一种阵列基板线路不良维修装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体线路维修设备领域，公开一种阵列基板线路不良维修装置，包括反应腔室，和向反应腔室内导入六羰基钨的原料供应装置；反应腔室的排气端具有废气排放管；还包括：至少一个六羰基钨的回收罐，每一个回收罐的入口通过回收管路与反应腔室的排气端连通；每一个回收罐设有降温装置，且与反应腔室的排气端之间设有防止固态反应副产物通过的气帘装置。气帘装置可W(CO)5等固态废弃物进入回收罐，粉末状六羰基钨进入具有降温装置的回收罐之后由粉末状转化为固态，残留在回收罐中，而CO等气态通过回收罐的出口排出。因此，本实用新型专利技术提供的维修装置能够对反应腔室中未反应的六羰基钨回收一部分，降低了六羰基钨的浪费。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体线路维修设备领域，尤其涉及一种阵列基板线路不良维修>J-U ρ α装直。
技术介绍
在薄膜晶体管TFT阵列基板制造工艺中，需要在玻璃基板上沉积形成薄膜晶体管TFT像素阵列电路，工艺中产生的缺陷，可以通过维修装置进行维修，如CVD维修设备。目前，在阵列基板线路不良维修装置中使用的维修材料多为六羰基钨W(CO) 6，六羰基钨在室 温下为固态，当加热至5(T60°C时呈粉末状固体。现有的维修装置中设有六羰基钨存储器，六羰基钨存储器的进气口与Ar气导入管连通，出气口通过导气管与反应腔室的进气端连通；将六羰基钨存储器加热至5(T60°C，六羰基钨呈粉末状，同时通过六羰基钨存储器的进气口通入Ar气，Ar气将粉末状的六羰基钨通过导入管带入反应腔室。进入反应腔室的六羰基钨经激光照射，在光效应和热效应作用下，逐渐生成单质钨和废气，单质钨沉积于放置在反应腔室内的阵列基板的线路中需维修的位置，实现对阵列基板中线路不良的维修；六羰基钨的反应过程如下W(CO)6+35lnm->ff(CO)5+C0W(CO)6+248nm->ff(CO)4+2C0逐级反应至单质钨，对线路进行维修。有上述反应过程可以看出，六羰基钨在反应之后中，反应腔室内不仅包括反应生成物CO、C02以及单质钨等，同时，也会存在一些反应副产物W(CO) 5等，以及未反应的六羰基钨则通过反应腔室排气端设置的废气排放管排出反应腔室，废气排放管的外端与废气高温氧化腔室连通，以将废气通入废气高温氧化腔室，增强环保性。由于反应过程中，反应腔室内充满粉末状反应物六羰基钨，而反应激光的激光束直径设定值均在5*5um以下，因此未反应的六羰基钨均通过废气排放管作为废气被处理掉，造成了大量的浪费。
技术实现思路
本技术提供了一种阵列基板线路不良的维修装置，该装置可以对维修的反应腔室内未反应的六羰基钨进行部分回收，降低了六羰基钨的浪费。为达到上述目的，本技术提供以下技术方案一种阵列基板线路不良维修装置，包括用于放置待维修的阵列基板的反应腔室，和向所述反应腔室内导入六羰基钨原料的原料供应装置；所述原料供应装置的输出端与所述反应腔室的进气端连通，所述反应腔室的排气端具有废气排放管；还包括至少一个回收未反应的六羰基钨的回收罐，每一个所述回收罐的入口通过回收管路与所述反应腔室的排气端连通；每一个所述回收罐设有降温装置，且与所述反应腔室的排气端之间设有防止固态反应副产物通过的气帘装置。优选地，还包括位于所述回收罐内采集回收罐内温度信息的温度感应装置；信号连接所述温度感应装置，并根据所述温度感应装置采集的温度信息的变化趋势生成控制指令的处理单元；信号连接所述处理单元，并根据所述处理单元生成的控制指令控制所述降温装置功率的调节单元。优选地，所述降温装置为水冷装置，所述水冷装置具有水冷管和制冷机。优选地，所述水冷装置的水冷管设置于所述回收罐内壁。优选地，所述处理单元为温度控制器TC。优选地，还包括废气高温氧化腔室，所述废气排放管的外端与所述废气高温氧化腔室连通，且所述回收罐的出口与所述废气高温氧化腔室连通。优选地，所述废气排放管与所述废气高温氧化腔室之间设有单向阀，且所述回收罐的出口与所述废气高温氧化腔室之间设有单向阀。优选地，所述回收罐的入口与出口之间设有之字形气体通路。优选地，所述回收罐的入口和出口均设有开关阀。优选地，所述废气高温氧化腔室的出口设置有真空泵。本技术提供的阵列基板线路不良的维修装置，包括用于放置待维修的阵列基板的反应腔室，和向所述反应腔室内导入六羰基钨原料的原料供应装置；所述原料供应装置的输出端与所述反应腔室的进气端连通，所述反应腔室的排气端具有废气排放管；还包括至少一个回收未反应的六羰基钨的回收罐，每一个所述回收罐的入口通过回收管路与所述反应腔室的排气端连通；每一个所述回收罐设有降温装置，且与所述反应腔室的排气端之间设有防止固态反应副产物通过的气帘装置。六羰基钨反应之后，反应腔室通过其排气端将反应腔室内的反应物、反应副产物以及未反应的六羰基钨等排出反应腔室，其中，通过气帘装置可以保证之后粉末状的六羰基钨以及CO等气体进入回收管路，而W(C0)5等固态废弃物只能通过废气排放管排出；进入回收管路的粉末状六羰基钨进入具有降温装置的回收罐之后，由于温度降低，六羰基钨的形态由粉末状转化为固态，残留在回收罐中，而CO等气态通过回收罐的出口排出。因此，本技术提供的维修装置可以对进入回收罐的粉末状的六羰基钨进行回收，能够对反应腔室中未反应的六羰基钨回收一部分，降低了六羰基钨的浪费。附图说明图I为本技术提供的阵列基板线路不良维修装置的原理示意图；图2为本技术提供的阵列基板线路不良维修装置中回收罐的一种结构示意图；图3为本技术提供的阵列基板线路不良维修装置中回收罐内部设置的之字形气体通路的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图I和图2所示，本技术提供的阵列基板线路不良的维修装置，包括用于放置待维修的阵列基板的反应腔室1，和向反应腔室I内导入六羰基钨原料的原料供应装置D ;原料供应装置D的输出端C与反应腔室I的进气端A连通，反应腔室I的排气端B具有废气排放管3 ;还包括至少一个回收未反应的六羰基钨的回收罐4，每一个回收罐4的入口通过回收管路2与反应腔室I的排气端B连通；每一个回收罐4设有降温装置，且与反应腔室I的排气端B之间设有防止固态反应副产物通过的气帘装置。六羰基钨反应之后，反应腔室I通过其排气端B将反应腔室I内的反应物、反应副产物以及未反应的六羰基钨等排出反应腔室1，其中，进入回收管路2的粉末状六羰基钨可以背回收于回收罐4中，气帘装置可以防止W(C0)5等固态废弃物进入回收管路2，增加回收的六羰基钨的纯度；进入回收管路2的粉末状六羰基钨进入具有降温装置的回收罐4之后，由于温度降低，六羰基钨的形态由粉末状转化为固态，残留在回收罐4中，而CO等气态通过回收罐4的出口 44排出，如图3所示。因此，本技术提供的维修装置可以对进入回收罐4的粉末状的六羰基钨进行回收，能够对反应腔室中未反应的六羰基钨回收一部分，降低了六羰基钨的浪费。为便于对回收罐4内的温度进行控制，提高对通入回收管路2的废气中携带的粉末状六羰基钨的回收率，优选地，上述维修装置还包括位于回收罐4内采集回收罐4内温度信息的温度感应装置；信号连接温度感应装置，并根据温度感应装置采集的温度信息的变化趋势生成控制指令的处理单元；信号连接处理单元，并根据处理单元生成的控制指令控制降温装置功率的调节单J Li ο通过温度感应单元感应回收罐4内的温度信息，并将温度信息信号传输给处理单元，处理单元根据温度感应单元采集的温度信息判断回收罐4内温度的变化趋势，并根据回收罐4内温度的变化趋势生成控制指令，并将控制指令信号传输给调节单元，调节降温装置的功率，以提高回收罐4内温度的稳定性。优选实施方式中，上述处理单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板线路不良维修装置，包括用于放置待维修的阵列基板的反应腔室，和向所述反应腔室内导入六羰基钨原料的原料供应装置；所述原料供应装置的输出端与所述反应腔室的进气端连通，所述反应腔室的排气端具有废气排放管；其特征在于，还包括：至少一个回收未反应的六羰基钨的回收罐，每一个所述回收罐的入口通过回收管路与所述反应腔室的排气端连通；每一个所述回收罐设有降温装置，且与所述反应腔室的排气端之间设有防止固态反应副产物通过的气帘装置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宇，赵海生，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：