具静电放电保护的电子装置制造方法及图纸

一种具静电放电保护的电子装置，包括第一导线架，具有至少一第一放电突出端；第二导线架，具有至少一第二放电突出端；以及电子组件，设置于第一导线架上，电子组件的两端分别电性连接第一及第二导线架；第一及第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离；当静电放电事件出现于第一或第二导线架时通过第一及第二放电突出端进行静电放电。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有静电放电保护的电子装置，尤其涉及一种利用尖端放电原理以达成静电放电保护的电子装置。
技术介绍
静电荷由一表面移动至另一表面，此现象即为静电放电(ElectrostaticDischarge)，亦可简称为ESD。于集成电路及电子组件中，静电放电现象所产生的电流可能对半导体接面、金属部件以与门极结构造成损坏。传统的静电放电保护装置10如图I所示，其中受保护的发光二极管dl与一稽纳二极管(Zener Diode) pi并联，其中稽纳二极管pi的阴极与一电压源Vdd耦合，阳极则与一电压源Vss耦合。当于电压源Vdd处产生一静电放电现象时，其电压将大于稽纳二极管pl的接面崩溃电压(junction breakdown voltage),使稽纳二极管Pl导通，并将静电荷导入电压源Vss。·然而，传统以稽纳二极管作为静电放电保护装置需要于集成电路制程阶段进行额外的制程步骤，且增加成本负担，仍具有相当的改善空间。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种具静电放电保护的电子装置，包括第一导线架，具有至少一第一放电突出端；第二导线架，具有至少一第二放电突出端；以及电子组件，设置于第一导线架上，电子组件的两端分别电性连接第一及第二导线架；第一及第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离；当静电放电事件出现于第一或第二导线架时通过第一及第二放电突出端进行静电放电。本专利技术另提出一种具静电放电保护的电子装置，包括第一导线架，该第一导线架具有至少第一放电突出端；第二导线架，具有至少第二放电突出端，第二导线架电性连接至一参考电位节点；以及电子组件，电性连接第一导线架；第一及第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离；当静电放电事件出现于第一导线架时通过第一及第二放电突出端进行静电放电。本专利技术还提出一种具静电放电保护的电子装置，包括第一导线架，具有至少一第一放电突出端；第二导线架，具有至少一第二放电突出端；接地导线架，具有至少一第三放电突出端及至少一第四放电突出端；电子组件，设置于接地导线架上，该电子组件的两端分别电性连接第一及第二导线架；第一及第三放电突出端是对向设置且分隔第一既定距离；第二及第四放电突出端是对向设置且分隔第二既定距离；当静电放电事件出现于第一或第二导线架时，通过第一及第三放电突出端进行静电放电或通过第二及第四放电突出端进行静电放电。附图说明图I为传统的静电放电保护装置示意图2A为具有静电放电保护的电子装置20的平面图；图2B为图2A的具有静电放电保护的电子装置20沿着AA’截面的剖面图；图2C为具有静电放电保护的电子装置20的等效电路图；图2D显示具有静电放电保护的电子装置21的平面图；图2E显示具有静电放电保护的电子装置22的平面图；图2F显示具有静电放电保护的电子装置23的平面图；图2G显示具有静电放电保护的电子装置20’经过封装后的剖面图；图3A为具有静电放电保护的电子装置30的平面图； 图3B为图3A的具有静电放电保护的电子装置30沿着AA’截面的剖面图；图3C为具有静电放电保护的电子装置30的等效电路图；图3D显示具有静电放电保护的电子装置31经过封装后的剖面图；图4A为具有静电放电保护的电子装置40的平面图；图4B为具有静电放电保护的电子装置40的等效电路图。附图标记10、20、21、22、23、24、30、31、40 :具有静电放电保护的电子装置；AA，截面dl 电子装置；GND:参考电位节点；Ml :第一导线架；M2 :第二导线架；M3 :第三导线架；pl、p2、p3、p4 :放电装置；R1、R2、R3:空间；S1、S1，、S2、S2，、S3、S4、S5、S6 :放电突出端；Vdd 电压源；Vss 电压源；W1、W2:导线。具体实施例方式图2A为本专利技术一实施例中具有静电放电保护的电子装置20的平面图，图2B为图2A的具有静电放电保护的电子装置20沿着AA’截面的剖面图。在此实施例中，电子装置20例如是发光二极管组件，但是并非限定于此。电子装置20包括一第一导线架Ml、一第二导线架M2，分别形成于一基板(未显示于附图)上。第一导线架Ml与第二导线架M2可由铜、银或铝所形成，其中于实际电路动作时，第一导线架Ml可被偏压至一电压源Vss，而第二导线架M2可被偏压至一电压源Vdd。第一导线架Ml还包括放电突出端SI，第二导线架M2还包括放电突出端S2，放电突出端SI与S2的形状可为圆锥状、角锥状或具有小曲率半径的几何结构。放电突出端SI与S2的尖端彼此相对，以形成一放电组件pl。电子组件dl构装于第一导线架Ml之上，并通过导线Wl以及W2分别与第一导线架Ml以及第二导线架M2形成电性连接。图2C为具有静电放电保护的电子装置20的等效电路图，其中放电组件pl与欲保护的电子组件dl并联。放电组件pl的原理为利用尖端放电(point discharging),当两放电突出端SI与S2之间的电压差达到放电组件pl的启动电压时，放电突出端SI与S2之间的介质被离子化而电性导通。放电突出端SI与S2之间的距离越长，放电组件pl的启动电压越高；放电突出端SI与S2之间的距离越短，放电组件pl的启动电压越低。于部分实施例中，放电突出端SI与S2之间的距离约在I μ m至200 μ m之间。而当静电放电现象产生时,第一导线架Ml或第二导线架M2之间产生一大于放电组件pl的启动电压的电压差,此时放电突出端SI与S2导通，静电放电电流通过放电组件pl排放,而达到防止电子组件dl被静电放电电流破坏的效果。图2D显示部分实施例中具有静电放电保护的电子装置21的平面图，其中放电突出端SI与S2可分别位于第一导线架Ml或第二导线架M2侧壁的任何位置，以形成放电组件Pl ;图2E显示其它部分实施例中具有静电放电保护的电子装置22的平面图，其中具有静电放电保护的电子装置22可具有多个放电突出端SI、SI’与多个放电突出端S2、S2’彼 此相对，以形成放电组件Pl。图2F显示其它部分实施例中具有静电放电保护的电子装置23的平面图，其中第一导线架Ml具有放电突出端SI，第三导线架M3与一参考电位节点GND连接，且具有放电突出端S2。放电突出端SI与S2彼此相对，以形成放电组件pl ;当静电放电现象产生于第一导线架Ml时，第一导线架Ml及第三导线架M3之间产生一大于放电组件pl启动电压的电压差,此时放电突出端SI与S2导通，静电放电电流通过放电组件pl排放至参考电位节点GND，而达到防止电子组件dl被静电放电电流破坏的效果。图2G显示经过封装后具有静电放电保护的电子装置24的剖面图，其中封装材Cl形成于第一导线架Ml及第二导线架M2上方，将电子组件dl与导线Wl、W2覆盖。封装材Cl中(或与基板一同)还形成一空间R1，将放电突出端结构SI与S2部分包覆在内。空间Rl内的介质一般可为空气,惟不仅限于此,亦可填入如塑料等具有绝缘性质的材料。图3A为本专利技术一实施例中具有静电放电保护的电子装置30的平面图，图3B为图3A的具有静电放电保护的电子装置30沿着AA’截面的剖面图。在此实施例电子装置30例如为发光二极管组件，但并非限定于此。电子装置30包括一第一导线架Ml、一第二导线架M2以及一第三导线架M3，分别形成于一基板(未显示于附图)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具静电放电保护的电子装置，包括：一第一导线架，该第一导线架具有至少一第一放电突出端；一第二导线架，具有至少一第二放电突出端；以及一电子组件，设置于该第一导线架上，该电子组件的两端分别电性连接该第一及该第二导线架；该第一及该第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离；当静电放电事件出现于该第一或该第二导线架时通过该第一及该第二放电突出端进行静电放电。

【技术特征摘要】
2011.07.26 TW 1001262981.一种具静电放电保护的电子装置，包括 一第一导线架，该第一导线架具有至少一第一放电突出端； 一第二导线架，具有至少一第二放电突出端；以及 一电子组件，设置于该第一导线架上，该电子组件的两端分别电性连接该第一及该第二导线架； 该第一及该第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离；当静电放电事件出现于该第一或该第二导线架时通过该第一及该第二放电突出端进行静电放电。2.一种具静电放电保护之电子装置，包括 一第一导线架，该第一导线架具有至少一第一放电突出端； 一第二导线架，具有至少一第二放电突出端，该第二导线架电性连接至一参考电位节点；以及 一电子组件，电性连接该第一导线架； 该第一及该第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离；当静电放电事件出现于该第一导线架时通过该第一及该第二放电突出端进行静电放电。3.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置，其中还包括一封装材，用以包覆该电子组件、及部分该第一、第二导线架，并露出该第一及该第二放电突出端。4.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置，其中还包括一封装材，用以包覆该电子组件及部分该第一与该第二导线架； 其中，该封装材内部另形成一放电空间用以容纳该第一及该第二放电突出端，该放电空间可填入空气、塑料等具有绝缘体性质介质其中之一。5.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置，其中该第一与该第二导线架是由铜、银或铝所形成。6.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置，其中该第一及该第二放电突出端为圆锥状、角锥状或具有小曲率半径的几何结构。7.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置，其中该第一及该第二放电突出端之间的该既定距离，决定该第一及该第二放电突出端进行静电放电保护的触发电压值。8.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置，其中该第一及该第二放电突出端的该既定距离为I微米至200微米。9.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置，其中该电子组件为发光二极管。10.根据权利要求I所述的具静电放电保护的电子装置，其中还包括一接地导线架，与一参考电位节点电性连接； 其中该接地导线架具有至少一第三放电突出...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡培崧，梁建钦，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：