胶粘片及其用途制造技术

本发明专利技术涉及胶粘片及其用途。本发明专利技术提供在抑制半导体晶片等的破裂或缺损的同时化学稳定性优良、并且物性容易控制的半导体装置制造用的胶粘片。一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有：热塑性树脂，所述热塑性树脂具有环氧基并且不具有羧基，热固性树脂，和络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物含有包含叔氮原子作为环原子的杂环化合物，并且能够与阳离子形成络合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及胶粘片及其用途。
技术介绍
近年来，将手机、便携式音频设备用的存储部件芯片O ^ ') V —7°)多段层叠而得到的堆叠MCP (Multi Chip Package :多芯片封装)得以普及。另外，随着图像处理技术、手机等的多功能化，正在推进封装的高密度化、高集成化和薄型化。作为将半导体芯片固定到基板等上的方法，提出了使用热固性糊状树脂的方法、使用将热塑性和热固性树脂组合使用的胶粘片的方法。另一方面，存在如下问题在半导体制造的工序中从外部向晶片的结晶衬底混入阳离子(例如，铜离子、铁离子)，该阳离子到达在晶片上形成的电路形成面时，电特性下降。·另外，存在在制品使用中从电路或金属线产生阳离子，从而电特性下降的问题。针对上述问题，以往尝试了对晶片的背面进行加工而形成破碎层(应变)，并通过该破碎层捕捉并除去阳离子的外部去疵法(以下也称为“EG”)或者在晶片的结晶衬底中形成氧沉淀诱生缺陷(酸素析出欠陥)，并通过该氧沉淀诱生缺陷捕捉并除去阳离子的内部去疵法(以下也称为“IG”)。但是，随着近年的晶片的薄型化，IG的效果减小，并且造成晶片的破裂或翘曲的背面应变也被除去，从而EG的效果也得不到，从而存在去疵效果不充分的问题。因此，提出了各种用于补充去疵效果的方案。在专利文献I中，记载了具备铜离子吸附层的薄膜状胶粘剂，所述铜离子吸附层含有具有能够与铜离子形成络合物的骨架的树月旨。另外，记载了可以使铜离子化学吸附到铜离子吸附层的树脂内部，可以比以往显著减少从以铜为材料的构件产生的铜离子的影响。另外，在专利文献2、3中，记载了含有离子捕捉剂的粘合胶粘剂组合物，公开了该离子捕捉剂具有捕捉氯离子等的效果。另外，在专利文献4中，记载了含有离子捕获剂的薄膜状胶粘剂，并记载了该离子捕获剂捕捉卤族元素。另外，在专利文献5中，记载了含有阴离子交换体的胶粘片。另外，在专利文献6中，记载了含有螯合改性的环氧树脂，可以捕捉内部的离子杂质的片状胶粘剂。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2011-52109号公报专利文献2 :日本特开2009-203337号公报专利文献3 :日本特开2009-203338号公报专利文献4 :日本特开2010-116453号公报专利文献5 :日本特开2009-256630号公报专利文献6 :日本特开2011-105875号公报
技术实现思路
但是，即使使用上述的去疵效果的补充技术，也会产生下列问题。第一个问题是，对于通过专利文献2飞的薄膜状胶粘剂等捕捉阳离子的技术没有公开。因此，如果仅仅是捕捉氯离子，则难以防止基于阳离子的电特性下降。另外，专利文献2飞中公开的离子捕捉剂、离子捕获剂、阴离子交换体为无机化合物。因此，存在如下问题由于在薄膜状胶粘剂等的树脂中的分散状态而在捕捉性方面产生偏差，或者在粘贴到晶片上时，无机化合物与晶片接触从而产生晶片破裂或缺损。特别地，近年来存在胶粘片的薄型化的要求，因此有必要抑制无机化合物造成的晶片的破裂或缺损。另外，根据专利文献I的薄膜状胶粘剂或专利文献6的片状胶粘剂，可以捕捉铜离子。另外，由于树脂中具有能够与铜离子形成络合物的骨架，因此难以产生无机化合物与晶片接触从而晶片产生破裂或缺损的问题。但是，树脂中的能够与铜离子形成络合物的骨架，有可能与构成薄膜状胶粘剂等的其它树脂反应。因此，存在如下问题薄膜状胶粘剂等的化学稳定性下降，或者薄膜状胶粘剂等的物性难以控制，从而得不到所需的特性。因此，正在寻求在抑制半导体晶片等的破裂或缺损的同时具有化学稳定性、并且物性容易控制的半导体装置制造用的胶粘片、具有该半导体装置制造用的胶粘片的半导体装置以及使用该半导体装置制造用的胶粘片的半导体装置的制造方法。第二个问题是，例如即使在胶粘片中含有吸附金属离子的成分，但是胶粘片从半导体芯片上剥离后，只要是剥离的区域，去疵效果的补充作用就会下降。随着近年的半导体 装置的高容量化，如果是相同规格的封装，在要求进行薄型化的半导体芯片和胶粘片的多段层叠时，随着层叠的进行，胶粘片中会蓄积热处理造成的热历史。结果，胶粘片的胶粘特性下降，在进行密封工序或回流焊接工序时有时胶粘片从半导体芯片上剥离，从而去疵效果的补充作用减弱的倾向增强。这样的剥离现象通过上述现有技术不能解决。因此，正在寻求即使实施高温处理也不产生从半导体芯片的剥离，可以捕捉在半导体装置的制造工序中混入半导体芯片的金属离子，从而可以防止半导体装置的电特性下降的I父粘片。第三个问题是，现有的胶粘片中，添加有用于改善低温范围下的粘贴性的热塑性树脂。但是，热塑性树脂自身的玻璃化转变温度(Tg)低，因此有时胶粘片在高温下的弹性模量下降，在芯片接合后的丝焊时半导体芯片发生移位，或者在用于安装半导体芯片的回流焊接工序中产生剥离。因此，采取了在胶粘片中添加二氧化硅等填料以提高高温下的弹性模量的措施。但是，使用填料时，由于半导体芯片与填料的接触，芯片会产生缺损，或者根据情况会产生破裂。为了实现上述半导体装置的高容量化，不仅需要将晶片薄型化，而且也需要将用于固定半导体芯片的胶粘片薄型化时，胶粘片越薄，则填料造成的半导体芯片的缺损或破裂的频率就越会上升。另外，随着近年的薄型化，半导体芯片自身的强度也正在下降，因此具有半导体芯片的缺损或破裂的产生变得明显的倾向。另外，上述现有技术的任意一项中均使用了无机填料，因此不能解决该问题。因此，正在寻求可以防止所制造的半导体装置的电特性下降从而提高制品可靠性，并且即使进行薄型化也可以防止对晶片或半导体芯片的机械损伤的胶粘片。第四个问题是，专利文献I的薄膜状胶粘剂中，使用树脂作为离子捕捉剂，因此离子捕捉性能方面不充分。另外，专利文献2飞中，对于能够与金属离子形成络合物的有机低分子量化合物的使用完全没有研究。现有的胶粘片中存在前述的问题，另外，在由于络合剂等离子捕捉剂造成胶粘片的化学稳定性、化学反应性、物理特性等发生变化，并且与基板等被粘物的粘附性下降方面，尚有改良的余地。因此，正在寻求离子捕捉性高，并且与被粘物的粘附性高的半导体装置制造用的多层胶粘片。第五个问题是，在现有的半导体装置的制造中，形成有电路图案的半导体晶片根据需要在通过背面研磨而调节厚度(背面研磨工序)后，切割成半导体芯片(切割工序)，将该半导体芯片利用胶粘剂固定到引线框等被粘物上(芯片接合工序)，再进行丝焊工序。为了将半导体芯片有效地固定到引线框等上，提出了在切割工序中保持半导体芯片并且也提供拾取工序所需的芯片固定用的胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜。该切割/芯 片接合薄膜，以可剥离的方式在切割薄膜上设置有胶粘剂层，在该胶粘剂层的保持下切割半导体芯片，然后将切割薄膜拉伸而将形成的芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收并通过该胶粘剂层固定到引线框等被粘物上。但是，将具有离子捕捉性的胶粘片与切割薄膜组合而作为切割/芯片接合薄膜使用时，发现有时胶粘片的离子捕捉性下降。因此，正在寻求即使使用离子捕捉性的胶粘片也可以防止胶粘片的离子捕捉性下降，并且可以捕捉在半导体装置的制造工序中混入半导体芯片的金属离子从而可以防止半导体装置的电特性下降的切割/芯片接合薄膜。本申请专利技术人等进行了广泛深入的研究，结果发现，通过采用下述的构成，可以解决上述的现有问题，从而完成了本专利技术。即，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有：热塑性树脂，所述热塑性树脂具有环氧基并且不具有羧基，热固性树脂，和络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物含有包含叔氮原子作为环原子的杂环化合物，并且能够与阳离子形成络合物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，大西谦司，宇圆田大介，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：