倾斜结构体、倾斜结构体的制造方法、以及分光传感器技术

本发明专利技术提供倾斜结构体、倾斜结构体的制造方法、以及分光传感器。倾斜结构体的制造方法包括：在基板的上方形成牺牲膜的工序（a）；在牺牲膜的上方形成第一膜的工序（b）；形成第二膜的工序（c），所述第二膜包括：与基板连接的第一部分、与第一膜连接的第二部分、位于上述第一部分和上述第二部分之间的第三部分；去除牺牲膜的工序（d）；在工序（d）之后使第二膜的上述第三部分弯曲，从而使第一膜相对于基板而倾斜的工序（e）。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微小的倾斜结构体、倾斜结构体的制造方法、以及使用了该倾斜结构体的分光传感器。
技术介绍
在医疗、农业、环境等领域中，为了实施对对象物的诊断和检查而使用分光传感器。例如，在医疗领域中，使用利用血红素的光吸收而对血氧饱和度进行测定的脉搏氧饱和度仪。此外，在农业领域中，使用利用糖分的光吸收而对果实的糖度进行测定的糖度计。下述的专利文献I中，公开了一种光谱成像传感器，其通过对干涉滤光片和光电 转换元件之间进行光学连接的光纤而对入射角度进行限制，从而对向光电转换元件的透过波长频带进行限制。但是，现有的分光传感器难以实现小型化。例如，为了制作小型的分光传感器，需要形成微小的倾斜结构体。但是，以现有的技术难以制造微小的结构体。专利文献I :日本特开平6-129908号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述这种技术课题而完成的。本专利技术的几个方式提供微小的倾斜结构体、微小的倾斜结构体的制造方法、以及使用了该倾斜结构体的分光传感器。在本专利技术的几个方式中，倾斜结构体的制造方法包括在基板的上方形成牺牲膜的工序(a);在牺牲膜的上方形成第一膜的工序(b);形成第二膜的工序(C)，所述第二膜包括与基板连接的第一部分、与第一膜连接的第二部分、位于上述第一部分和上述第二部分之间的第三部分；去除牺牲膜的工序(d);在工序(d)之后使第二膜的上述第三部分弯曲，从而使第一膜相对于基板而倾斜的工序(e )。根据该方式，通过采用与半导体加工工艺亲和性较高的工序，从而能够容易地制造微小的倾斜结构体。在上述的方式中，优选为，还包括工序(f )，所述工序(f )为，在工序(b )和工序(c )之间，通过对牺牲膜和第一膜进行图案形成，从而使形成有第二膜的上述第三部分的牺牲膜的侧面露出的工序。根据该方式，通过在形成了牺牲膜和第一膜之后，对所述牺牲膜和所述第一膜进行图案形成，从而能够在基板上的任意位置处形成倾斜结构体。在上述的方式中，优选为，工序(e)包括向第一膜与基板之间供给液体，之后将上述液体去除的工序。根据该方式，无需对第一膜和第二膜强行施力，便能够使第二膜弯曲，从而使第一膜倾斜。在上述的方式中，可以还包括工序(g)，所述工序(g)为，在工序(e)之后，向第一膜和基板之间填充作为第三膜的材料的工序。根据该方式，通过形成第三膜，从而能够对倾斜结构体的光学特性进行调节。在上述的方式中，可以还包含工序(h)，所述工序(h)为，在工序(g)之后，去除第一膜和第二膜的工序。根据该方式，由于去除第一膜和第二膜，因此能够提高第一膜和第二膜的材料选择的自由度。在本专利技术的其他的方式中，倾斜结构体包括第一膜，其位于基板的上方，且相对于基板的第一面而倾斜；第二膜，其位于基板的上方，且包括与基板的第一面连接的第一部分、与第一膜连接的第二部分、对上述第一部分和上述第二部分进行连接的第三部分。根据该方式，能够制造使用了微小的倾斜结构体的有效的光学元件。在该方式中，优选为，第三部分呈曲面。 在上述的方式中，优选为，第二膜的第二部分位于第一膜的上方。根据该方式，与第二膜形成在第一膜的下方的情况相比，能够减少图案形成的工序数量。在上述的方式中，在第一膜与基板之间还可以包括第三膜。根据该方式，通过形成第三膜，从而能够对倾斜结构体的光学特性进行调节。在本专利技术的其他的方式中，分光传感器包括角度限制滤光器，其对穿过的光的入射方向进行限制；多层膜，其根据入射方向而对透过的光或反射的光的波长进行限制；上述的倾斜结构体，其对穿过角度限制滤光器的光的入射方向、与多层膜的层叠方向之间的倾斜角度进行规定；受光元件，其对穿过角度限制滤光器且在多层膜中透过或反射的光进行检测。根据该方式，通过使用上述的倾斜结构体，从而能够制造小型的分光传感器。另外，上方是指，以基板的表面为基准而与朝向背面的方向相反的方向。附图说明图I为表示第一实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图2为表示第一实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图3为表示第一实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图4为表示第二实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图5为表示第二实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图6为表示第二实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图7为表示第三实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图8为表示第三实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图9为表示第三实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图10为表示各实施方式所涉及的倾斜结构体的第一结构例的图。图11为表示各实施方式所涉及的倾斜结构体的第二结构例的图。图12为表示各实施方式所涉及的倾斜结构体的第三结构例的图。图13为表示各实施方式所涉及的倾斜结构体的第四结构例的图。图14为表示各实施方式所涉及的倾斜结构体的第五结构例的图。图15为表示各实施方式所涉及的倾斜结构体的第六结构例的图。图16为表示实施方式所涉及的分光传感器的第一示例的剖视图。图17为表示实施方式所涉及的分光传感器的第二示例的剖视图。具体实施例方式以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。另外，以下说明的本实施方式并不对权利要求范围所记载的本专利技术的内容进行不合理地限定的。此外，本实施方式所说明的所有结构并不一定是作为本专利技术的解决方法所必须的。此外，对同一结构要素标注同一参照符号并省略说明。 I.第一实施方式图I至图3为表示本专利技术的第一实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。该实施方式所涉及的制造方法为，通过应用半导体加工工艺技术，从而容易实现低成本以及细微化的方法。1-1.对第一膜进行成膜首先，如图I (A)所示，在基板10上对牺牲膜进行成膜。基板10既可以为例如单晶硅基板，也可以为在硅基板上形成了后述的角度限制滤光器的基板。作为牺牲膜20，例如可使用氧化硅(SiO2)膜等。接下来，如图I (B)所示，在牺牲膜20上对成为构成倾斜结构体的膜的第一膜11进行成膜。作为第一膜11，例如可使用氮化钛(TiN)膜等。接下来，如图I (C)所示，在第一膜11上对抗蚀剂膜21进行成膜，并通过进行曝光和显影，从而将抗蚀剂膜21图案形成为预定形状(例如矩形形状)。接下来，如图I (D)所示，将抗蚀剂膜21作为蚀刻掩膜，而对第一膜11和牺牲膜20进行蚀刻。由此，第一膜11和牺牲膜20被图案形成为与上述预定形状相同的形状(例如矩形形状)。之后，将抗蚀剂膜21去除。另外，虽然此处说明了在对第一膜11进行成膜后，再同时对第一膜11和牺牲膜20进行图案形成的情况，但是并不限定于此，也可以在对牺牲膜20进行图案形成后，再在牺牲膜20上形成第一膜11。1-2.对第二膜进行成膜接下来，如图2 (E)所示，在第一膜11上以及通过图I (D)所示的工序而露出的基板10上，以覆盖通过图I (D)所示的工序而露出的牺牲膜20的侧面以及第一膜11的侧面的方式，而对成为构成倾斜结构体的膜的第二膜12进行成膜。第二膜12例如通过包括阴极真空喷镀法和真空蒸镀法的PVD (physical vapor deposition :物理气相沉积)法、或CVD (chemical vapor deposition .化学气相沉积)法而成膜。作为第二膜12,例如可使用铝(Al)膜等。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倾斜结构体的制造方法，包括：在基板的上方形成牺牲膜的工序（a）；在所述牺牲膜的上方形成第一膜的工序（b）；形成第二膜的工序（c），所述第二膜包括：与所述基板连接的第一部分、与所述第一膜连接的第二部分、以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分；去除所述牺牲膜的工序（d）；在所述工序（d）之后，使所述第二膜的所述第三部分弯曲，从而使所述第一膜相对于所述基板而倾斜的工序（e）。

【技术特征摘要】
2011.07.27 JP 2011-1645371.一种倾斜结构体的制造方法，包括 在基板的上方形成牺牲膜的工序(a)； 在所述牺牲膜的上方形成第一膜的工序(b)； 形成第二膜的工序(c)，所述第二膜包括与所述基板连接的第一部分、与所述第一膜连接的第二部分、以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分； 去除所述牺牲膜的工序(d)； 在所述工序(d)之后，使所述第二膜的所述第三部分弯曲，从而使所述第一膜相对于所述基板而倾斜的工序(e)。2.如权利要求I所述的倾斜结构体的制造方法，其中， 还包括工序(f )，所述工序(f )为，在所述工序(b )和所述工序(c )之间，通过对所述牺牲膜和所述第一膜进行图案形成，从而使形成有所述第二膜的所述第三部分的所述牺牲膜的侧面露出的工序。3.如权利要求I或权利要求2所述的倾斜结构体的制造方法，其中， 所述工序(e)包括向所述第一膜与所述基板之间供给液体，之后将所述液体去除的工序。4.如权利要求I至权利要求3中任一项所述的倾斜结构体的制造方法，其中， 还包括工序(g)，所述工序(g)为，在所述工序(e)之后，向所述第一膜和...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉泽隆彦，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：