胶粘片及其用途制造技术

本发明专利技术涉及胶粘片及其用途。本发明专利技术提供在抑制半导体晶片等的破裂或缺损的同时具有化学稳定性、并且物性容易控制的半导体装置制造用的胶粘片。一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有：热塑性树脂，所述热塑性树脂具有羧基并且不具有环氧基；热固性树脂；和络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物含有具有两个以上酚羟基的苯环，并且能够与阳离子形成络合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及胶粘片及其用途。
技术介绍
近年来，将手机、便携式音频设备用的存储部件芯片O ^ ') ’一 7°)多段层叠而得到的堆叠MCP (Multi Chip Package :多芯片封装)得以普及。另外，随着图像处理技术、手机等的多功能化，正在推进封装的高密度化、高集成化和薄型化。作为将半导体芯片固定到基板等上的方法，提出了使用热固性糊状树脂的方法、使用将热塑性和热固性树脂组合使用的胶粘片的方法。另一方面，存在如下问题在半导体制造的工序中从外部向晶片的结晶衬底中混入阳离子(例如，铜离子、铁离子)，该阳离子到达在晶片上形成的电路形成面时，电特性下降。另外，存在在制品使用中从电路或金属线产生阳离子，从而电特性下降的问题。 针对上述问题，以往尝试了对晶片的背面进行加工而形成破碎层(应变)，并通过该破碎层捕捉并除去阳离子的外部去疵法(以下也称为“EG”)或者在晶片的结晶衬底中形成氧沉淀诱生缺陷(酸素析出欠陥)，并通过该氧沉淀诱生缺陷捕捉并除去阳离子的内部去疵法(以下也称为“IG”)。但是，随着近年的晶片的薄型化，IG的效果减小，并且造成晶片的破裂或翘曲的背面应变也被除去，从而EG的效果也得不到，从而存在去疵效果不充分的问题。因此，提出了各种用于补充去疵效果的方案。在专利文献I中，记载了具备铜离子吸附层的薄膜状胶粘剂，所述铜离子吸附层含有具有能够与铜离子形成络合物的骨架的树月旨。另外，记载了可以使铜离子化学吸附到铜离子吸附层的树脂内部，可以比以往显著减少从以铜为材料的构件产生的铜离子的影响。另外，在专利文献2、3中，记载了含有离子捕捉剂的粘合胶粘剂组合物，公开了该离子捕捉剂具有捕捉氯离子等的效果。另外，在专利文献4中，记载了含有离子捕获剂的薄膜状胶粘剂，并记载了该离子捕获剂捕捉卤族元素。另外，在专利文献5中，记载了含有阴离子交换体的胶粘片。另外，在专利文献6中，记载了含有螯合改性的环氧树脂，可以捕捉内部的离子杂质的片状胶粘剂。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2011-52109号公报专利文献2 :日本特开2009-203337号公报专利文献3 :日本特开2009-203338号公报专利文献4 :日本特开2010-116453号公报专利文献5 :日本特开2009-256630号公报专利文献6 :日本特开2011-105875号公报
技术实现思路
但是，即使使用上述的去疵效果的补充技术，也会产生下列问题。第一个问题是，对于通过专利文献2飞的薄膜状胶粘剂等捕捉阳离子的技术没有公开。因此，如果仅仅是捕捉氯离子，则难以防止基于阳离子的电特性下降。另外，专利文献2飞中公开的离子捕捉剂、离子捕获剂、阴离子交换体为无机化合物。因此，存在如下问题由于在薄膜状胶粘剂等的树脂中的分散状态而在捕捉性方面产生偏差，或者在粘贴到晶片上时，无机化合物与晶片接触从而产生晶片破裂或缺损。特别地，近年来存在胶粘片的薄型化的要求，因此有必要抑制无机化合物造成的晶片的破裂或缺损。另外，根据专利文献I的薄膜状胶粘剂或专利文献6的片状胶粘剂，可以捕捉铜离子。另外，由于树脂中具有能够与铜离子形成络合物的骨架，因此难以产生无机化合物与晶片接触从而晶片产生破裂或缺损的问题。但是，树脂中的能够与铜离子形成络合物的骨架，有可能与构成薄膜状胶粘剂等的其它树脂反应。因此，存在如下问题薄膜状胶粘剂等的化学稳定性下降，或者薄膜状胶粘剂等的物性难以控制，从而得不到所需的特性。因此，正在寻求在抑制半导体晶片等的破裂或缺损的同时具有化学稳定性、并且 物性容易控制的半导体装置制造用的胶粘片、具有该半导体装置制造用的胶粘片的半导体装置以及使用该半导体装置制造用的胶粘片的半导体装置的制造方法。第二个问题是，为了实现上述的半导体装置的高容量化而将半导体封装的尺寸标准化时，不仅需要晶片的薄型化，而且用于固定半导体芯片的薄膜状胶粘剂也需要薄型化。一般而言，薄膜状胶粘剂中含有用于确保高温下的弹性模量的填料时，薄膜状胶粘剂越薄，则薄膜状胶粘剂中所含的粗大的填料造成的半导体芯片的缺损或破裂的频率就越会上升。随着近年的薄型化，半导体芯片自身的强度也正在下降，因此具有半导体芯片的缺损或破裂这样的机械损伤的产生变得明显的倾向。另外，即使是例如薄膜状胶粘剂含有捕集离子的物质的情况，在薄膜状胶粘剂的薄型化的推进中薄膜状胶粘剂整体的离子捕集效率也会下降，因此要求更有效的离子捕集。上述现有技术(例如专利文献I)中，虽然可以进行某种程度上的捕集离子，但是由于能够形成络合物的骨架部分仅存在于树脂末端，因此与铜离子的接触频率下降，络合物形成也不充分，因此尚有改善的余地。因此，正在寻求可以防止所制造的半导体装置的电特性下降从而提高制品可靠性，并且即使进行薄型化也可以防止对晶片或半导体芯片的机械损伤的薄膜状胶粘剂。第三个问题是，将具有离子捕捉性的胶粘片与切割薄膜组合而作为切割/芯片接合薄膜使用时，发现有时胶粘片的离子捕捉性下降。因此，正在寻求即使使用离子捕捉性的胶粘片也可以防止胶粘片的离子捕捉性下降，并且可以捕捉在半导体装置的制造工序中混入半导体芯片的金属离子从而可以防止半导体装置的电特性下降的切割/芯片接合薄膜。本申请专利技术人进行了广泛深入的研究，结果发现，通过采用下述的构成，可以解决上述的现有问题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有热塑性树脂，所述热塑性树脂具有羧基并且不具有环氧基；热固性树脂；和络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物含有具有两个以上酚羟基的苯环，并且能够与阳离子形成络合物。根据所述构成，含有能够与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，因此可以捕捉在半导体装置的制造的各种工序中从外部混入的阳离子。结果，从外部混入的阳离子难以到达在晶片上形成的电路形成面，可以抑制电特性下降，从而提高制品可靠性。另夕卜，由于是络合物形成性有机化合物，因此即使在胶粘时与半导体晶片等接触，也可以抑制晶片广生破裂或缺损。另外，通过胶粘片将半导体晶片胶粘到被粘物上时，一般而言在被粘物上存在凹凸，因此会混入气泡。该气泡通常在树脂密封时通过压力等扩散到密封树脂等中，从而其影响减弱。但是，使用含有具有两个以上酚羟基的苯环的化合物作为络合物形成性有机化合物的情况下，在热塑性树脂中存在环氧基时，通过树脂密封前的丝焊等工序中的热历史，会剧烈地进行固化反应，从而在树脂密封工序中不能使气泡扩散到密封树脂中。结果，在胶粘界面处产生由气泡造成的剥离。特别地，在将半导体芯片多层层叠的情况下，热历史增多，气泡对剥离的影响显著。根据本专利技术，热塑性树脂不具有环氧基，因此可以抑制与含有具有两个以上酚羟基的苯环的络合物形成性有机化合物的反应。因此，可以提高胶粘片的化学稳定性。另外，由于与含有具有两个以上酚羟基的苯环的络合物形成性有机化合物的反应受到抑制，因此可以抑制成形工序前剧烈地进行固化反应，从而可以使胶粘界面的气泡扩散到密封树脂等中。由此，可以防止胶粘界面处的剥离。 另外，根据前述构成，热塑性树脂具有羧基，因此例如通过树脂密封后的后固化工序，热塑性树脂进行某种程度的交联，可以防止胶粘界面处的剥离。即，根据前述构成，含有热塑性树脂，所述热塑性树脂具有羧基并且不具有环氧基；热固性树本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有：热塑性树脂，所述热塑性树脂具有羧基并且不具有环氧基，热固性树脂，和络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物含有具有两个以上酚羟基的苯环，并且能够与阳离子形成络合物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，菅生悠树，宇圆田大介，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：