晶圆级封装结构及其制作方法技术

一种晶圆级封装结构，包括一封装基板、一绝缘层、一导电层、设于该导电层上的一发光元件及覆盖于该发光元件上的一封装层，该绝缘层底部表面形成若干散热结构，该绝缘层形成至少一层若干导电结构，该至少一层若干导电结构与该导电层及若干散热结构形成电性连接，该若干导电结构彼此间隔。本发明专利技术采取半导体和金属来填充封装基板上下形成的导通孔，形成一层或多层导电结构，具备良好的稳固性及高效的热电传导性，能够避免该封装层的点胶、漏胶现象，同时可将发热元件产生的热量迅速传至外部的散热金属垫。本发明专利技术还涉及一种该晶圆级封装结构的制作方法。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种晶圆级封装结构及其制作方法。
技术介绍
有别于传统以单一芯片为加工标的的封装技术，晶圆级封装以晶圆(wafer)为封装处理对象，其主要目的在简化芯片的封装制程，以节省时间及成本。在晶圆上的集成电路制作完成以后，便可直接对整片晶圆进行封装制程，其后再进行晶圆切割(wafer saw)的动作，以分别形成多个芯片封装体。制作完成的芯片封装体可安装于载板上。在晶圆级封装的应用中，封装基板相对较厚，一般采取蚀刻的方式形成所需的图案结构，在封装基板的上下形成导通孔，在封装的过程中，发光元件上会覆盖一封装层，该封装层材质为掺杂荧光粉的封装胶，传统方法采取在该导通孔处填置导电胶的方式来解决 点胶漏胶的问题，由于导电胶的散热性能不足且长期屯热会造成导电胶本身发生变化，进而影响封装结构的使用寿命，同时全部填置金属物质则相对制作成本较高。因此，如何提供一种解决点胶、漏胶，同时具备优良散热效果及低制作成本的封装结构仍是业界需要解决的课题。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种解决点胶、漏胶，同时具备优良散热效果及低制作成本的晶圆级封装结构及其制作方法。一种晶圆级封装结构，包括一封装基板、一绝缘层、一导电层、设于该导电层上的一发光兀件及覆盖于该发光兀件上的一封装层，该绝缘层底部表面形成若干散热结构，该绝缘层形成至少一层若干导电结构，该至少一层若干导电结构与该导电层及若干散热结构形成电性连接，该若干导电结构彼此间隔。一种晶圆级封装结构的制作方法，其步骤包括提供一封装基板，该封装基板包括一第一表面和一第二表面，在该第二表面形成若干凹槽；在该第二表面底部形成一蚀刻停止层，该绝缘层与该若干凹槽相贴合；在该第一表面形成一凹槽，并使该蚀刻停止层部分外露；在该凹槽的表面上形成一绝缘介电层，该绝缘介电层与蚀刻停止层部分接触；在该蚀刻停止层及绝缘介电层接触的部分形成至少一层若干互相分离的导孔，在该若干导孔中填注金属，形成若干导电结构；在该第二凹槽中卡置形成若干散热结构，该若干散热结构与该导电结构形成电性连接；在该绝缘介电层上形成一导电层，该导电层包括若干间隔的电极，该若干电极与该若干导电结构形成电性连接；提供一发光元件，该发光元件通过打线或覆晶的方式与该若干电极形成电性连接；提供一封装层，该封装层为掺杂荧光粉的封装胶，该封装层覆盖于发光元件上并与该绝缘介电层部分贴合。与现有技术相比，本专利技术采取半导体和金属来填充封装基板上下形成的导通孔，形成一层或多层导电结构，具备良好的稳固性及高效的热电传导性，能够避免该封装层的点胶、漏胶现象，同时可将发热元件产生的热量迅速传至外部的散热金属垫。附图说明图I为本专利技术一实施例晶圆级封装结构的剖面示意图。图2至图5为本专利技术不同实施例晶圆级封装结构的剖面示意图。图6至图12为本专利技术一实施例的晶圆级封装结构制造方法的各步骤示意图。主要元件符号说明 Ifl 基板 |10 —蚀刻停止层 20_· 绝缘介电层 ^0 导电层_40_ 发光元件 50 I !层而 散热金属垫 70_ 导电结构 80_ 第一表面_H_ 第二表面 Tl B—凹槽 '10 第一斜面 111_ 第二斜面 112_ 第一定位部 113 第二凹槽120 ~ 蛋二导电结构 本体部_71_延伸部72 第三斜面一 31 ■第四斜面 —32 第二定位部 33_ 第二导电结构 & 第一电极_41_ 第二电极 _卡置部_410 反射部_411_ 连接部_412_ 第一凸伸部 115 竟二凸伸部 36 导电结构83，84 第三电极43第一部分 —13第二部分 —14第三部分34 蛋面部分 |35 一 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施例方式请参阅图1，本专利技术一较优实施例的晶圆级封装结构包括一封装基板10、一蚀刻停止层20、一绝缘介电层30、一导电层40、设于该导电层40上的一发光元件50及覆盖于该绝缘介电层30上的一封装层60。该蚀刻停止层20底部表面形成若干散热金属垫70，该绝缘介电层30形成两层导电结构80，该两层导电结构80与该导电层40及若干散热金属垫70形成电性连接。具体的，该封装基板10具有一第一表面11及与第一表面11相对的一第二表面12。该第一表面11米用光微影的方式形成图案化结构，并米取蚀刻的方式形成一第一凹槽110，该第一凹槽110包括对称的两个斜面和一底面，该底面成水平状延伸，每一斜面呈阶梯状，包括一第一斜面111、一第二斜面112及连接该第一斜面111和该第二斜面112的一水平第一定位部113，其中该两对称第一斜面111的水平距离大于该两对称第二斜面112的水平距离。该封装基板10的第二表面12形成若干间隔的第二凹槽120，本实施例中该第二凹槽120的数量为3个。该封装基板10可为导电基板也可为绝缘基板，导电基板可为铜箔基板或其他任何合适的导电材料；绝缘基板可由如下材料中的一种或多种制成硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氧化锌(ZnO)及磷化铟(InP)等。该蚀刻停止层20形成于该封装基板10的第二表面12，并与该第二表面12的3个第二凹槽120贴合。该蚀刻停止层20为一绝缘层，可由氧化硅、氮化硅等绝缘材料制成。由于该封装基板10的第一表面11采取光微影及蚀刻的方式形成图案化凹形结构(即第一凹 槽110)，使得该蚀刻停止层20的上表面部分外露。该蚀刻停止层20对应该第二凹槽120的部分蚀刻形成对称的两个导孔，该两导孔相互间隔且导孔中填注金属材料，形成第一导电结构81。若干散热金属垫70形成于该蚀刻停止层20的底面并卡置收容于该若干第二凹槽120中，本实施例中，该若干散热金属垫70的数量为3个，每一散热金属垫70包括一本体部71和及自该本体部71两侧对称延伸的的两延伸部72，每一延伸部72先沿该第二凹槽120的侧面斜向下延伸进而弯折沿该第二表面12水平延伸，从而卡置固定在该第二表面12的第二凹槽120中。该绝缘介电层30形成于该封装基板10的第一表面11并与所述封装基板10的第一表面11和该蚀刻停止层20的上表面相贴合，对应该第一凹槽110的形状呈现类似的结构。该绝缘介电层30包括一第三斜面31、一第四斜面32及连接该第三斜面31和该第四斜面32的一水平第二定位部33。该绝缘介电层30为一绝缘层，可由氧化硅、氮化硅等绝缘材料制成。该绝缘介电层30对应外露蚀刻停止层20的位置蚀刻形成若干导孔，本实施例中，该若干导孔的数量为4个，相邻导孔相互间隔且导孔中填注金属材料，形成第二导电结构82。第二导电结构82与第一导电结构81电连接。一导电层40形成于该绝缘介电层30上，该导电层40包括若干间隔的电极。本实施例中，该若干电极的数量为3个,包括位于两侧且对称的两第一电极41和位于该两第一电极41之间的一第二电极42。每一第一电极41包括一卡置部410、一反射部411和一连接部412。所述卡置部410与该第二定位部33相贴合以固定该第一电极41。该反射部411与该第三斜面31相贴合并具有反射功能，可使该封装结构的出光更加均匀。该连接部412与其中该第二导电结构82相接触以达有效的电连接。该第二电极42呈矩形平板状，该第二电极42与该第二导电结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆级封装结构，包括一封装基板、一绝缘层、一导电层、设于该导电层上的一发光元件及覆盖于该发光元件上的一封装层，该绝缘层底部表面形成若干散热结构，其特征在于：该绝缘层形成至少一层若干导电结构，该至少一层若干导电结构与该导电层及若干散热结构形成电性连接，该若干导电结构彼此间隔。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装结构，包括一封装基板、一绝缘层、一导电层、设于该导电层上的一发光元件及覆盖于该发光元件上的一封装层，该绝缘层底部表面形成若干散热结构，其特征在于该绝缘层形成至少一层若干导电结构，该至少一层若干导电结构与该导电层及若干散热结构形成电性连接，该若干导电结构彼此间隔。2.如权利要求I所述的晶圆级封装结构，其特征在于该绝缘层包括一蚀刻停止层和一绝缘介电层，该封装基板包括一第一表面和一第二表面，该蚀刻停止层形成于该第二表面，该绝缘介电层形成于该第一表面，且该蚀刻停止层与该绝缘介电层部分接触，该导电结构位于蚀刻停止层与绝缘介电层接触的部分。3.如权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于所述蚀刻停止层和绝缘介电层接触的部分形成若干导孔，导孔内设置导电材料形成所述导电结构。4.如权利要求3所述的晶圆级封装结构，其特征在于所述蚀刻停止层上的导孔数量与绝缘介电层上的导孔数量不同。5.如权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于该导电层包括相互间隔的两电极，该发光元件通过覆晶的方式与该两电极形成电性连接。6.如权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于该导电层包括对称的两第一电极和位于该两第一电极之间的一第二电极，该两第一电极和该第二电极相互间隔。7.如权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾坚信，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：