热处理装置及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法制造方法及图纸

本发明专利技术的热处理装置具备：容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在基板保持件与基板容器之间交接多个基板，其中，至少两个基板支承部以隔开第一间隔相互重叠的方式配置，相对于基板容器共同地进退，且相对于基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。

【技术实现步骤摘要】
热处理装置及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法本公开主张于2011年7月29日申请的日本专利申请第2011－167428号的优先权，该日本申请的全部内容作为参照文献包含于本专利技术。
本公开涉及对半导体晶片等基板进行热处理的热处理装置、以及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法。
技术介绍
作为半导体制造装置之一，存在对多个晶片一并进行加热的立式的批处理式的热处理装置。在这样的热处理装置中设置有：例如在上下方向隔开间隔保持多个晶片的晶舟；以及输送机构，该输送机构在收纳有多个晶片的例如FOUP（Front-OpeningUnifiedPod，前端开口片盒）等载体与晶舟之间进行晶片的交接。然而，在上述的热处理装置中，为了增加在一次工序中能够处理的晶片的片数，希望缩小由晶舟保持的晶片的间隔。在该情况下，若在输送机构设置有以与由晶舟支承的晶片的间隔相等的间隔配置的多个晶片叉，则能够将多个晶片一次性地搭载于晶舟，并能够从晶舟一次性地取出多个晶片。因而，除了能够增加通过一次工序能够处理的晶片片数之外，通过缩短晶片输送时间，也能够提高吞吐量。但是，在为了与晶舟的晶片间隔一致而缩小多个晶片叉的间隔的情况下，产生严密地调整晶片叉的间隔的需要。并且，例如当因晶舟的热膨胀等而晶片间隔发生变化时，会产生无法从晶舟取出晶片的情形。此外，当在晶片叉与载体之间交接晶片之际，若载体中的晶片间隔与晶片叉的间隔不相等，则结果会导致无法缩短晶片输送时间。另一方面，在半导体制造工厂内，例如也存在晶片间隔不同的批处理式的半导体制造装置，因此，与特定的热处理装置一致地使载体内的晶片间隔变更的做法并不方便。因此，不得不反复进行利用晶片叉将一片晶片搭载于晶舟的步骤，存在无法提高晶片输送效率的问题。
技术实现思路
本公开是鉴于上述的情况而完成的，提供能够提高基板输送效率的热处理装置、以及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法。根据本公开的第一方式，提供一种热处理装置，该热处理装置具备：容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比上述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在上述基板保持件与上述基板容器之间交接上述多个基板，其中，上述至少两个基板支承部以隔开上述第一间隔相互重叠的方式配置，相对于上述基板容器共同地进退，且相对于上述基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在上述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承上述基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。根据本公开的第二方式，提供一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板容器朝基板保持件输送多个基板，上述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，上述基板保持件以多个基板隔开比上述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，上述至少两个基板支承部以隔开上述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板。该第二方式所提供的基板输送方法包括：使上述至少两个基板支承部共同地进入上述基板容器内的工序；利用上述至少两个基板支承部分别接收一片基板的工序；使上述至少两个基板支承部共同地从上述基板容器退出的工序；利用上述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部将该基板支承部所支承的第一基板送入上述基板保持件的工序；以及利用上述至少两个基板支承部中的上方的基板支承部将该基板支承部所支承的第二基板送入上述基板保持件中的、由上述下方的基板支承部送入的上述第二基板的下方的工序。根据本公开的第三方式，提供一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板保持件朝基板容器输送多个基板，上述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，上述基板保持件以多个基板隔开比上述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，上述至少两个基板支承部以隔开上述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板。该第二方式所提供的基板输送方法包括：利用上述至少两个基板支承部中的上方的基板支承部取出在上述基板保持件中位于下方侧的第一基板的工序；利用上述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部取出在上述基板保持件中位于比上述第一基板所处的位置靠上方的位置的第二基板的工序；使支承上述第一基板的上述上方的基板支承部以及支承上述第二基板的上述下方的基板支承部共同地进入上述基板容器的工序；将上述第一基板以及上述第二基板交接至上述基板容器内的工序；以及使上述上方的基板支承部以及上述下方的基板支承部共同地从上述基板容器退出的工序。附图说明图1是示出基于本公开的实施方式的热处理装置的简要侧视图。图2是示出基于本公开的实施方式的热处理装置的简要俯视图。图3是示出基于本公开的实施方式的热处理装置中的晶舟、晶片输送机构以及晶片载体的位置关系的立体图。图4A以及图4B是示出基于本公开的实施方式的热处理装置的晶舟以及晶片输送机构的简要侧视图。图5A以及图5B是对基于本公开的实施方式的热处理装置的晶片输送机构进行说明的俯视图以及侧视图。图6A~图6E是对基于本公开的实施方式的热处理装置中的基板输送方法进行说明的说明图。图7A~图7D是接着图6E对基于本公开的实施方式的热处理装置中的基板输送方法进行说明的说明图。图8A~图8D是对基于本公开的实施方式的热处理装置中的基板输送方法进行说明的其他的说明图。图9A~图9E是接着图8D对基于本公开的实施方式的热处理装置中的基板输送方法进行说明的其他的说明图。具体实施方式以下，参照所附的附图对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。对所附的所有附图中的相同或者对应的构件或者部件标注相同或者对应的参照符号，并省略重复的说明。并且，附图的目的并非是示出构件或者部件间的相对比例，因此，具体的厚度、尺寸应该参照以下的非限定性的实施方式由本领域技术人员决定。图1是示出基于本公开的实施方式的热处理装置的简要侧视图，图2是其简要俯视图。如图所示，热处理装置10具有壳体2以及由分隔壁21划分的送入输出区域S1以及处理区域S2。送入输出区域S1由位于装置的近前侧的第一区域S11和位于第一区域S11的里侧的第二区域S12构成。送入输出区域S1借助形成于壳体2的开口部80而形成为与壳体2的外侧的气氛相同的空气气氛，处理区域S2借助未图示的风机过滤单元（FFU）形成为例如氮气（N2）等惰性气体的气氛或者清洁干燥气体的气氛。在第一区域S11设置有沿规定的方向排列、并分别载置有载体C的两个第一载置台24。在载体C收纳有在热处理装置10中处理的直径300mm的多片（例如25片）晶片W。在载体C内，邻接的任意两片晶片W均隔开第一间隔排列。此处，第一间隔相当于在一片晶片W的一方的面和相邻的晶片W的与上述的一方的面对置的面之间的距离（晶片间距离）加上一片晶片的厚度后的值（间距），在本实施方式中例如为大约10mm。并且，在载体C形成有由可开闭的盖体（未图示）进行开闭的开口（未图示），通过该开口输出晶片W或者朝载体C装入晶片W。具体而言，载体C可以是FOUP（Front-OpeningUnifiedPod，前端开口片盒）。在第二区域S12设置有作为容器载本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理装置，具备：容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在所述基板保持件与所述基板容器之间交接所述多个基板，其中，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，相对于所述基板容器共同地进退，且相对于所述基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承所述基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。

【技术特征摘要】
2011.07.29 JP 2011-1674281.一种热处理装置，具备：容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在所述基板保持件与所述基板容器之间交接所述多个基板，其中，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，相对于所述基板容器共同地进退，且相对于所述基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承所述基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部，所述下方的基板支承部具备检测器，该检测器检测所述下方的基板支承部是否支承有基板，所述控制部基于由所述检测器检测出的、所述下方的基板支承部是否支承有基板的检测结果，判断所述上方的基板支承部能否动作。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，在所述至少两个基板支承部中的一方的基板支承部设置有传感器部，该传感器部检测由所述基板保持件保持的所述基板。3.一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板容器朝基板保持件输送多个基板，所述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，所述基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板，其中，所述基板输送方法包括：使所述至少两个基板支承部共同地进入所述基板容器内的工序；利用所述至少两个基板支承部分别接收一片基板的工序；使所述至少两个基板支承部共同地从所述基板容器退出的工序；利用所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部将该基板支承部所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥喜一，镰田辉实，及川一彻，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：