本发明专利技术涉及一种低压差线性稳压器的过流保护电路，其包括第一迟滞比较器、第二迟滞比较器、钳位二极管、第一开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻；第一开关管的栅极与第二迟滞比较器相连接，漏极与功率管的栅极相连接，钳位二极管连接功率管的栅极与第一迟滞比较器，第一迟滞比较器与第二电阻相连接，第二电阻与功率管的漏极相连接，第三电阻连接第二电阻与地，第二迟滞比较器与第四电阻相连接，第四电阻与输出端相连接，第五电阻连接第四电阻与地，第一电阻连接功率管的漏极与输出端，第六电阻连接第一开关管的源极与栅极。本发明专利技术的过流保护电路可以在LDO过流时，降低功率管上的电流，避免功率管损坏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于低压差线中的过流保护电路。
技术介绍
LDO (Low Dropout Voltage Regulator :低压差线性稳压器)是线性稳压源的一种，它具有体积小、噪声小、输出波纹低、无电磁干扰且设计简单、外围原件少等优点。当LDO处于过载或者输出短路的工作状态时，过大的负载电流不仅浪费巨大的功耗，而且极有可能损坏电路。为了防止这种情况的发生，确保整个系统安全稳定地工作，LDO芯片中都集成过流保护电路。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在LDO系统过流时，降低功率管上的电流，避免在过流保护阶段功率管上因长时间的大电流而损坏的过流保护电路。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是一种低压差线性稳压器的过流保护电路，与低压差线性稳压器相连接并对其进行过流保护，所述的低压差线性稳压器包括与电源相连接的电压参考源、反相输入端与所述的电压参考源相连接的误差放大器、与所述的误差放大器的输出端相连接的电压缓冲电路、栅极与所述的电压缓冲电路相连接的功率管、连接于所述的功率管的漏极与所述的误差放大器的同相输入端之间的电阻反馈网络，所述的功率管的源极、所述的电压缓冲电路、所述的误差放大器分别与所述的电源相连接，所述的功率管的漏极与所述的低压差线性稳压器的输出端相连接，所述的低压差线性稳压器的输出端上连接有负载，所述的低压差线性稳压器的过流保护电路与所述的功率管的栅极相连接，其包括第一迟滞比较器、第二迟滞比较器、钳位二极管、第一开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻；所述的第一开关管的栅极与所述的第二迟滞比较器的输出端相连接，所述的第一开关管的源极与所述的电源相连接，所述的第一开关管的漏极与所述的功率管的栅极相连接，所述的钳位二极管的负极与所述的功率管的栅极相连接，所述的钳位二极管的正极与 所述的第一迟滞比较器的输出端相连接，所述的第一迟滞比较器的输入端与所述的第二电阻的第一端相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的功率管的漏极相连接，所述的第三电阻连接于所述的第二电阻的第一端与地之间，所述的第二迟滞比较器的输入端与所述的第四电阻的第一端相连接，所述的第四电阻的第二端与所述的低压差线性稳压器的输出端相连接，所述的第五电阻连接于所述的第四电阻的第一端与地之间，所述的第一电阻连接于所述的功率管的漏极与所述的低压差线性稳压器的输出端之间，所述的第六电阻连接于所述的第一开关管的源极与栅极之间；所述的第一迟滞比较器和所述的第二迟滞比较器产生不同的阈值门限电压。优选的，所述的第一迟滞比较器和所述的第二迟滞比较器的电路结构相同而元件参数不同。优选的， 所述的第一迟滞比较器的阈值门限电压分别为Vl+和VI-，且V 1+>V1-；所述的第二迟滞比较器的阈值门限电压分别为V2+和V2-，且V2+>V2- ;V1->V2+。 优选的，其还包括负载与电压探测电路；所述的负载与电压探测电路包括第三迟滞比较器、第四迟滞比较器、异或门电路、反相器、第二开关管、第三开关管；所述的第三迟滞比较器的输入端和所述的第四迟滞比较器的输入端分别与所述的低压差线性稳压器的输出端相连接，所述的第三迟滞比较器的输出端和所述的第四迟滞比较器的输出端分别与所述的异或门电路的两个输入端相连接，所述的反相器的输入端与所述的异或门电路的输出端相连接，所述的第三开关管的漏极与所述的第一迟滞比较器的输出端相连接，所述的第三开关管的源极接地，所述的第二开关管的源极与电源相连接，所述的第二开关管的漏极与所述的第二迟滞比较器的输出端相连接。优选的，所述的第三迟滞比较器和所述的第四迟滞比较器的电路结构相同而元件参数不同。优选的，所述的电阻反馈网络包括串连于所述的功率管的漏极与地之间的第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述的第一反馈电阻和所述的第二反馈电阻的共同端与所述的误差放大器的同相输入端相连接。优选的，所述的负载包括连接于所述的低压差线性稳压器的输出端与地之间的负载电容和负载电阻。由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点本专利技术的过流保护电路可以在LDO系统过流时，极大地降低功率管上的电流，避免功率管因长时间的大电流而损坏。且当LDO的负载逐渐恢复到正常值时，该过流保护电路能够迅速关闭而使LDO快速恢复正常工作状态。附图说明附图I为低压差线性稳压器的系统框图。附图2为本专利技术的低压差线性稳压器的过流保护电路的电路图。附图3为本专利技术的低压差线性稳压器的过流保护电路的迟滞比较器的电路图。附图4为本专利技术的低压差线性稳压器的过流保护电路的迟滞比较器的输入输出示意图。附图5为本专利技术的低压差线性稳压器的过流保护电路的电路图。具体实施例方式下面结合附图所示的实施例对本专利技术作进一步描述。实施例一参见附图I所示。—种低压差线性稳压器的过流保护电路Over Current Protecting,与低压差线性稳压器相连接并对其进行过流保护。低压差线性稳压器包括与电源VDD相连接的电压参考源Voltage reference、反相输入端与电压参考源Voltage reference相连接的误差放大器Error amplifier、与误差放大器Error amplifier的输出端相连接的电压缓冲电路Voltage buffer、栅极与电压缓冲电路Voltage buffer相连接的功率管Q0、连接于功率管QO的漏极与误差放大器Erroramplifier的同相输入端之间的电阻反馈网络。功率管QO的源极、电压缓冲电路Voltagebuffer、误差放大器Error amplifier分别与电源VDD相连接,功率管QO的漏极与低压差线性稳压器的输出端相连接，低压差线性稳压器的输出端上连接有负载。电阻反馈网络包括串连于功率管QO的漏极与地之间的第一反馈电阻Rfl和第二反馈电阻Rf2，第一反馈电阻Rf I和第二反馈电阻Rf2的共同端与误差放大器Error amplifier的同相输入端相连接。负载包括连接于低压差线性稳压器的输出端与地之间的负载电容CL和负载电阻RL。参见附图2所示。低压差线性稳压器的过流保护电路Over Current Protecting与功率管QO的栅极相连接，其包括第一迟滞比较器、第二迟滞比较器、钳位二极管diode、第一开关管Q I、第一电阻R0、第二电阻R1、第三电阻R2、第四电阻R3、第五电阻R4、第六电阻R5。 第一开关管Ql的栅极与第二迟滞比较器的输出端相连接，第一开关管Ql的源极与电源VDD相连接，第一开关管Ql的漏极与功率管QO的栅极相连接，钳位二极管diode的负极与功率管QO的栅极相连接，钳位二极管diode的正极与第一迟滞比较器的输出端相连接，第一迟滞比较器的输入端与第二电阻Rl的第一端相连接，第二电阻Rl的第二端与功率管QO的漏极相连接，第三电阻R2连接于第二电阻Rl的第一端与地之间，第二迟滞比较器的输入端与第四电阻R3的第一端相连接，第四电阻R3的第二端与低压差线性稳压器的输出端相连接，第五电阻R4连接于第四电阻R3的第一端与地之间，第一电阻RO连接于功率管QO的漏极与低压差线性稳压器的输出端之间，第六电阻R5连接于第一开关管Ql的源极与栅极之间。第一迟滞比较器和第二迟滞比较器产生不同的阈值门本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低压差线性稳压器的过流保护电路，与低压差线性稳压器相连接并对其进行过流保护，所述的低压差线性稳压器包括与电源相连接的电压参考源、反相输入端与所述的电压参考源相连接的误差放大器、与所述的误差放大器的输出端相连接的电压缓冲电路、栅极与所述的电压缓冲电路相连接的功率管、连接于所述的功率管的漏极与所述的误差放大器的同相输入端之间的电阻反馈网络，所述的功率管的源极、所述的电压缓冲电路、所述的误差放大器分别与所述的电源相连接，所述的功率管的漏极与所述的低压差线性稳压器的输出端相连接，所述的低压差线性稳压器的输出端上连接有负载，其特征在于：所述的低压差线性稳压器的过流保护电路与所述的功率管的栅极相连接，其包括第一迟滞比较器、第二迟滞比较器、钳位二极管、第一开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻；所述的第一开关管的栅极与所述的第二迟滞比较器的输出端相连接，所述的第一开关管的源极与所述的电源相连接，所述的第一开关管的漏极与所述的功率管的栅极相连接，所述的钳位二极管的负极与所述的功率管的栅极相连接，所述的钳位二极管的正极与所述的第一迟滞比较器的输出端相连接，所述的第一迟滞比较器的输入端与所述的第二电阻的第一端相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的功率管的漏极相连接，所述的第三电阻连接于所述的第二电阻的第一端与地之间，所述的第二迟滞比较器的输入端与所述的第四电阻的第一端相连接，所述的第四电阻的第二端与所述的低压差线性稳压器的输出端相连接，所述的第五电阻连接于所述的第四电阻的第一端与地之间，所述的第一电阻连接于所述的功率管的漏极与所述的低压差线性稳压器的输出端之间，所述的第六电阻连接于所述的第一开关管的源极与栅极之间；所述的第一迟滞比较器和所述的第二迟滞比较器产生不同的阈值门限电压。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：白涛，刘晓淮，贺克军，唐兴刚，童紫平，陈超，刘斌，
申请(专利权)人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心，
类型：发明
国别省市：
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