氧化物(Indium TinOxide, ITO)。5.如权利要求I所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述湿式蚀刻所述导电层步骤中，所述导电层侧面的所述粗糙面是在所述光阻层边缘下方，由所述湿式蚀刻方式的侧向蚀刻现象形成。6.如权利要求5所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述湿式蚀刻，是使用KOH氢氧化钾、HCL盐酸或是H3P04磷酸湿式化学蚀刻。7.如权利要求I所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述形成一个N型氮化镓平台步骤中，所述干式蚀刻所述磊晶片，为依循着所述导电层的粗糙面向下进行蚀刻运作。8.如权利要求I所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述形成一个N型氮化镓平台步骤中，所述N型氮化镓平台侧面的粗糙面，为直接由干式蚀刻所述导电层的粗糙面转印形成。9.如权利要求8所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述干式蚀刻是以感应耦合式电衆(Inductively Coupled Plasma, ICP)蚀刻进行。10.如权利要求8所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述N型氮化镓平台侧面的粗糙面与所述导电层的粗糙面具有相同的表面粗糙度等级。11.如权利要求I所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述制造电极衬垫步骤中，为去除所述图形化光阻层后，蒸镀金属衬垫形成所述电极衬垫。12.如权利要求11所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于所述电极衬垫，在所述N型氮化镓平台上的电极衬垫为N极电极，在所述导电层上的电极衬垫为P极电极。13.—种LED磊晶结构，包含一个磊晶片、一个导电层以及二个电极衬垫，所述磊晶片的一侧边上具有一个N型氮化镓平台设置，所述N型氮化镓平台上设置一个所述电极衬垫，所述导电层上设置另一个所述电极衬垫。14.如权利要求13所述的LED磊晶结构，其特征在于所述N型氮化镓平台凹陷于所述磊晶片内，所述N型氮化镓平台的侧面是为一个粗糙面，所述粗糙面位于所述磊晶片凹陷区域的内缘面。15.如权利要求14所述的LED磊晶结构，其特征在于所述粗糙面是边缘具有锯齿状的 粗糙面。全文摘要本专利技术提供一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤；首先，提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层，接着，形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层，然后，湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面，再形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，最后制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。本专利技术并提供所述LED磊晶结构。文档编号H01L33/00GK102916090SQ20111022388公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月5日 优先权日2011年8月5日专利技术者沈佳辉, 洪梓健 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤：提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层，形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层，湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面，形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，及制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳辉，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：