【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种IGBT驱动保护电路，包括用于封锁IGBT驱动信号的驱动信号封锁控制电路、用于保护IGBT的第一保护电路、用于对IGBT的驱动电源进行欠电压保护的欠电压保护电路，所述驱动信号封锁控制电路的输出端经第一光电耦合隔离电路与第一保护电路的输入端相连，第一保护电路的输出端经第二光电耦合隔离电路接入驱动信号封锁控制电路的输入端，所述欠电压保护电路的输出端与第二光电耦合隔离电路的输入端相连，其特征在于：所述第一保护电路包括用于将IGBT驱动信号放大的驱动功率放大电路、用于防止IGBT栅极过压击穿的栅极保护电路、用于IGBT过温保护的IGBT过温保护电路、用于控制IGBT饱和压降的IGBT饱和压降保护电路、用于控制IGBT降栅压软关断时间的降栅压软关断控制电路，所述第一光电耦合隔离电路的输出端依次经驱动功率放大电路、栅极保护电路后与IGBT的栅极相连，IGBT的集电极依次经IGBT过温保护电路、降栅压软关断控制电路后与驱动功率放大电路的相应输入端相连，IGBT的集电极还依次经IGBT饱和压降保护电路、降栅压软关断控制电路后与驱动功率放大电路的相应输入端相连；所述IGBT过温保护电路的输出端、IG...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘世高，罗蜂，黄敏，
申请(专利权)人：佛山市柏克新能科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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