显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板的制作方法，包括：提供一基板，包括一有源区和一像素区；形成一第一金属层，于基板上；形成一栅极介电层于第一金属层上；形成一氧化物半导体层于有源区和像素区上方的栅极介电层上；对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中有源区上的半导体层用作一有源层，像素区上方的处理过的氧化物半导体层用作一像素电极；及形成一第二金属层，连接有源层和像素电极。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种显示装置，特别是有关于一种显示装置的显示面板。
技术介绍
氧化物半导体近年已被广泛研究，且已有应用于显示器相关产品。目前最常被提出的氧化物半导体材料以铟镓锌氧化物(IGZO)为主流，文献亦有其他基于离子键结的氧化物半导体发表，以有别于利用共价键结的硅基半导体。由于此种材料来源为稀有金属，仅用于有源层的成本极高，需要新颖的制程方法和结构，增加氧化物半导体的应用面，以降低成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板的制作方法，包括提供一基板，包括一有源区和一像素区；形成一第一金属层于基板上；形成一栅极介电层于第一金属层上；形成一氧化物半导体层于有源区和像素区上方的栅极介电层上；对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中有源区上的半导体层用作一有源层，像素区上方的处理过的氧化物半导体层用作一像素电极；及形成一第二金属层，连接有源层和像素电极；沉积一保护层，暴露基板的像素区上方的氧化物半导体层；及对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中有源区上的半导体层用作一有源层，像素区上方的处理过的氧化物半导体层用作一像素电极。在本专利技术一实施例中，基板更包括一周边区，且第二金属层在周边区，经由一第一开口连接第一金属层。在本专利技术一实施例中，对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤为一等离子处理步骤。在本专利技术一实施例中，在形成第二金属层之前，尚包括形成一蚀刻停止层于有源区上方的氧化物半导体层上，其中蚀刻停止层包括开口。在本专利技术一实施例中，对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括沉积一保护层于基板的有源区上方的第二金属层、蚀刻停止层和栅极介电层上，暴露基板的像素区上方的氧化物半导体层；及进行一等离子处理步骤。在本专利技术一实施例中，在形成第二金属层之前，尚包括形成一蚀刻停止层于有源区、像素区和周边区上方的基板上方，其中蚀刻停止层于有源区包括第一开口，于像素区包括第二开口，于周边区包括第三开口。在本专利技术一实施例中，对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括形成一保护层于有源区和周边区的第二金属层上，暴露出像素区的氧化物半导体层；及进行一等离子处理步骤。在本专利技术一实施例中，对像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括形成一光阻层，于氧化物半导体层和栅极介电层上；使用一半透过型光罩(half-tone mask),进行一曝光和显影制程，使得光阻层在有源区的厚度最厚，像素区上方的光阻层厚度次的，欲移除氧化物半导体层的区域则无光阻层；以图案化的光阻层作为掩模，进行一蚀刻制程，图案化氧化物半导体层；进行一光阻灰化制程，使得像素区上方的光阻层被移除，而有源区上方的光阻层仍保留部分厚度；及进行一等离子处理步骤。在本专利技术一实施例中，还包括形成一蚀刻停止层于有源区、像素区和周边区的基板上方；形成一光阻层于蚀刻停止层上；进行一光刻步骤，图案化光阻层，使光阻层于有源区上包括第一开口，于像素区上包括第二开口，于周边区上包括第三开口；以光阻层为掩模，对蚀刻停止层进行第一蚀刻步骤，将光阻层的第一开口、第二开口、第三开口的图案下转移；及进行一第二蚀刻步骤，以蚀刻停止层为掩模向下蚀刻，蚀刻步骤对氧化物半导体层的蚀刻速率较低，但对栅极介电层的蚀刻速率较高，使此步骤进一步蚀刻周边区的栅极介电层，形成一第三开口，暴露第一金属层。在本专利技术一实施例中，等离子处理步骤为氢等离子处理、还原性气氛处理或直接等离子轰击，氧化物半导体层为具离子键结的氧化物半导体，如铟镓锌氧化物(InGaZnOx)。本专利技术提供一种显不面板，包括一基板，包括一有源区和一像素区；一第一金属 层，位于基板上；一栅极介电层，位于第一金属层上；一氧化物半导体层，位于有源区和像素区上方的栅极介电层上，其中像素区的氧化物半导体层具备导电性，有源区上的半导体层用作一有源层，像素区上方的氧化物半导体层用作一像素电极；及一第二金属层，连接有源层和像素电极。在本专利技术一实施例中，还包括一保护层，位于该第二金属层上，该氧化物半导体层为具离子键结的氧化物半导体，如铟镓锌氧化物(InGaZnOx)。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中图IA ID显示本专利技术一实施例显示面板显示面板的制造方法中间步骤的剖面图。图IE显示本专利技术一实施例显示面板制造方法的最终步骤的平面图。图2A 2G显示本专利技术一实施例显示面板显示面板的制造方法中间步骤的剖面图。图2H显示本专利技术一实施例显示面板制造方法的最终步骤的平面图。图3A 3E显示本专利技术一实施例显示面板显示面板制造方法的中间步骤的剖面图。图3F显示本专利技术一实施例显示面板制造方法的最终步骤的平面图。图3G 31显示本专利技术一实施例显示面板显示面板制造方法的中间步骤的剖面图。图3J显示本专利技术一实施例显示面板制造方法的最终步骤的平面图。图4A 4F显示本专利技术一实施例显示面板显示面板制造方法的中间步骤的剖面图。图4G显示本专利技术一实施例显示面板制造方法的最终步骤的平面图。主要元件符号说明102 基板；104 栅极电极；106 绝缘层；112 有源区；114 像素区；116 氧化物半导体层；118 源极电极和漏极漏极电极；120 保护层；202 基板；204 栅极电极； 206 绝缘层；208 有源区；210 像素区；212 光阻层；214 氧化物半导体；216 第二金属；218 保护层；222 透明导电层；302 基板；304 栅极电极；306 绝缘层；310 氧化物半导体层；312 有源区；314 像素区；316 蚀刻停止层；318 第二开口 ；320 源极电极和漏极漏极电极；322 保护层；324 蚀刻停止层；326 第二开口 ；328 第三开口；332 源极电极和漏极漏极电极；334 保护层；402 基板；404 闸电极；406 绝缘层；408 氧化物半导体层；410 有源区；412 像素区；416 蚀刻停止层；418 光阻层；420 第一开口 ；422 第二开口；426 源极电极和漏极漏极电极；428 保护层。具体实施例方式以下详细讨论揭示实施例的实施。然而，可以理解的是，实施例提供许多可应用的专利技术概念，其可以较广的变化实施。所讨论的特定实施例仅用来揭示使用实施例的特定方法，而不用来限定揭示的范畴。本专利技术提供一种包括氧化物半导体材料的显示面板和其制造方法，本专利技术利用氧化物半导体材料的导电特性可随制程条件变更的特征，使其薄膜特性包括半导体或导体的特性，将此氧化物半导体材料同时用于显示面板的像素电极与有源层中，以省略后续镀制与定义透明导电膜的步骤。图IA 图IE显示本专利技术一实施例显示面板的制造方法，图IA 图ID显示本专利技术一实施例显示面板中间步骤的剖面图，图IE显示本专利技术一实施例显示面板制造方法最终步骤的平面图，首先，请参照图1A，提供一基板102，在本专利技术一实施例中，基板102可以为玻璃、塑胶或硅晶片。形成一栅极电极层104于基板102上，栅极电极104的材料可以为Mo、Ti、Al、Cu、Ag、Au、ITO等金属或其合金的单层或多层结构。在本专利技术一实施例中，栅极电极104的形成方法可包括沉积一第一金属材料、进行第一道光刻和蚀刻步骤，于有源区上形成栅极电极104。后续,形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板的制作方法，包括：提供一基板，包括一有源区和一像素区；形成一第一金属层于该基板上；形成一栅极介电层于该第一金属层上；形成一氧化物半导体层于该有源区和像素区上方的栅极介电层上；形成一第二金属层，连接该有源层和该像素电极；沉积一保护层，暴露该基板的像素区上方的氧化物半导体层；及对该像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中该有源区上的半导体层是用作一有源层，该像素区上方的处理过的氧化物半导体层是用作一像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，包括 提供一基板，包括一有源区和一像素区； 形成一第一金属层于该基板上； 形成一栅极介电层于该第一金属层上； 形成一氧化物半导体层于该有源区和像素区上方的栅极介电层上； 形成一第二金属层，连接该有源层和该像素电极； 沉积一保护层，暴露该基板的像素区上方的氧化物半导体层 '及对该像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤，使其具备导电性，其中该有源区上的半导体层是用作一有源层，该像素区上方的处理过的氧化物半导体层是用作一像素电极。2.如权利要求I所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该基板还包括一周边区，且该第二金属层在该周边区，经由一第一开口连接该第一金属层。3.如权利要求I所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该对该像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤为一等离子处理步骤。4.如权利要求I所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在形成该第二金属层之前，还包括形成一蚀刻停止层于该有源区上方的氧化物半导体层上，其中该蚀刻停止层包括开□。5.如权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该对该像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括 沉积一保护层于该基板的有源区上方的第二金属层、蚀刻停止层和栅极介电层上，暴露该该基板的像素区上方的氧化物半导体层；及进行一等离子处理步骤。6.如权利要求I所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在形成该第二金属层之前，还包括形成一蚀刻停止层于该有源区、该像素区和该周边区上方的基板上方，其中该蚀刻停止层于该有源区包括第一开口，于该像素区包括第二开口，于该周边区包括第三开口。7.如权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该对该像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括 形成一保护层于该有源区和该周边区的第二金属层上，暴露出该像素区的氧化物半导体层 '及 进行一等离子处理步骤。8.如权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，该对该像素区上方氧化物半导体层进行一处理步骤包括 形成一光阻层，于该氧化物半导体层和栅极介电层上； 使用一半透过型光罩，进行一曝光和显影制程，使得该光阻层在有源区的厚度最厚，该像素区上方的光阻层厚度次之，欲移除氧化物半导体层的区域则无光阻层； 以该图案化的光阻层作为掩模，进行一蚀刻制程，图案化该氧化物半导体层； 进行一光阻灰化制程，使得该像素区上方的光阻层被移...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁景隆，周政旭，张荣芳，
申请(专利权)人：奇美电子股份有限公司，群康科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：