液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：基板；在所述基板上彼此交叉的栅极线和数据线，从而限定像素区域；与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和在所述像素区域彼此交替的多个像素电极和多个第一公共电极，并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极被配置为产生面内电场，并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极的每一个都包括第一层和在所述第一层上的第二层，其中所述第一层由不透明金属制成并且具有第一厚度，而所述第二层由透明导电材料制成并且具有第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及一种液晶显示装置，更特别地，涉及一种面内切换(in-planeswitching)模式的液晶显示装置及其制造方法。
技术介绍
直到最近，显示装置都典型地使用阴极射线管(CRT)。然而，目前，已经做出许多努力和研究来开发各种类型的平板显示器来代替CRT，所述平板显示器例如，液晶显示(IXD)·装置、等离子体显示面板(PDP)、场致发射显示器和电致发光显示器(ELD)。在这些平板显示器中，IXD装置具有许多优点，例如分辨率高、重量轻、外形薄、结构紧凑和低电压供电需求。通常，IXD装置包括两个相隔开且彼此面对的基板，并且在两个基板之间夹有液晶材料。两个基板包括彼此面对的电极，使得在电极之间施加的电压产生穿过液晶材料的电场。在液晶材料中的液晶分子的取向根据产生的电场的强度而改变成所产生的电场的方向，从而改变IXD装置的透光率。因此，IXD装置通过改变产生的电场的强度而显示图像。使用产生垂直方向的电场的LCD装置在视角方面具有缺点。为解决这个问题，提出了一种使用面内电场的面内切换(IPS)模式IXD装置。图I是表示根据现有技术的IPS模式IXD装置的示意性截面图。参照图1，IPS模式IXD装置包括阵列基板10、滤色器基板9和液晶层11。阵列基板10包括交替布置的像素电极30和公共电极17以产生面内电场L。液晶层11被电场L操控。图2A和图2B是表示根据现有技术的IPS模式IXD装置分别在开启(ON)和关闭(OFF)状态下操作的示意图。参照图2A，在开启状态下，在像素电极30和公共电极17上方的液晶分子Ila的取向没有改变，而在像素电极30与公共电极17之间的区域上方的液晶分子Ilb的取向改变并且沿电场L排列。换句话说，由于液晶分子Ila和Ilb被面内电场L操控，所以视角变宽。据此，IPS模式IXD装置在上/下/左/右方向上具有约80度至约89度的宽视角。参照图2B，在关闭状态下，像素电极30与公共电极17之间不产生面内电场，液晶分子Ila和Ilb的排布没有改变。图3是表示根据现有技术的IPS模式IXD装置的像素区域的截面图。参照图3，栅极绝缘层48形成在基板40上，数据线50形成在栅极绝缘层48上，钝化层60形成在数据线50上，并且像素电极64和公共电极62形成在钝化层60上。像素电极64和公共电极62在像素区域P中交替。尽管在附图中未示出，但栅极线和公共线形成在栅极绝缘层48的下方，并且薄膜晶体管形成在栅极线和数据线50交叉部分的附近。栅极线和数据线50限定像素区域P。薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极。像素电极64与漏极连接，而公共电极62与公共线连接。像素电极64和公共电极62为条形。像素电极64和公共电极62以采用透明导电材料或不透明金属的单层结构形成。因为公共电极62和像素电极64处于外部环境下，所以现有技术的IXD装置具有高反光率，大约60%或更多。这会引起彩红斑(rainbow spot)或类似现象并降低环境对比度，由此降低了显示质量。
技术实现思路
据此，本专利技术的实施例涉及基本上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题的液晶显示装置。本专利技术实施例的优点是提供能够改善显示质量的液晶显示装置。本专利技术实施例的其它优点和特征将在下面的描述中列出，这些优点和特征中的一些在后续描述的基础上是显而易见的，或可以通过对本专利技术的实施获悉。本专利技术的这些和其它优点可以通过文字描述、权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和获得。为实现这些和其它的优点，并根据本专利技术的目的，如这里具体和概括地描述的那样，一种液晶显示装置，包括基板；在所述基板上彼此交叉的栅极线和数据线，从而限定像素区域；与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和在所述像素区域中彼此交替的多个像素电极和多个第一公共电极，所述多个像素电极和所述多个第一公共电极被配置为产生面内电场，并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极的每一个都包括第一层和在所述第一层上的第二层，其中所述第一层由不透明金属制成并且具有第一厚度，所述第二层由透明导电材料制成并且具有第二厚度。在另一方面，一种液晶显示装置，包括基板；在所述基板上彼此交叉的栅极线和数据线，从而限定像素区域；与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和在所述像素区域中彼此交替的多个像素电极和多个公共电极，所述多个像素电极和所述多个公共电极被配置为产生面内电场，并且所述多个像素电极或所述多个公共电极包括第一层和在所述第一层上的第二层，其中所述第一层由不透明金属形成并且具有第一厚度，所述第二层由透明导电材料形成并且具有第二厚度。应当理解的是，本专利技术前面的概括描述和下面的详细描述都是举例和示例性的方式，意在提供对要求保护的本专利技术的进一步说明。附图说明被包括来提供对本专利技术的进一步理解、且并入并组成本申请文件的一部分的附解了本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中图I是表示根据现有技术的IPS模式IXD装置的示意性截面图2A和图2B是表示根据现有技术的IPS模式LCD装置分别在开启和关闭状态下操作的示意图；图3是表示根据现有技术的IPS模式IXD装置的像素区域的截面图；图4是表示根据本专利技术实施例的IPS模式IXD装置的平面图；图5和图6分别是沿图4V-V线和VI-VI线截取的截面图； 图7是当环境光照射时根据本专利技术实施例的LCD装置的像素电极和所述像素电极周围(surroundings)的图片；图8是当环境光照射时对比IXD装置的像素电极和所述像素电极周围的图片；和图9是表示根据本专利技术另一个实施例的IPS模式IXD装置的截面图。 具体实施例方式现在将详细描述本专利技术的示例性实施例，附图中图解了这些示例性实施例。图4是表示根据本专利技术第一实施例的IPS模式IXD装置的平面图。参照图4，IXD装置101包括阵列基板102、相对基板和在阵列基板102与所述相对基板之间的液晶层。阵列基板102包括彼此交叉并隔有栅极绝缘层的栅极线103和数据线130，从而限定像素区域P。公共线109与栅极线103相隔开，并且公共线109可由与栅极线103相同的材料制成。薄膜晶体管Tr形成在栅极线103和数据线130交叉部分的附近。薄膜晶体管Tr包括栅极105、栅极绝缘层、半导体层、源极133和漏极136。第一公共电极116形成在像素区域P两侧的每一侧处。第一公共电极116从公共线109延伸出来并与数据线130平行。辅助公共图案172形成在像素区域P中。辅助公共图案172通过公共接触孔146与第一公共电极116接触。多个第二公共电极173从辅助公共图案172延伸出来。第二公共电极173具有与第一公共电极116相同的形状。第二公共电极173在位于像素区域P两侧的第一公共电极116之间。如图4所示，辅助公共图案172可形成在像素区域P的周围区域处，与数据线130和第一公共电极116交叠，使得辅助公共图案172能够起防止漏光的黑矩阵的作用。可替代地，辅助公共图案172可被配置成使得该辅助公共电极172与数据线130对应的部分被去掉，而仅具有在像素区域P中的部分。辅助像素图案169可通过漏极接触孔143与漏极136接触，并且与公共线109交叠。多个像素电极170从辅助像素图案169延伸出来，并与第二公共本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：基板；在所述基板上彼此交叉的栅极线和数据线，从而限定像素区域；与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和在所述像素区域彼此交替的多个像素电极和多个第一公共电极，所述多个像素电极和所述多个第一公共电极被配置为产生面内电场，并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极的每一个都包括第一层和在所述第一层上的第二层，其中所述第一层由不透明金属制成并且具有第一厚度，而所述第二层由透明导电材料制成并且具有第二厚度。

【技术特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00752411.一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括 基板； 在所述基板上彼此交叉的栅极线和数据线，从而限定像素区域； 与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和 在所述像素区域彼此交替的多个像素电极和多个第一公共电极，所述多个像素电极和所述多个第一公共电极被配置为产生面内电场，并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极的每一个都包括第一层和在所述第一层上的第二层， 其中所述第一层由不透明金属制成并且具有第一厚度，而所述第二层由透明导电材料制成并且具有第二厚度。2.根据权利要求I所述的装置，其中所述第一层是钥、钥-钛(MoTi)、铜(Cu)和氮化铜(CuNx)中的至少一种，所述第二层是氧化铟锡(IT0)、氧化铟锌(IZO)和铝掺杂氧化锌(AZO)中的至少一种。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一层厚度是约50Λ至约250A，而所述第二层厚度是约200Λ至约4.根据权利要求I所述的装置，进一步包括 与所述栅极线平行的公共线；和 与所述公共线连接并位于所述像素区域两侧的多个第二公共电极， 其中所述多个像素电极和所述多个第一公共电极位于所述像素区域两侧的所述多个第二公共电极之间。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述公共线的一部分是第一存储电极，所述薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电极交叠的部分是第二存储电极，并且其中所述第一存储电极和所述第二存储电极与二者之间的栅极绝缘层一起形成存储电容器。6.根据权利要求5所述的装置，进一步包括在所述薄膜晶体管和所述存储电容器上的钝化层，其中所述多个像素电极和所述多个第二公共电极都在所述钝化层上。7.根据权利要求6所述的装置，进一步包括 在所述钝化层上的辅助公共图案，并且所述辅助公共图案与所述多个第二公共电极的第一端连接；和 在所述钝化层上的辅助像素图案，并且所述辅助像素图案与所述多个像素电极的第一端连接， 其中所述辅助公共图案和所述辅助像素图案与所述栅极线平行并且在所述像素区域中彼此相对。8.根据权利要求7所述的装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李政润，郑英燮，赵恒燮，张斗熙，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：